キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

キヤノンアネルバ株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	キヤノンアネルバ株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	キヤノンアネルバ
法人番号	2020001079798
会社法人等番号	0200-01-079798
登記所	横浜地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T2020001079798 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒215-0033 ※地方自治体コードは 14137
国内所在地（都道府県）都道府県	神奈川県 ※神奈川県の法人数は 365,693件
国内所在地（市区町村）市区町村	川崎市麻生区 ※川崎市麻生区の法人数は 5,292件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	栗木2丁目5番1号
国内所在地（1行表示）1行表示	神奈川県川崎市麻生区栗木2丁目5番1号
国内所在地（読み仮名）読み仮名	カナガワケンカワサキシアサオククリギ2チョウメ
代表者	代表取締役 中島 卓実
設立日	1950年10月04日
従業員数	1,054人
電話番号TEL	044-980-5111
FAX番号FAX	044-986-4014
ホームページHP	https://anelva.canon/
更新年月日更新日	2021年04月02日
変更年月日変更日	2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	神奈川労働局 〒231-8434 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地横浜第2合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	川崎北労働基準監督署 〒213-0001 神奈川県川崎市高津区溝口1-21-9

キヤノンアネルバ株式会社の場所

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キヤノンアネルバ株式会社の登録履歴

日付	内容
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「キヤノンアネルバ株式会社」で、「神奈川県川崎市麻生区栗木2丁目5番1号」に新規登録されました。

キヤノンアネルバ株式会社の法人活動情報

キヤノンアネルバ株式会社の調達情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2021年11月16日 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構	省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業半導体製造装置の高度化に向けた開発次世代不揮発性メモリ向け成膜装置の開発 436,582,300円

キヤノンアネルバ株式会社の補助金情報(3件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2011年01月01日 経済産業省	地域イノベーション・基盤高度化促進委託費 本研究では、フラットパネル・半導体産業でキーとなっているスパッタ・CVDなどのプロセスにおいて高度な真空制御を行うための全く新しい原理による高信頼・高精度の全圧/分圧真空計を開発することを目的としている。 22,497,300円
2010年01月01日 経済産業省	地域イノベーション・基盤高度化促進委託費 本研究では、フラットパネル・半導体産業でキーとなっているスパッタ・CVDなどのプロセスにおいて高度な真空制御を行うための新原理ラムダ方式の真空計を開発する。 29,997,450円
2009年01月01日 経済産業省	地域イノベーション・基盤技術高度化促進委託費 本研究では、フラットパネル・半導体産業でキーとなっているスパッタ・CVDなどのプロセスにおいて高度な真空制御を行うための新原理ラムダ方式の真空計を開発する。 -

キヤノンアネルバ株式会社の表彰情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年12月04日 厚生労働省	女性の活躍推進企業

キヤノンアネルバ株式会社の届出情報(2件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年11月29日 経済産業省	支店:キヤノンアネルバ株式会社 富士事業所 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
- デジタル庁	代表者:代表取締役 中島 卓実 全省庁統一資格 / -

キヤノンアネルバ株式会社の特許情報(104件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2023年03月17日 特許庁 / 特許	X線発生装置、X線撮像装置、および、X線発生装置の調整方法 FI分類-H05G 1/28, FI分類-H01J 35/14, FI分類-H01J 35/26, FI分類-H01J 35/30, FI分類-H05G 1/02 Z, FI分類-H01J 35/06 H, FI分類-H01J 35/08 F, FI分類-H01J 35/10 Z
2023年03月10日 特許庁 / 特許	X線発生装置、X線撮像装置およびモールド変圧器 FI分類-H05G 1/06, FI分類-H05G 1/02 P, FI分類-H05G 1/08 T, FI分類-H01F 27/24 P
2022年09月15日 特許庁 / 特許	X線発生装置、X線撮像装置、および、X線発生装置の調整方法 FI分類-H01J 35/30
2022年03月31日 特許庁 / 特許	電気部品、X線発生装置およびX線撮像装置 FI分類-H05G 1/06, FI分類-H05K 5/04, FI分類-H05G 1/02 Z
2022年03月31日 特許庁 / 特許	X線発生装置およびX線撮像装置 FI分類-H05G 1/06, FI分類-H01J 35/16, FI分類-H05G 1/02 S, FI分類-H01J 35/00 A
2022年03月31日 特許庁 / 特許	X線発生装置、ターゲットの調整方法、および、X線発生装置の使用方法 FI分類-H01J 35/14, FI分類-H01J 35/30, FI分類-H01J 35/08 C
2022年03月03日 特許庁 / 特許	真空処理装置 FI分類-B01J 3/03 Z, FI分類-F16C 11/04 F, FI分類-F16J 15/10 T
2022年02月07日 特許庁 / 特許	化学結合法及びパッケージ型電子部品,並びに電子デバイスのハイブリッド接合法 FI分類-H01L 21/02 B
2021年09月02日 特許庁 / 特許	真空処理装置 FI分類-C23C 14/50 K, FI分類-H01L 21/68 A
2021年09月02日 特許庁 / 特許	真空処理装置 FI分類-C23C 14/50 E, FI分類-C23C 14/50 K, FI分類-H01L 21/68 A
2021年09月02日 特許庁 / 特許	真空処理装置 FI分類-C23C 14/50 D, FI分類-C23C 14/50 K, FI分類-H01L 21/68 A
2021年08月31日 特許庁 / 特許	スパッタ装置および膜形成方法 FI分類-C23C 14/34 C
2021年07月08日 特許庁 / 特許	イオンガン及び真空処理装置 FI分類-H05H 1/50, FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08
2021年06月29日 特許庁 / 特許	積層構造体の製造方法 FI分類-H01G 4/30 540, FI分類-H01G 4/33 102, FI分類-H01L 27/11507
2021年05月18日 特許庁 / 特許	積層体及び積層体の製造方法 FI分類-H05K 3/18 J, FI分類-H01L 23/12 N
2020年11月11日 特許庁 / 特許	成膜装置、成膜装置の制御装置及び成膜方法 FI分類-C23C 14/34
2020年09月01日 特許庁 / 特許	ロードロック装置 FI分類-H01L 21/68 A
2020年09月01日 特許庁 / 特許	ロードロック装置 FI分類-H01L 21/31 A, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/302 101 G
2020年09月01日 特許庁 / 特許	ロードロック装置 FI分類-H01L 21/68 A
2020年09月01日 特許庁 / 特許	ロードロック装置 FI分類-H01L 21/68 A
2020年09月01日 特許庁 / 特許	ロードロック装置の使用方法 FI分類-H01L 21/68 A
2020年09月01日 特許庁 / 特許	基板を搬送する方法 FI分類-H01L 21/68 A
2020年07月22日 特許庁 / 特許	イオンガン及び真空処理装置 FI分類-H05H 1/24, FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08
2020年06月04日 特許庁 / 特許	化学結合法及び接合構造体 FI分類-B23K 20/00 310 L
2020年06月01日 特許庁 / 特許	原子拡散接合法及び接合構造体 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-B23K 20/00 350, FI分類-B23K 20/00 310 A
2019年09月19日 特許庁 / 特許	電子発生装置および電離真空計 FI分類-G01L 21/32
2019年09月13日 特許庁 / 特許	電離真空計およびカートリッジ FI分類-G01L 21/34
2019年09月13日 特許庁 / 特許	電離真空計およびカートリッジ FI分類-G01L 21/34
2019年09月03日 特許庁 / 特許	X線発生装置およびX線撮像装置 FI分類-H05G 1/06, FI分類-H01J 35/16, FI分類-H05G 1/02 S, FI分類-H01J 35/00 Z, FI分類-H01J 35/06 Z, FI分類-H01J 35/08 F
2019年09月03日 特許庁 / 特許	X線発生装置およびX線撮影装置 FI分類-H05G 1/04, FI分類-H01J 35/16, FI分類-H01J 35/00 Z
2019年06月24日 特許庁 / 特許	X線発生管、X線発生装置およびX線撮像装置 FI分類-H01J 35/14, FI分類-H01J 35/06 H
2019年04月15日 特許庁 / 特許	X線発生装置およびX線撮影装置 FI分類-H05G 1/06, FI分類-H01J 35/16, FI分類-H05G 1/02 S
2019年01月31日 特許庁 / 特許	基板処理装置および基板処理方法 FI分類-C23C 14/34 T, FI分類-C23C 14/54 A
2018年12月28日 特許庁 / 特許	X線発生管、X線発生装置およびX線撮像装置 FI分類-H01J 35/16
2018年12月28日 特許庁 / 特許	電子銃、X線発生装置およびX線撮像装置 FI分類-H01J 1/46, FI分類-H01J 29/62, FI分類-H01J 35/04, FI分類-H01J 35/14, FI分類-H01J 37/06 Z
2018年12月21日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、プログラムおよびメモリ媒体 FI分類-H03H 7/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 T, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年10月22日 特許庁 / 特許	X線発生装置及びX線撮影システム FI分類-H01J 35/14, FI分類-H01J 35/30, FI分類-H05G 1/00 E, FI分類-H05G 1/52 B, FI分類-H01J 35/00 Z, FI分類-H01J 35/08 F
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H03H 7/42, FI分類-H03H 7/38 Z, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/54 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-C23C 14/54 B, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H03H 7/42, FI分類-H03H 7/38 Z, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 T
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 16/505, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/31 D, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 A, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 C, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 J, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-B01J 19/08 E, FI分類-C23C 14/34 T, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 16/509, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-B01J 19/08 H, FI分類-C23C 14/34 C, FI分類-C23C 14/34 T, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 101 B, FI分類-H01L 21/302 101 G
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置および方法 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-B01J 19/08 E, FI分類-H01L 21/302 101 B, FI分類-H01L 21/302 101 G
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置および方法 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-B01J 19/08 H, FI分類-H01L 21/31 D, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置および方法 FI分類-C23C 16/509, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-B01J 19/08 H, FI分類-C23C 14/34 T, FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年06月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置および方法 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 S, FI分類-H01L 21/31 D, FI分類-H01L 21/302 101 B
2017年12月27日 特許庁 / 特許	成膜方法および成膜装置 FI分類-C23C 14/24 F, FI分類-C23C 14/32 A
2017年11月13日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 FI分類-H05H 1/48, FI分類-H05H 1/46 A, FI分類-C23C 14/24 F
2017年11月06日 特許庁 / 特許	構造体およびその製造方法 FI分類-B82Y 30/00, FI分類-B82Y 40/00, FI分類-B22F 1/00 R, FI分類-B22F 3/00 A, FI分類-B22F 7/04 A, FI分類-C23C 14/06 L, FI分類-C23C 14/34 S
2017年11月06日 特許庁 / 特許	熱発生方法および装置 FI分類-C09K 5/16, FI分類-B22F 1/02 D, FI分類-C23C 14/34 S
2017年06月27日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-C23C 14/54 B, FI分類-H01L 21/203 S, FI分類-H01L 21/302 101 B
2017年06月27日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 C, FI分類-H01L 21/302 101 B
2017年06月27日 特許庁 / 特許	スパッタリング装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R
2017年06月27日 特許庁 / 特許	エッチング装置 FI分類-H05H 1/46 A, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-C23C 14/34 T, FI分類-H01L 21/302 101 B
2017年03月13日 特許庁 / 特許	冷陰極電離真空計及び冷陰極電離真空計用カートリッジ FI分類-G01L 21/34
2016年11月17日 特許庁 / 特許	X線発生装置及びX線撮影システム FI分類-H05G 1/06, FI分類-H05G 1/08 K
2016年10月31日 特許庁 / 特許	X線発生装置及びX線撮影システム FI分類-H05G 1/06, FI分類-H05G 1/08 K, FI分類-H05G 1/54 G
2016年09月16日 特許庁 / 特許	加熱装置、基板加熱装置および半導体デバイスの製造方法 FI分類-H05B 7/144, FI分類-H01L 21/324 G
2016年02月01日 特許庁 / 特許	磁気抵抗効果素子の製造方法 FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/105 447
2016年01月14日 特許庁 / 特許	磁気抵抗効果素子 FI分類-H01F 10/32, FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 43/08 M, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/10 447
2016年01月07日 特許庁 / 特許	成膜装置 FI分類-H05H 1/48, FI分類-C23C 14/00 B, FI分類-C23C 14/32 Z
2015年12月16日 特許庁 / 特許	真空アーク成膜装置および成膜方法 FI分類-G11B 5/84 B, FI分類-C23C 14/00 B, FI分類-C23C 14/06 F, FI分類-C23C 14/24 F, FI分類-C23C 14/32 B
2015年11月25日 特許庁 / 特許	グリッド及びその製造方法並びにイオンビーム処理装置 FI分類-H01J 27/16, FI分類-H01J 37/08
2015年10月21日 特許庁 / 特許	磁気抵抗素子の製造方法 FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 21/316 C, FI分類-H01L 27/10 447
2015年10月02日 特許庁 / 特許	イオンビームエッチング方法およびイオンビームエッチング装置 FI分類-G11B 5/39, FI分類-H01L 21/302 201 B
2015年07月31日 特許庁 / 特許	スパッタ装置および成膜装置 FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-H01L 21/203 S
2015年07月09日 特許庁 / 特許	成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置 FI分類-H01L 33/28, FI分類-H01L 33/32, FI分類-H01L 21/203, FI分類-H01L 21/363, FI分類-C23C 14/34 U, FI分類-C23C 14/54 C
2015年06月22日 特許庁 / 特許	成膜装置 FI分類-C23C 14/06 M, FI分類-C23C 14/56 G, FI分類-C23C 16/44 F
2015年06月01日 特許庁 / 特許	イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 B, FI分類-H01L 21/302 201 B
2015年03月24日 特許庁 / 特許	半導体基板の熱処理方法、半導体基板の製造方法、熱処理装置、及び基板処理システム FI分類-H01L 21/324, FI分類-H01L 21/265 601 A, FI分類-H01L 21/265 602 A
2015年03月24日 特許庁 / 特許	半導体基板の凹部の角部を丸める方法及び装置 FI分類-H01L 21/324 R, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 658 Z
2015年03月24日 特許庁 / 特許	半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置 FI分類-H01L 21/324 R, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 658 G
2015年03月17日 特許庁 / 特許	磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システム FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/10 447
2015年03月17日 特許庁 / 特許	窒化物半導体層の成膜方法及び半導体装置の製造方法 FI分類-C30B 25/06, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 14/06 A, FI分類-C23C 14/34 R, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/203 S
2015年03月12日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-C23C 14/34 J, FI分類-H01L 21/68 A
2015年02月13日 特許庁 / 特許	質量分析装置 FI分類-H01J 49/26, FI分類-G01N 27/62 B
2015年02月02日 特許庁 / 特許	垂直磁化型MTJ素子の製造方法 FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 21/66 W, FI分類-H01L 29/82 Z, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/10 447
2015年01月09日 特許庁 / 特許	金属膜および金属膜の成膜方法 FI分類-C23C 14/14 D, FI分類-C23C 14/34 N, FI分類-B41J 2/14 209, FI分類-B41J 2/14 613, FI分類-B41J 2/16 101, FI分類-B41J 2/16 517, FI分類-H01L 21/285 S, FI分類-H01L 21/28 301 R
2014年11月21日 特許庁 / 特許	真空処理装置及び真空処理方法 FI分類-G11B 5/84 B, FI分類-C23C 14/06 F, FI分類-C23C 14/56 G, FI分類-C23C 14/58 C
2014年11月14日 特許庁 / 特許	トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング装置 FI分類-C23C 14/40, FI分類-H01L 43/12, FI分類-C23C 14/34 C, FI分類-C23C 14/34 J, FI分類-H01L 21/31 D, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 21/316 Y, FI分類-H01L 27/10 447
2014年11月14日 特許庁 / 特許	成膜装置 FI分類-G11B 5/84 B, FI分類-C23C 14/24 F, FI分類-C23C 14/32 A
2014年11月12日 特許庁 / 特許	磁気抵抗効果素子の製造方法 FI分類-H01F 41/18, FI分類-H01L 43/12, FI分類-C23C 14/02 B, FI分類-C23C 14/06 N, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/10 447
2014年11月06日 特許庁 / 特許	成膜装置 FI分類-C23C 14/24 F
2014年10月21日 特許庁 / 特許	基板処理装置および方法 FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/302 102, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年08月27日 特許庁 / 特許	基板加工方法及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/90 B, FI分類-H01L 21/90 D, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 29/78 301 P, FI分類-H01L 21/302 101 Z, FI分類-H01L 21/302 201 B
2014年05月26日 特許庁 / 特許	真空処理装置、真空処理方法、磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗効果素子の製造装置 FI分類-G11B 5/39, FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 21/31 E, FI分類-H01L 21/316 S
2014年04月18日 特許庁 / 特許	磁気抵抗効果素子の製造方法 FI分類-H01L 43/12, FI分類-H01L 43/08 H, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/10 447, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 104 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2014年04月18日 特許庁 / 特許	磁気抵抗効果素子の製造システム FI分類-H01L 43/12, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 43/08 Z, FI分類-H01L 27/10 447, FI分類-H01L 21/302 105 A
2014年04月09日 特許庁 / 特許	エッチング装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H01L 21/68 U, FI分類-H01L 21/302 101 B
2014年03月31日 特許庁 / 特許	スパッタリング装置 FI分類-C23C 14/35 B, FI分類-C23C 14/35 C
2014年03月28日 特許庁 / 特許	酸化物薄膜の形成方法 FI分類-C23C 14/08 F, FI分類-C23C 14/34 R, FI分類-H01L 21/316 Y
2014年03月04日 特許庁 / 特許	真空処理装置 FI分類-C23C 16/46, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 14/50 E, FI分類-C23C 14/50 K, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N
2014年02月26日 特許庁 / 特許	成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 FI分類-C23C 14/34 N, FI分類-C30B 23/08 P, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/203 S, FI分類-H01L 33/00 140
2014年02月17日 特許庁 / 特許	処理装置 FI分類-G11B 5/851, FI分類-C23C 14/00 B
2014年02月07日 特許庁 / 特許	成膜装置 FI分類-G11B 5/84 B, FI分類-C23C 14/24 F

キヤノンアネルバ株式会社の職場情報

項目	データ
事業概要	真空成膜加工装置、真空コンポーネント製品の 製造・販売・保守サービス
企業規模	1,054人
女性労働者の割合 範囲 その他	38.7%
管理職全体人数	149人 男性 146人 / 女性 3人
役員全体人数	6人

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