株式会社Niterra Materialsとは

株式会社Niterra Materials(ニテラマテリアルズ)は、法人番号:2020001042186で神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地に所在する法人として横浜地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役白井隆雄。設立日は2003年10月01日。従業員数は663人。登録情報として、調達情報が11件表彰情報が2件届出情報が3件特許情報が147件商標情報が5件職場情報が1件が登録されています。なお、2025年06月02日に法人番号公表サイトでは登録情報が変更されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2025年07月18日です。
インボイス番号:T2020001042186については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は神奈川労働局。横浜南労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
 

名称の「株式会社」について(β版)

株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。

株式会社Niterra Materialsの基本情報

項目 内容
商号又は名称 株式会社Niterra Materials
商号又は名称(読み仮名)フリガナ ニテラマテリアルズ
法人番号 2020001042186
会社法人等番号 0200-01-042186
登記所 横浜地方法務局
※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号
※2025年07月31日更新
インボイス番号
T2020001042186
※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。
(2025年07月31日現在)
法人種別 株式会社
郵便番号 〒235-0032
※地方自治体コードは 14107
国内所在地(都道府県)都道府県 神奈川県
※神奈川県の法人数は 367,418件
国内所在地(市区町村)市区町村 横浜市磯子区
※横浜市磯子区の法人数は 5,569件
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 新杉田町8番地
国内所在地(1行表示)1行表示 神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地
国内所在地(読み仮名)読み仮名 カナガワケンヨコハマシイソゴクシンスギタチョウ
英語表記 Niterra Materials Co., Ltd.
国内所在地(英語表示)英語表示 8, Shinsugita Cho, Isogo ku Yokohama shi, Kanagawa
代表者 代表取締役 白井 隆雄
設立日 2003年10月01日
従業員数 663人
電話番号TEL 045-770-3110
ホームページHP http://www.toshiba-tmat.co.jp/
更新年月日更新日 2025年07月18日
変更年月日変更日 2025年06月02日
法人番号指定年月日指定日 2015年10月05日
※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局 神奈川労働局
〒231-8434 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地横浜第2合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 横浜南労働基準監督署
〒231-0003 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地 横浜第2合同庁舎9階

株式会社Niterra Materialsの場所

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株式会社Niterra Materialsの登録履歴

日付 内容
2025年06月02日
【名称変更】
名称が「株式会社Niterra Materials」に変更されました。
2015年10月05日
【新規登録】
名称が「東芝マテリアル株式会社」で、「神奈川県横浜市磯子区新杉田町8番地」に新規登録されました。

株式会社Niterra Materialsの法人活動情報

株式会社Niterra Materialsの調達情報(11件)

期間
公表組織
活動名称 / 活動対象 / 金額
2020年07月07日
THERMOCOUPLE ASSY
4,394,500円
2020年04月01日
金属酸化物のナノ構造制御による高速充放電材料の研究
9,261,326円
2019年09月12日
THERMOCOUPLE ASSY
7,910,100円
2019年04月01日
半導の捕獲準位に電子を蓄積する固体電池の研究開発
24,348,997円
2019年04月01日
金属酸化物のナノ構造制御による高速充放電材料の研究
9,088,612円
2018年10月25日
航空機部品(部隊整備及び定期修理用)THERMOCOUPLE
7,766,280円
2018年10月15日
金属酸化物のナノ構造制御による高速充放電材料の研究
5,200,000円
2018年08月10日
THERMOCOUPLE ASSY
7,766,280円
2018年04月02日
半導体の捕獲準位に電子を蓄積する固体電池の研究開発
24,989,764円
2018年03月04日
航空機部品(エンジンO/H用)THERMOCOUPLE
32,788,800円
2017年10月16日
半導体の捕獲準位に電子を蓄積する固体電池の研究開発
16,375,017円

株式会社Niterra Materialsの表彰情報(2件)

日付
公表組織
活動名称 / 活動対象
2017年12月04日
女性の活躍推進企業
2017年12月04日
両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

株式会社Niterra Materialsの届出情報(3件)

日付
公表組織
活動名称 / 活動対象
2017年11月29日
支店:東芝マテリアル株式会社 東芝マテリアル株式会社
PRTR届出データ / PRTR - 金属製品製造業(経済産業大臣)
-
代表者:代表取締役 白井 隆雄
全省庁統一資格 / -
-
代表者:代表取締役 青木 克明
全省庁統一資格 / -

株式会社Niterra Materialsの特許情報(147件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2023年03月03日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体およびそれを用いた耐摩耗性部材
FI分類-F16C 33/32, FI分類-C04B 35/587
2022年03月28日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体、耐摩耗性部材、及び窒化珪素焼結体の製造方法
FI分類-F16C 33/32, FI分類-C04B 35/587
2021年11月25日
特許庁 / 特許
蓄冷材、蓄冷材粒子、造粒粒子、蓄冷器、冷凍機、クライオポンプ、超電導磁石、核磁気共鳴イメージング装置、核磁気共鳴装置、磁界印加式単結晶引上げ装置、及び、ヘリウム再凝縮装置
FI分類-C09K 5/14 E, FI分類-F25B 9/00 D
2021年03月08日
特許庁 / 特許
接合体、セラミックス銅回路基板、接合体の製造方法、およびセラミックス銅回路基板の製造方法
FI分類-H05K 3/38 D, FI分類-H05K 1/03 650, FI分類-H05K 1/03 610 E
2021年03月05日
特許庁 / 特許
発光放射線遮蔽体および樹脂状遮蔽部の製造方法
FI分類-G21F 1/06, FI分類-G21F 1/10, FI分類-C09K 11/77, FI分類-C09K 11/79, FI分類-C09K 11/80, FI分類-G21F 3/00 N, FI分類-C09K 11/02 Z, FI分類-C09K 11/08 B
2021年01月27日
特許庁 / 特許
セラミックス基板の輸送用の梱包容器
FI分類-B65D 85/86 400, FI分類-B65D 85/86 ZAB
2020年11月12日
特許庁 / 特許
シンチレータアレイ、シンチレータアレイの製造方法、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 A, FI分類-A61B 6/03 320 S
2020年10月30日
特許庁 / 特許
シンチレータアレイ、シンチレータアレイの製造方法、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G02B 5/08 Z, FI分類-G02B 5/10 C, FI分類-G21K 4/00 A
2020年09月28日
特許庁 / 特許
エレクトロクロミック素子
FI分類-C09K 9/00 A, FI分類-G02F 1/1523
2020年09月18日
特許庁 / 特許
高周波加速空胴用コアおよびそれを用いた高周波加速空胴
FI分類-H05H 7/18, FI分類-H01F 27/25, FI分類-H01F 1/153 108, FI分類-H01F 1/153 133
2020年09月09日
特許庁 / 特許
磁性薄帯およびそれを用いた磁性コア
FI分類-C22C 38/32, FI分類-H01F 27/25, FI分類-C21D 6/00 C, FI分類-H01F 41/02 C, FI分類-H01F 1/153 108, FI分類-H01F 1/153 133, FI分類-B22D 11/06 360 A, FI分類-C22C 38/00 303 V
2020年08月20日
特許庁 / 特許
接合体
FI分類-H05K 3/38 E, FI分類-C04B 37/02 B, FI分類-H01L 23/12 C
2020年08月20日
特許庁 / 特許
回路基板及び半導体装置
FI分類-H05K 3/38 E, FI分類-C04B 37/02 B, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 23/12 Z
2020年08月06日
特許庁 / 特許
放電ランプ用カソード部品および放電ランプ
FI分類-H01J 61/06, FI分類-H01J 61/06 A
2020年03月26日
特許庁 / 特許
酸化タングステン粉末および酸化タングステン粉末の製造方法
FI分類-C01G 41/02
2020年03月18日
特許庁 / 特許
放電ランプ用カソード部品および放電ランプ
FI分類-H01J 61/06 B, FI分類-H01J 61/06 N, FI分類-H01J 61/067 N, FI分類-H01J 61/073 B
2020年02月18日
特許庁 / 特許
放電ランプ用カソード部品、放電ランプ、および放電ランプ用カソード部品の製造方法
FI分類-H01J 9/02 L, FI分類-H01J 61/06 B, FI分類-H01J 61/06 K, FI分類-H01J 61/067 L, FI分類-H01J 61/073 B
2019年12月24日
特許庁 / 特許
ねじ止めパット部材付きセラミックス回路基板及びそれを用いた半導体装置
FI分類-H05K 1/02 D, FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/14 C
2019年12月18日
特許庁 / 特許
半導体固体電池
FI分類-H01L 49/00 Z
2019年12月16日
特許庁 / 特許
窒化アルミニウム配線基板およびその製造方法
FI分類-B22F 9/00 B, FI分類-H05K 1/09 B, FI分類-H05K 3/46 T, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H05K 1/03 610 E
2019年12月16日
特許庁 / 特許
窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板並びに半導体装置
FI分類-C04B 35/587, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/14 C
2019年11月19日
特許庁 / 特許
放電ランプ用カソード部品および放電ランプ
FI分類-H01J 61/06 B, FI分類-H01J 61/06 N
2019年11月19日
特許庁 / 特許
摺動部材、およびそれを用いた軸受、モータ、並びに駆動装置
FI分類-F16C 19/02, FI分類-F16C 33/32, FI分類-H02K 5/173, FI分類-C04B 35/593
2019年11月05日
特許庁 / 特許
セラミックシンチレータアレイ、およびそれを用いた放射線検出器、放射線検査装置
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G21K 4/00 A, FI分類-G21K 4/00 B, FI分類-A61B 6/03 320 S
2019年10月17日
特許庁 / 特許
フォトンカウンティング型放射線検出器およびそれを用いた放射線検査装置
FI分類-G01T 1/24, FI分類-H01L 31/00 A
2019年10月11日
特許庁 / 特許
摩擦攪拌接合用ツール部材およびそれを用いた摩擦攪拌接合方法
FI分類-B23K 20/12 344
2019年09月26日
特許庁 / 特許
蓄冷材、冷凍機、超電導コイル組込装置及び蓄冷材の製造方法
FI分類-C09K 5/14 F, FI分類-F25B 9/00 D, FI分類-H01F 7/20 C
2019年09月24日
特許庁 / 特許
回転陽極X線管用ターゲット、X線管、およびX線検査装置
FI分類-H05G 1/02 P, FI分類-H01J 35/10 B, FI分類-H01J 35/10 F, FI分類-H01J 35/10 H
2019年09月06日
特許庁 / 特許
マグネトロン用セラミックス部品およびその製造方法
FI分類-H01J 23/14, FI分類-C04B 37/02 B
2019年09月04日
特許庁 / 特許
セラミックスからの金属回収方法
FI分類-C01F 7/30, FI分類-C22B 3/06, FI分類-C22B 3/08, FI分類-C22B 3/10, FI分類-C01B 33/18 E, FI分類-C01F 17/00 G, FI分類-C22B 3/44 101 Z
2019年08月27日
特許庁 / 特許
マグネトロン用セラミックス部品
FI分類-H01J 23/14, FI分類-C04B 35/111, FI分類-C04B 41/90 A
2019年08月05日
特許庁 / 特許
窒化珪素基板及び窒化珪素回路基板
FI分類-C04B 35/64, FI分類-C04B 35/587, FI分類-H05K 3/46 H, FI分類-H05K 3/46 T, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H05K 1/03 610 D
2019年07月30日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体、窒化珪素基板、及び窒化珪素回路基板
FI分類-C04B 35/587, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 23/36 M, FI分類-H05K 1/03 610 D
2019年06月21日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体およびそれを用いた耐摩耗性部材
FI分類-F16C 33/32, FI分類-C04B 35/596, FI分類-B23B 27/14 B
2019年05月29日
特許庁 / 特許
3Dプリンタ用金属粉および造形物の製造方法
FI分類-B22F 3/16, FI分類-B22F 3/105, FI分類-B33Y 10/00, FI分類-B33Y 70/00, FI分類-B33Y 80/00, FI分類-B22F 1/00 P, FI分類-B22F 1/00 R
2019年05月15日
特許庁 / 特許
セラミックス銅回路基板およびその製造方法
FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 D
2019年04月17日
特許庁 / 特許
電極層およびそれを用いた蓄電デバイス並びにエレクトロクロミック素子
FI分類-G02F 1/155, FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/26, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/50, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/485
2019年03月18日
特許庁 / 特許
蓄冷材粒子、蓄冷器、冷凍機、超電導磁石、核磁気共鳴イメージング装置、核磁気共鳴装置、クライオポンプ、及び、磁界印加式単結晶引上げ装置
FI分類-H01F 6/04, FI分類-C09K 5/14 F, FI分類-F25B 9/00 D, FI分類-F25B 9/14 520, FI分類-A61B 5/055 360
2019年02月22日
特許庁 / 特許
電極材料、それを用いた電極層並びに蓄電デバイス、及び電極材料の製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01M 4/48, FI分類-C01G 41/02, FI分類-H01G 11/30
2018年09月20日
特許庁 / 特許
セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体装置
FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H05K 3/00 X, FI分類-H05K 3/28 G, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H01L 23/28 Z
2018年09月07日
特許庁 / 特許
活性金属ろう材用エッチング液およびそれを用いたセラミックス回路基板の製造方法
FI分類-C23F 1/30, FI分類-H05K 3/06 M
2018年09月07日
特許庁 / 特許
セラミックス回路基板の製造方法
FI分類-H05K 3/26 F
2018年09月07日
特許庁 / 特許
セラミックス回路基板の製造方法
FI分類-C22C 5/08, FI分類-C23F 1/18, FI分類-C23F 1/30, FI分類-H05K 3/06 A, FI分類-H05K 3/06 M, FI分類-H01L 21/306 Z, FI分類-B23K 35/30 310 B
2018年08月28日
特許庁 / 特許
部品および半導体製造装置
FI分類-C23C 14/00 B, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/302 101 G
2018年08月02日
特許庁 / 特許
スーパーキャパシタ
FI分類-H01G 11/00, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/56, FI分類-H01G 11/68
2018年07月20日
特許庁 / 特許
蛍光板及びX線検査装置
FI分類-C09K 11/84, FI分類-G01N 23/04, FI分類-G01N 23/10, FI分類-G01N 23/083, FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 B, FI分類-C09K 11/00 E
2018年07月06日
特許庁 / 特許
半導体発光素子およびその製造方法
FI分類-H01L 33/12, FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 14/06 A
2018年05月22日
特許庁 / 特許
蓄電ユニットおよび蓄電システム
FI分類-H01M 4/485, FI分類-H02J 7/00 P, FI分類-H01M 10/44 P, FI分類-H01M 10/48 P, FI分類-H02J 7/00 303 C
2018年05月11日
特許庁 / 特許
フォトンカウンティング型放射線検出器およびそれを用いた放射線検査装置
FI分類-G01T 1/24, FI分類-G01N 23/046, FI分類-G01N 23/083, FI分類-G01T 1/161 E, FI分類-H01L 31/00 A, FI分類-H01L 31/10 C, FI分類-A61B 6/03 373, FI分類-A61B 6/00 330 Z, FI分類-A61B 6/03 320 R, FI分類-A61B 6/03 320 Y
2018年04月23日
特許庁 / 特許
ナノ金属化合物粒子およびそれを用いた塗料並びに膜、膜の製造方法、ナノ金属化合物粒子の製造方法
FI分類-C01G 39/02, FI分類-C01G 41/02, FI分類-C01G 55/00, FI分類-C01G 23/04 C
2018年04月17日
特許庁 / 特許
焼結体、基板、回路基板、および焼結体の製造方法
FI分類-C04B 35/587, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 23/36 M, FI分類-H05K 1/03 610 D
2018年03月23日
特許庁 / 特許
セラミックス銅回路基板およびそれを用いた半導体装置
FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H05K 1/02 J, FI分類-H05K 1/09 A, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H05K 1/03 610 E
2018年03月19日
特許庁 / 特許
半導体発光素子
FI分類-H01L 33/10, FI分類-H01L 33/46
2018年03月15日
特許庁 / 特許
セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置
FI分類-H05K 1/02 L, FI分類-H05K 3/28 G, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 23/28 Z, FI分類-H01L 23/36 C
2018年03月15日
特許庁 / 特許
セラミックス金属回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法
FI分類-H01L 23/12 D, FI分類-H01L 23/30 R, FI分類-H01L 25/04 C
2017年12月21日
特許庁 / 特許
半導体固体電池
FI分類-H01L 49/00 Z
2017年12月05日
特許庁 / 特許
シンチレータアレイ、シンチレータアレイを製造する方法、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 B, FI分類-A61B 6/03 320 W
2017年12月01日
特許庁 / 特許
構造体
FI分類-H05B 3/02 B, FI分類-C04B 37/02 Z
2017年09月28日
特許庁 / 特許
半導体固体電池
FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01M 4/38 Z, FI分類-H01M 10/36 Z
2017年09月28日
特許庁 / 特許
磁心
FI分類-H01F 27/25, FI分類-C21D 6/00 C, FI分類-C22C 45/02 A, FI分類-H01F 1/153 108, FI分類-H01F 1/153 133, FI分類-B22D 11/06 360 A, FI分類-C22C 38/00 303 S
2017年08月09日
特許庁 / 特許
蓄電システム、車両、並びに機械設備
FI分類-H01M 4/48, FI分類-H02J 7/00 P, FI分類-H02J 7/34 B, FI分類-B60L 11/18 A, FI分類-H02J 7/00 302 C
2017年08月04日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体製摩擦攪拌接合ツール部材およびそれを用いた摩擦攪拌接合装置
FI分類-C04B 35/584, FI分類-B23K 20/12 344, FI分類-B23K 20/12 364
2017年08月04日
特許庁 / 特許
摩擦攪拌接合用ツール部材およびそれを用いた摩擦攪拌接合装置並びに摩擦攪拌接合方法
FI分類-C04B 35/587, FI分類-B23K 20/12 344
2017年08月04日
特許庁 / 特許
摩擦攪拌接合方法
FI分類-C04B 35/596, FI分類-B23K 20/12 344
2017年08月04日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体製摩擦攪拌接合ツール部材、摩擦攪拌接合装置、およびそれを用いた摩擦攪拌接合方法
FI分類-C04B 35/596, FI分類-B23K 20/12 344
2017年07月28日
特許庁 / 特許
熱電材料、熱電材料の製造方法、熱電変換素子、および熱電変換モジュール
FI分類-B22F 3/105, FI分類-C22C 30/04, FI分類-H01L 35/18, FI分類-H01L 35/34, FI分類-B22F 1/00 M, FI分類-B22F 3/14 A, FI分類-B22F 3/15 G, FI分類-C22C 19/03 M, FI分類-C22C 19/07 M, FI分類-H01L 35/32 A, FI分類-H02N 11/00 A, FI分類-B22F 3/14 101 B
2017年07月27日
特許庁 / 特許
接合体、回路基板、および半導体装置
FI分類-H05K 3/32 C, FI分類-H05K 3/38 E, FI分類-C04B 37/02 B, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H05K 1/03 610 E, FI分類-H05K 3/34 512 C
2017年07月27日
特許庁 / 特許
回路基板および半導体モジュール
FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 25/04 C
2017年07月27日
特許庁 / 特許
回路基板および半導体モジュール
FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 25/04 C
2017年07月27日
特許庁 / 特許
接合体の製造方法および回路基板の製造方法
FI分類-C04B 37/02 B, FI分類-H05K 1/03 610 D
2017年07月14日
特許庁 / 特許
セラミックス回路基板および半導体モジュール
FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 25/04 C
2017年07月14日
特許庁 / 特許
セラミックス回路基板および半導体モジュール
FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 25/04 C
2017年05月16日
特許庁 / 特許
シンチレータアレイ、並びにそれを用いた放射線検出器、並びに放射線検査装置、およびシンチレータアレイの製造方法
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 A, FI分類-C09K 11/08 B, FI分類-C09K 11/64 CPP, FI分類-G01N 23/04 320, FI分類-A61B 6/00 300 Q, FI分類-A61B 6/03 320 S
2017年04月07日
特許庁 / 特許
照明装置
FI分類-F21Y 113:13, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-F21S 2/00 611, FI分類-F21V 7/06 100
2017年04月04日
特許庁 / 特許
シンチレータアレイ
FI分類-G01T 3/06, FI分類-G01T 1/202, FI分類-G01T 1/203, FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G21K 4/00 A
2017年03月28日
特許庁 / 特許
中性子グリッド、中性子グリッド積層体、中性子グリッド装置、および中性子グリッドの製造方法
FI分類-G01T 7/00 B
2017年03月14日
特許庁 / 特許
セラミック回路基板およびそれを用いた半導体装置
FI分類-H05K 1/11 N, FI分類-H01L 23/12 C
2017年03月03日
特許庁 / 特許
窒化アルミニウム膜の製造方法、および高耐圧部品の製造方法
FI分類-C04B 35/581, FI分類-C23C 14/06 A, FI分類-H01L 23/14 C
2017年01月31日
特許庁 / 特許
近視抑制物品用光源および近視抑制物品用光源の使用方法
FI分類-A61F 9/00, FI分類-F21V 9/38, FI分類-H01L 33/50, FI分類-A61N 5/06 B, FI分類-F21W 131:20, FI分類-F21Y 113:13, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-F21S 2/00 311, FI分類-F21V 9/08 200
2017年01月31日
特許庁 / 特許
蛍光体とその製造方法
FI分類-C09K 11/84, FI分類-C09K 11/08 B
2016年12月21日
特許庁 / 特許
セラミックシンチレータアレイ、X線検出器、およびX線検査装置
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 A
2016年12月16日
特許庁 / 特許
流路部材および半導体モジュール
FI分類-H01L 23/36 D, FI分類-H01L 23/46 Z
2016年11月10日
特許庁 / 特許
セラミックシンチレータアレイとその製造方法、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G21K 4/00 A, FI分類-A61B 6/00 300 Q
2016年11月02日
特許庁 / 特許
シンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-C04B 35/50, FI分類-C09K 11/84, FI分類-G01T 1/202, FI分類-C04B 35/547, FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G21K 4/00 A, FI分類-C09K 11/00 E
2016年09月16日
特許庁 / 特許
中性子検出用シンチレータアレイおよび中性子の検出方法
FI分類-G01T 3/06, FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 L, FI分類-G21K 4/00 A
2016年08月31日
特許庁 / 特許
光触媒性能のシミュレーション方法
FI分類-G06F 17/50 612 A, FI分類-G06F 17/50 680 B
2016年08月01日
特許庁 / 特許
回路基板および半導体装置
FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H05K 1/03 610 D, FI分類-H05K 1/03 610 E
2016年08月01日
特許庁 / 特許
回路基板および半導体装置
FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H05K 1/03 610 D, FI分類-H05K 1/03 610 E
2016年07月27日
特許庁 / 特許
窒化珪素回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
FI分類-H05K 1/02 E, FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 25/04 C
2016年07月27日
特許庁 / 特許
半導体モジュールの製造方法
FI分類-H05K 1/02 E, FI分類-H05K 1/02 F, FI分類-H01L 23/12 D, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H05K 1/03 610 C
2016年07月27日
特許庁 / 特許
半導体モジュールの製造方法
FI分類-H05K 1/02 E, FI分類-H01L 23/12 D, FI分類-H01L 23/12 J
2016年07月21日
特許庁 / 特許
蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置
FI分類-C09K 11/57, FI分類-C09K 11/59, FI分類-H01L 33/50, FI分類-C09K 11/08 A, FI分類-C09K 11/61 CPF
2016年07月08日
特許庁 / 特許
軽量タングステン合金、工具及び摩擦攪拌接合装置
FI分類-C22C 30/00, FI分類-B22F 1/00 P, FI分類-B22F 1/00 R, FI分類-C22C 1/04 D, FI分類-C22C 27/04 101
2016年06月01日
特許庁 / 特許
セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置
FI分類-H05K 1/09 C, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H05K 1/03 610 E
2016年04月20日
特許庁 / 特許
熱電対装置
FI分類-G01K 1/12, FI分類-G01K 1/08 P
2016年03月28日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体およびそれを用いた高温耐久性部材
FI分類-F16C 33/32, FI分類-F16C 33/34, FI分類-C04B 35/587, FI分類-F16C 13/00 A
2016年02月16日
特許庁 / 特許
半導体製造装置用部品およびそれを用いた半導体製造装置
FI分類-C23C 24/04, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/302 101 G
2016年02月04日
特許庁 / 特許
圧粉磁心とその製造方法、およびそれを用いた磁性部品
FI分類-H01F 1/24, FI分類-B22F 1/00 Y, FI分類-B22F 1/02 E, FI分類-B22F 3/00 B, FI分類-B22F 3/02 P, FI分類-H01F 27/24 D, FI分類-H01F 41/02 D, FI分類-H01F 1/147 183, FI分類-C22C 38/00 303 S
2016年01月26日
特許庁 / 特許
窒化珪素回路基板およびそれを用いた電子部品モジュール
FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H01L 23/30 R, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H01L 23/36 Z
2016年01月19日
特許庁 / 特許
高熱伝導性窒化珪素焼結体、それを用いた窒化珪素基板および窒化珪素回路基板並びに半導体装置
FI分類-C04B 35/587, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H05K 1/03 610 D
2015年11月11日
特許庁 / 特許
軟磁性金属膜および磁性部品
FI分類-H01F 10/14, FI分類-H01F 10/16, FI分類-C22C 19/00 H, FI分類-C23C 14/14 F, FI分類-C22C 38/00 303 S
2015年10月15日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体およびそれを用いた耐磨耗性部材
FI分類-F16C 33/32, FI分類-B23B 27/14 B, FI分類-C04B 35/58 102 F, FI分類-C04B 35/58 102 G, FI分類-C04B 35/58 102 L
2015年09月29日
特許庁 / 特許
スパッタリングターゲット構造体およびスパッタリングターゲット構造体の製造方法
FI分類-C23C 4/08, FI分類-C23C 4/129, FI分類-C23C 4/131, FI分類-C23C 4/134, FI分類-C23C 14/34 C
2015年09月29日
特許庁 / 特許
膜の形成方法および電子部品の製造方法
FI分類-C23C 14/00 B, FI分類-C23C 14/34 B, FI分類-H01L 21/285 S
2015年09月24日
特許庁 / 特許
シンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-C04B 35/50, FI分類-C04B 35/547, FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 B, FI分類-C09K 11/00 E, FI分類-C09K 11/84 CQG, FI分類-A61B 6/03 320 S
2015年09月24日
特許庁 / 特許
シンチレータ、シンチレータアレイ、放射線検出器、および放射線検査装置
FI分類-C09K 11/84, FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 B, FI分類-C09K 11/00 E
2015年09月04日
特許庁 / 特許
希土類蓄冷材粒子、それを用いた冷凍機、超電導磁石、検査装置およびクライオポンプ
FI分類-C09K 5/14 F, FI分類-F25B 9/00 D, FI分類-F25B 9/14 530 Z
2015年09月04日
特許庁 / 特許
希土類蓄冷材粒子、それを用いた冷凍機、超電導磁石、検査装置およびクライオポンプ
FI分類-C09K 5/02, FI分類-C04B 35/50
2015年09月04日
特許庁 / 特許
希土類蓄冷材粒子、それを用いた冷凍機、超電導磁石、検査装置およびクライオポンプ
FI分類-C09K 5/02, FI分類-C04B 35/50, FI分類-C04B 35/443, FI分類-C04B 35/547, FI分類-F25B 9/00 D, FI分類-F25B 9/00 311, FI分類-F25B 9/14 530 Z
2015年09月04日
特許庁 / 特許
極低温用冷凍機、超電導磁石、MRI装置、NMR装置およびクライオポンプ
FI分類-C04B 35/44, FI分類-C04B 35/50, FI分類-C09K 5/14 F, FI分類-F25B 9/00 D, FI分類-F25B 9/14 Z, FI分類-F25B 9/00 311, FI分類-F25B 9/14 530 Z, FI分類-C04B 38/00 303 Z
2015年08月28日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体製摩擦攪拌接合ツール部材およびそれを用いた摩擦攪拌接合装置
FI分類-C04B 35/587, FI分類-B23K 20/12 344
2015年08月28日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体製摩擦攪拌接合ツール部材、摩擦攪拌接合装置、および、摩擦攪拌接合方法
FI分類-C04B 35/596, FI分類-B23K 20/12 344
2015年08月27日
特許庁 / 特許
電極材料およびそれを用いた電極層、電池並びにエレクトロクロミック素子
FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01M 4/58, FI分類-G02F 1/155, FI分類-H01G 11/02, FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/136, FI分類-H01M 4/485
2015年08月24日
特許庁 / 特許
太陽光発電モジュール
FI分類-H01L 31/04 240, FI分類-H01L 31/06 300
2015年07月29日
特許庁 / 特許
X線管用回転陽極ターゲットの製造方法、X線管の製造方法、およびX線検査装置の製造方法
FI分類-H01J 35/10 A, FI分類-H01J 35/10 B, FI分類-H01J 35/10 C, FI分類-H01J 35/10 D, FI分類-H01J 35/10 F, FI分類-H01J 35/10 M, FI分類-H01J 35/10 Z
2015年07月06日
特許庁 / 特許
スパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットの製造方法
FI分類-C23C 4/18, FI分類-C23C 14/34 B, FI分類-C23C 14/34 C
2015年06月24日
特許庁 / 特許
医療施設照明用白色光源システム
FI分類-F21V 9/02, FI分類-F21W 131:20, FI分類-F21Y 101:02, FI分類-F21S 2/00 610, FI分類-F21V 9/16 100, FI分類-H01L 33/00 410
2015年06月22日
特許庁 / 特許
窒化珪素焼結体およびそれを用いた耐摩耗性部材
FI分類-F16C 33/32, FI分類-B23B 27/14 B, FI分類-C04B 35/58 102 H
2015年03月30日
特許庁 / 特許
再生スパッタリングターゲットの製造方法および再生スパッタリング
FI分類-C23C 14/34 A
2015年03月30日
特許庁 / 特許
スパッタリングターゲットの製造方法
FI分類-C23C 14/14 D, FI分類-C23C 14/34 A
2015年02月25日
特許庁 / 特許
熱電素子及びそれを用いた熱電モジュール並びに熱電素子の製造方法
FI分類-H01L 35/14, FI分類-H01L 35/34, FI分類-H01L 35/32 A, FI分類-H02N 11/00 A
2015年02月12日
特許庁 / 特許
蛍光体、およびその製造方法、ならびにその蛍光体を用いた発光装置
FI分類-C09K 11/67, FI分類-C09K 11/08 J, FI分類-C09K 11/59 CPR, FI分類-C09K 11/61 CPF, FI分類-C09K 11/62 CQG, FI分類-C09K 11/64 CQD, FI分類-C09K 11/79 CQE, FI分類-C09K 11/80 CPP, FI分類-H01L 33/00 410
2015年02月06日
特許庁 / 特許
スパッタリングターゲットの製造方法
FI分類-C22F 1/18 H, FI分類-C22C 14/00 Z, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-C22F 1/00 604, FI分類-C22F 1/00 613, FI分類-C22F 1/00 623, FI分類-C22F 1/00 624, FI分類-C22F 1/00 681, FI分類-C22F 1/00 682, FI分類-C22F 1/00 685 A, FI分類-C22F 1/00 685 Z, FI分類-C22F 1/00 686 A, FI分類-C22F 1/00 691 B, FI分類-C22F 1/00 694 A, FI分類-C22F 1/00 694 B
2015年02月06日
特許庁 / 特許
チタンスパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法
FI分類-C22F 1/18 H, FI分類-C22C 14/00 Z, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-C22F 1/00 604, FI分類-C22F 1/00 606, FI分類-C22F 1/00 613, FI分類-C22F 1/00 682, FI分類-C22F 1/00 685 A, FI分類-C22F 1/00 685 Z, FI分類-C22F 1/00 691 B, FI分類-C22F 1/00 694 A, FI分類-C22F 1/00 694 B, FI分類-C22F 1/00 694 Z
2014年11月28日
特許庁 / 特許
永久磁石、モータ、および発電機
FI分類-C22C 30/02, FI分類-B22F 3/00 F, FI分類-B22F 3/24 C, FI分類-H01F 1/04 B, FI分類-H01F 1/08 B, FI分類-C22C 19/07 E
2014年11月26日
特許庁 / 特許
プラズマ装置用部品およびその製造方法
FI分類-C23C 24/04, FI分類-C04B 41/87 J, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年11月26日
特許庁 / 特許
プラズマ装置用部品及びその製造方法
FI分類-C23C 24/04, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年10月28日
特許庁 / 特許
スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法
FI分類-B21J 1/02 Z, FI分類-B21J 5/00 D, FI分類-B21J 5/00 K, FI分類-C22F 1/18 F, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-C22F 1/00 604, FI分類-C22F 1/00 613, FI分類-C22F 1/00 623, FI分類-C22F 1/00 624, FI分類-C22F 1/00 681, FI分類-C22F 1/00 661 Z, FI分類-C22F 1/00 685 Z, FI分類-C22F 1/00 691 B, FI分類-C22F 1/00 691 C, FI分類-C22F 1/00 691 Z, FI分類-C22F 1/00 694 A, FI分類-C22F 1/00 694 Z
2014年10月28日
特許庁 / 特許
スパッタリングターゲットおよび半導体素子の製造方法
FI分類-C22F 1/18 F, FI分類-C23C 14/06 A, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-C22F 1/00 604, FI分類-C22F 1/00 606, FI分類-C22F 1/00 613, FI分類-H01L 21/285 S, FI分類-C22F 1/00 630 C, FI分類-C22F 1/00 685 Z, FI分類-C22F 1/00 691 B, FI分類-C22F 1/00 691 C, FI分類-C22F 1/00 691 Z, FI分類-C22F 1/00 694 A
2014年10月21日
特許庁 / 特許
窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H05K 1/03 610 D, FI分類-C04B 35/58 102 C, FI分類-C04B 35/58 102 K
2014年10月21日
特許庁 / 特許
窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
FI分類-C04B 35/587, FI分類-H05K 1/03 610 D
2014年10月21日
特許庁 / 特許
圧接構造用窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板
FI分類-C04B 35/593 500, FI分類-H05K 1/03 610 D
2014年10月21日
特許庁 / 特許
窒化珪素基板の製造方法
FI分類-C04B 35/587, FI分類-H05K 1/03 610 D
2014年10月15日
特許庁 / 特許
照明装置
FI分類-F21K 9/232, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-F21V 3/02 300, FI分類-F21V 3/02 600
2014年09月30日
特許庁 / 特許
光学素子および照明装置
FI分類-F21K 9/61, FI分類-F21K 9/232, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-F21V 8/00 310
2014年09月30日
特許庁 / 特許
光学素子および照明装置
FI分類-F21K 9/61, FI分類-F21K 9/232, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-F21V 8/00 310
2014年09月16日
特許庁 / 特許
電極材料およびそれを用いた電極層、電池並びにエレクトロクロミック素子
FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01M 4/58, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/133, FI分類-H01M 4/136, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 4/587
2014年08月11日
特許庁 / 特許
照明装置および広配光レンズ
FI分類-G02B 13/00, FI分類-G02B 13/18, FI分類-F21Y 101:02, FI分類-G02B 17/08 Z, FI分類-F21S 2/00 216, FI分類-F21V 5/00 510, FI分類-F21V 17/00 200, FI分類-F21V 17/12 300, FI分類-H01L 33/00 430
2014年08月05日
特許庁 / 特許
回路基板および半導体装置
FI分類-H05K 1/02 J, FI分類-H05K 3/20 Z, FI分類-C04B 37/02 B, FI分類-H01L 23/12 C, FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/36 C
2014年06月11日
特許庁 / 特許
窒化珪素製耐摩耗性部材および窒化珪素焼結体の製造方法
FI分類-F16C 33/32, FI分類-F16C 33/34, FI分類-C04B 35/58 102 K
2014年04月18日
特許庁 / 特許
自然エネルギー発電システム
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/08, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H02S 40/38, FI分類-H01M 4/02 Z, FI分類-H02J 7/35 J, FI分類-H01M 10/44 P, FI分類-H01G 9/00 531, FI分類-H01G 9/20 315
2014年04月17日
特許庁 / 特許
太陽光発電モジュール
FI分類-H01L 31/04 320, FI分類-H01L 31/04 610, FI分類-H01L 31/06 300
2014年03月31日
特許庁 / 特許
シンチレータアレイ、X線検出器、およびX線検査装置
FI分類-G01T 1/20 B, FI分類-G01T 1/20 D, FI分類-G01T 1/20 E, FI分類-G01T 1/20 G, FI分類-G21K 4/00 A
2014年03月11日
特許庁 / 特許
光触媒体とそれを用いた光触媒分散液、光触媒塗料、光触媒膜および製品
FI分類-B01J 23/30 M, FI分類-B01J 35/02 J, FI分類-B01J 23/652 M, FI分類-B01J 37/02 301 C
2014年03月11日
特許庁 / 特許
光触媒部材
FI分類-C09D 1/00, FI分類-C09D 5/16, FI分類-C09D 7/61, FI分類-A61L 9/00 C, FI分類-A61L 9/01 B, FI分類-C09D 201/00, FI分類-B01J 23/30 M, FI分類-B01J 35/02 J, FI分類-B01J 37/02 301 M
2014年03月11日
特許庁 / 特許
内装材の製造方法
FI分類-A61L 9/00 C, FI分類-B01J 23/30 M, FI分類-B01J 35/02 J, FI分類-B01J 23/652 M
2014年03月10日
特許庁 / 特許
電池用電極材料およびそれを用いた電池用基板、蓄電池、色素増感太陽電池、キャパシタ、Liイオン二次電池
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/22, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 4/36 A, FI分類-H01M 4/36 C, FI分類-H01G 9/20 111 A, FI分類-H01G 9/20 111 B

株式会社Niterra Materialsの商標情報(5件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2014年08月08日
特許庁 / 商標
RENECAT\COATING
01類, 02類, 03類, 05類, 06類, 35類, 37類, 40類
2014年05月15日
特許庁 / 商標
ルネキャット
03類, 05類
2014年05月15日
特許庁 / 商標
RENECAT
03類, 05類
2014年05月15日
特許庁 / 商標
ルネキャット
07類, 09類, 11類, 12類, 16類, 19類, 20類, 24類, 27類
2014年05月15日
特許庁 / 商標
RENECAT
07類, 09類, 11類, 12類, 16類, 19類, 20類, 24類, 27類

株式会社Niterra Materialsの職場情報

項目 データ
事業概要
ファインセラミック、蛍光材料応用製品、高純度金属、磁性材料部品、タングステン・モリブデン、特殊金属材料などの部品・材料の開発、製造、販売
企業規模
663人
男性 597人 / 女性 66人
平均勤続年数
範囲 その他
男性 30.0年 / 女性 32.8年
女性労働者の割合
範囲 その他
23.5%

株式会社Niterra Materialsの閲覧回数

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