公益財団法人電磁材料研究所

公益財団法人電磁材料研究所とは

名称の「公益財団法人」について(β版)

公益財団法人電磁材料研究所の基本情報

項目	内容
商号又は名称	公益財団法人電磁材料研究所
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	デンジザイリョウケンキュウショ
法人番号	1370005003200
会社法人等番号	3700-05-003200
登記所	仙台法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T1370005003200 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	その他の設立登記法人 法人格:公益財団法人
郵便番号	〒981-3341 ※地方自治体コードは 04216
国内所在地（都道府県）都道府県	宮城県 ※宮城県の法人数は 81,708件
国内所在地（市区町村）市区町村	富谷市 ※富谷市の法人数は 1,028件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	成田9丁目5番1
国内所在地（1行表示）1行表示	宮城県富谷市成田9丁目5番1
国内所在地（読み仮名）読み仮名	ミヤギケントミヤシナリタ9チョウメ
更新年月日更新日	2020年11月16日
変更年月日変更日	2018年01月04日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	宮城労働局 〒983-8585 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地 仙台第4合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	仙台労働基準監督署 〒983-8507 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地仙台第四合同庁舎

公益財団法人電磁材料研究所の場所

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公益財団法人電磁材料研究所の登録履歴

日付	内容
2018年01月04日	【住所変更】 国内所在地が「宮城県富谷市成田9丁目5番1」に変更されました。
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「公益財団法人電磁材料研究所」で、「宮城県仙台市太白区八木山南2丁目1-1」に新規登録されました。

公益財団法人電磁材料研究所の法人活動情報

公益財団法人電磁材料研究所の届出情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2011年06月20日 内閣府	公益法人Information / 公益認定 -

公益財団法人電磁材料研究所の特許情報(45件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2022年01月12日 特許庁 / 特許	磁気光学材料およびその製造方法 FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 10/18, FI分類-H01F 41/18, FI分類-G02F 1/09 501
2021年08月20日 特許庁 / 特許	磁気光学材料およびその製造方法 FI分類-H01F 10/14, FI分類-H01F 10/16, FI分類-G02F 1/09 501, FI分類-H01F 1/00 163, FI分類-H01F 1/20 ZNM
2021年03月09日 特許庁 / 特許	振動発電素子 FI分類-B81B 3/00, FI分類-H01L 41/29, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H03H 9/25 C, FI分類-H03H 9/145 Z
2021年03月05日 特許庁 / 特許	ナノグラニュラー構造材料およびその作製方法 FI分類-H01F 10/14, FI分類-H01F 10/16, FI分類-C01G 51/00 B, FI分類-G02F 1/09 501, FI分類-H01F 1/00 163, FI分類-C01B 11/24 ZNM
2020年06月29日 特許庁 / 特許	力覚センサ FI分類-G01L 5/1627
2020年06月29日 特許庁 / 特許	力覚センサ FI分類-G01L 5/1627
2020年06月29日 特許庁 / 特許	振動発電素子 FI分類-H02N 2/04, FI分類-H01L 41/09, FI分類-H01L 41/29, FI分類-H01L 41/047
2020年05月19日 特許庁 / 特許	振動センサ FI分類-G01H 11/06, FI分類-G01B 7/16 R
2020年02月13日 特許庁 / 特許	力センサ FI分類-G01L 5/1627
2020年02月03日 特許庁 / 特許	光触媒 FI分類-A61L 9/00 C, FI分類-A61L 9/01 B, FI分類-B01J 35/02 J, FI分類-C01G 49/00 A, FI分類-B01J 23/835 M
2019年11月27日 特許庁 / 特許	強磁性薄膜積層体 FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 10/28, FI分類-H01F 17/04 F
2019年10月23日 特許庁 / 特許	ウェアラブル端末およびウェアラブル端末システム FI分類-G01L 5/16, FI分類-G01L 1/22 F, FI分類-G01L 1/22 M
2019年10月03日 特許庁 / 特許	力センサアレイ FI分類-G01L 1/22 M, FI分類-G01L 5/00 101 Z
2019年08月30日 特許庁 / 特許	生体情報計測システム FI分類-A61B 5/05 A, FI分類-A61B 5/05 N, FI分類-G01R 33/02 R
2019年08月30日 特許庁 / 特許	マグネタイト薄膜および磁気トンネル接合素子 FI分類-H01L 29/82 Z, FI分類-H01L 43/08 M, FI分類-H01L 43/08 Z
2019年08月07日 特許庁 / 特許	磁気光学薄膜およびその製造方法 FI分類-H01F 10/14, FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 41/18, FI分類-C01B 21/06 D, FI分類-C01G 51/00 B, FI分類-C23C 14/06 L
2019年06月28日 特許庁 / 特許	磁気センサおよび磁気センサモジュール FI分類-H01L 43/00, FI分類-G01R 33/02 D
2019年03月19日 特許庁 / 特許	力センサ FI分類-G01L 1/22 F
2018年12月26日 特許庁 / 特許	複合鉄酸化物薄膜およびその製造方法 FI分類-C01G 49/00 A, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-C23C 14/58 A
2018年12月26日 特許庁 / 特許	複合鉄酸化物焼結体および複合鉄酸化物粉末ならびにこれらの製造方法 FI分類-C01G 49/08, FI分類-C04B 35/26, FI分類-C01G 49/00 A, FI分類-C01G 49/06 A
2018年11月21日 特許庁 / 特許	強磁性積層膜およびその製造方法ならびに電磁誘導性電子部品 FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 41/18, FI分類-H01L 43/00, FI分類-H01L 43/10, FI分類-H01L 29/82 Z
2018年08月20日 特許庁 / 特許	強磁性積層膜および強磁性積層膜の製造方法ならびに電磁誘導性電子部品 FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 41/18, FI分類-H01L 27/04 L
2018年08月01日 特許庁 / 特許	pn接合素子用の複合鉄酸化物薄膜および光触媒活性物質用の複合鉄酸化物薄膜 FI分類-H01F 10/20, FI分類-B01J 23/78 M, FI分類-B01J 23/85 M, FI分類-C01G 49/00 A, FI分類-C01G 49/06 A, FI分類-C01G 49/06 B, FI分類-B01J 23/835 M
2018年05月10日 特許庁 / 特許	誘電性薄膜およびその製造方法 FI分類-H01B 3/00 F, FI分類-C23C 14/06 G, FI分類-C23C 14/06 L
2018年04月23日 特許庁 / 特許	歪抵抗膜および歪センサ、ならびにそれらの製造方法 FI分類-H01C 17/12, FI分類-G01B 7/16 R, FI分類-G01L 1/22 M, FI分類-H01C 10/10 B, FI分類-H01C 7/00 230
2018年03月20日 特許庁 / 特許	磁気光学薄膜、磁気光学素子および磁界センサ FI分類-C22C 30/00, FI分類-H01F 10/14, FI分類-H01F 10/16, FI分類-G01R 33/032
2017年10月18日 特許庁 / 特許	薄膜ひずみセンサ材料および薄膜ひずみセンサ FI分類-G01B 7/16 R
2017年10月18日 特許庁 / 特許	熱安定性に優れ、高歪ゲージ率を有する歪センサ用薄膜合金 FI分類-G01B 7/16 R
2017年03月10日 特許庁 / 特許	圧力センサ FI分類-G01L 9/02, FI分類-G01L 11/00 A
2017年03月10日 特許庁 / 特許	水素ガス環境用歪センサおよび歪センサの使用方法 FI分類-G01B 7/16 R
2017年02月28日 特許庁 / 特許	誘電性薄膜およびその製造方法 FI分類-H01B 3/00 F, FI分類-H01B 3/02 Z, FI分類-C01G 51/00 C, FI分類-C23C 14/06 L, FI分類-C23C 14/34 C
2016年12月27日 特許庁 / 特許	鉄酸化物薄膜およびその製造方法 FI分類-C01G 49/00 A, FI分類-C23C 14/08 M, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 21/316 Y, FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 31/04 320, FI分類-H01L 31/04 420
2016年12月02日 特許庁 / 特許	熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金 FI分類-C22F 1/11, FI分類-C22C 27/06, FI分類-C22F 1/00 A, FI分類-G01B 7/16 R, FI分類-C22F 1/00 620, FI分類-C22F 1/00 682, FI分類-H01C 7/00 210, FI分類-C22F 1/00 650 A, FI分類-C22F 1/00 660 A, FI分類-C22F 1/00 691 B
2016年12月02日 特許庁 / 特許	歪抵抗膜および高温用歪センサ、ならびにそれらの製造方法 FI分類-G01B 7/16 R
2016年09月02日 特許庁 / 特許	圧電/電歪膜用金属部材 及び該圧電/電歪膜用金属部材の製造方法 FI分類-C01B 33/38, FI分類-H01L 41/43, FI分類-B05D 3/00 D, FI分類-B05D 3/02 Z, FI分類-B05D 5/12 D, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/318, FI分類-C23C 26/00 C, FI分類-B05D 7/24 303 A, FI分類-B05D 7/24 303 B
2016年08月31日 特許庁 / 特許	歪抵抗膜およびその製造方法、ならびに高温用歪センサおよびその製造方法 FI分類-G01B 7/16 R
2016年07月07日 特許庁 / 特許	磁気センサモジュール FI分類-G01N 27/72, FI分類-G01R 15/20 B, FI分類-G01R 31/36 K, FI分類-G01R 33/06 R, FI分類-H01M 10/48 P
2016年01月29日 特許庁 / 特許	軟磁性粉末及び当該軟磁性粉末によって成形された軟磁性体、並びに当該軟磁性粉末及び当該軟磁性体の製造方法 FI分類-H01F 1/24, FI分類-H01F 1/33, FI分類-B22F 1/00 Y, FI分類-B22F 1/02 E, FI分類-B22F 1/02 G, FI分類-B22F 3/00 B, FI分類-H01F 1/34 Z, FI分類-H01F 41/02 D, FI分類-C22C 38/00 303 S
2015年11月25日 特許庁 / 特許	透光性磁性体 FI分類-H01F 1/20, FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 1/00 T, FI分類-G02F 1/09 501
2015年09月29日 特許庁 / 特許	Fe-Mn系恒弾性・不感磁性合金 FI分類-C21D 8/00 D, FI分類-C22C 38/00 302 A
2015年09月07日 特許庁 / 特許	薄膜磁界センサおよびアレイ型薄膜磁界センサ FI分類-G01R 33/06 R, FI分類-H01L 43/08 B, FI分類-H01L 43/08 Z
2015年08月25日 特許庁 / 特許	位置・姿勢検出装置 FI分類-G01B 7/00 103 M
2015年08月21日 特許庁 / 特許	超高周波強磁性薄膜とその製造方法 FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 41/18
2015年01月22日 特許庁 / 特許	金属検出機 FI分類-G01V 3/10 F
2014年10月02日 特許庁 / 特許	圧電型センサ及び拍動センサ FI分類-G01L 1/16 C, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/314

公益財団法人電磁材料研究所の商標情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2016年12月05日 特許庁 / 商標	§DENJIKEN 06類, 09類, 42類

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