法人番号:1370802001975
有限会社ドライケミカルズ
情報更新日:2024年08月31日
有限会社ドライケミカルズとは
有限会社ドライケミカルズ（ドライケミカルズ）は、法人番号:1370802001975で宮城県名取市愛島笠島字北台8番地に所在する法人として仙台法務局名取出張所で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。登録情報として、特許情報が13件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2023年08月02日です。
インボイス番号:T1370802001975については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は宮城労働局。仙台労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「有限会社」について(β版)
有限会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、複数の出資者が出資金を出し合い、共同で事業を行う形態です。出資者は株式会社のように株式を持つのではなく、出資額に応じた出資割合で経営に参加します。有限会社は、出資者の責任が出資額に限定されるため、個人の財産が保護されるという利点があります。また、経営権の移転が容易であり、出資者の変更や事業の承継が比較的スムーズに行えるという特徴もあります。
有限会社ドライケミカルズの基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 有限会社ドライケミカルズ |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | ドライケミカルズ |
| 法人番号 | 1370802001975 |
| 会社法人等番号 | 3708-02-001975 |
| 登記所 | 仙台法務局名取出張所 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T1370802001975 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 有限会社 |
| 郵便番号 | 〒981-1238 ※地方自治体コードは 04207 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 宮城県 ※宮城県の法人数は 81,692件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 名取市 ※名取市の法人数は 2,139件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 愛島笠島字北台8番地 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 宮城県名取市愛島笠島字北台8番地 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | ミヤギケンナトリシメデシマカサシマキタダイ（アザ） |
| 更新年月日更新日 | 2023年08月02日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 宮城労働局 〒983-8585 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地 仙台第4合同庁舎 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 仙台労働基準監督署 〒983-8507 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地仙台第四合同庁舎 |
有限会社ドライケミカルズの場所
有限会社ドライケミカルズの登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「有限会社ドライケミカルズ」で、「宮城県名取市愛島笠島字北台8番地」に新規登録されました。 |
有限会社ドライケミカルズの法人活動情報
有限会社ドライケミカルズの特許情報(13件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2023年11月28日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B23K 26/53, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B28D 5/04 D, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 S, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 611 Z |
2023年06月23日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B23K 26/53, FI分類-B24B 19/02, FI分類-B24D 5/00 P, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 S, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2023年03月29日 特許庁 / 特許 | SiC延長インゴットの製造方法 FI分類-C30B 33/06, FI分類-C30B 29/36 A |
2023年02月24日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの研削加工方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2022年10月25日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B24B 19/02, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24D 5/00 P, FI分類-B28D 5/02 A, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2022年10月25日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B28D 1/10, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B28D 5/04 A, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 19/00 Z, FI分類-B24B 27/06 M, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2022年04月18日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 41/06 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2021年12月23日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 19/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 Q, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2021年12月20日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 19/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 621, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2021年12月20日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 19/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 A, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2021年12月20日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 7/04 Z, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 S, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2021年12月14日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B24D 9/04, FI分類-B24B 19/02, FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24D 5/00 P, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 27/06 Q, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2021年09月30日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 7/22 Z, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 621 A |
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