SPPテクノロジーズ株式会社

SPPテクノロジーズ株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

SPPテクノロジーズ株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	SPPテクノロジーズ株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	エスピーピーテクノロジーズ
法人番号	3010001142853
会社法人等番号	0100-01-142853
登記所	東京法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T3010001142853 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒100-0003 ※地方自治体コードは 13101
国内所在地（都道府県）都道府県	東京都 ※東京都の法人数は 1,322,793件
国内所在地（市区町村）市区町村	千代田区 ※千代田区の法人数は 99,256件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	一ツ橋1丁目2番2号住友商事竹橋ビル4階
国内所在地（1行表示）1行表示	東京都千代田区一ツ橋1丁目2番2号住友商事竹橋ビル4階
国内所在地（読み仮名）読み仮名	トウキョウトチヨダクヒトツバシ1チョウメ
更新年月日更新日	2020年08月06日
変更年月日変更日	2020年07月28日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	東京労働局 〒102-8305～〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階～14階
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	中央労働基準監督署 〒112-8573 東京都文京区後楽1-9-20飯田橋合同庁舎6・7階

SPPテクノロジーズ株式会社の場所

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SPPテクノロジーズ株式会社の登録履歴

日付	内容
2020年07月28日	【住所変更】 国内所在地が「東京都千代田区一ツ橋1丁目2番2号住友商事竹橋ビル4階」に変更されました。
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「SPPテクノロジーズ株式会社」で、「東京都千代田区大手町1丁目3番2号経団連会館15階」に新規登録されました。

SPPテクノロジーズ株式会社の法人活動情報

SPPテクノロジーズ株式会社の特許情報(75件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2023年12月22日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/31 B, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/302 101 G
2023年03月30日 特許庁 / 特許	基板搬送機構の動作判定方法 FI分類-H01L 21/68 A
2022年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-H01L 21/31 C
2022年03月23日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 M
2022年03月23日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G, FI分類-H01L 21/302 101 M
2022年03月22日 特許庁 / 特許	基板処理装置のプロセス判定装置、基板処理システム、基板処理装置のプロセス判定方法、学習モデル群、学習モデル群の生成方法及びプログラム FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/302 105 Z
2022年01月13日 特許庁 / 特許	基板処理方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 105 A
2021年12月22日 特許庁 / 特許	プログラム、情報処理方法、情報処理装置及びモデルの生成方法 FI分類-G06N 3/08, FI分類-C23C 16/52, FI分類-C23C 14/54 B, FI分類-G06N 20/00 130, FI分類-H01L 21/302 101 G
2021年06月30日 特許庁 / 特許	基板処理装置のプロセス判定装置、基板処理システム、基板処理装置のプロセス判定方法、学習モデルの生成方法及びプログラム FI分類-G06N 20/20, FI分類-H01L 21/02 Z
2021年05月26日 特許庁 / 特許	基板処理装置のプロセス判定装置、基板処理システム、基板処理装置のプロセス判定方法、学習モデルの生成方法及びプログラム FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-G06N 20/00 130
2021年03月24日 特許庁 / 特許	保守対象装置の履歴管理システム、保守対象装置の履歴管理方法 FI分類-G06Q 10/00 300
2021年01月26日 特許庁 / 特許	保守作業支援システム、保守作業支援方法、および、保守作業支援プログラム FI分類-G06F 3/01 510, FI分類-G06T 19/00 600, FI分類-G06F 3/0484 150
2020年10月05日 特許庁 / 特許	プラズマ処理用ガス、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 FI分類-H01L 21/302 105 A
2020年03月30日 特許庁 / 特許	携帯端末、方法及びプログラム FI分類-G06F 3/01 510, FI分類-G06Q 10/00 300, FI分類-G06F 3/0481 150, FI分類-G06F 3/0484 120
2020年03月19日 特許庁 / 特許	保守支援システム、保守支援方法、プログラム及び加工画像の生成方法 FI分類-G06T 1/00 280
2020年02月19日 特許庁 / 特許	コンピュータプログラム、半導体製造装置、基板昇降装置及び半導体製造方法 FI分類-H01L 21/02 Z
2020年01月23日 特許庁 / 特許	基板昇降異常検出装置、基板処理システム、基板昇降異常検出方法、プログラム、学習モデル及び学習モデルの生成方法 FI分類-C23C 16/458, FI分類-C23C 14/50 A, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01L 21/302 101 G
2020年01月23日 特許庁 / 特許	基板昇降異常検出装置 FI分類-C23C 16/44 G, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H02N 13/00 D, FI分類-H01L 21/302 101 G
2019年12月04日 特許庁 / 特許	誘導結合プラズマエッチング装置およびプラズマ生成機構 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2019年07月18日 特許庁 / 特許	支援システム、支援方法及びプログラム FI分類-G06T 7/00 600, FI分類-G06Q 10/00 300
2019年07月16日 特許庁 / 特許	保守支援システム、保守支援方法、プログラム及び加工画像の生成方法 FI分類-G06Q 10/00 300, FI分類-G06T 19/00 600
2019年06月07日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 A, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2019年05月09日 特許庁 / 特許	プラズマ着火方法及びプラズマ生成装置 FI分類-H05H 1/24
2019年03月22日 特許庁 / 特許	保守支援システム、保守支援方法及びプログラム FI分類-H04N 7/18 K, FI分類-G06F 3/01 510, FI分類-G06Q 10/00 300, FI分類-G06T 19/00 600
2019年03月04日 特許庁 / 特許	基板処理装置のプロセス判定装置、基板処理システム及び基板処理装置のプロセス判定方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/302 103
2019年01月10日 特許庁 / 特許	エッチング終点検出装置、基板処理システム、エッチング終点検出方法及び分類器 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 103
2018年12月13日 特許庁 / 特許	ワイドギャップ半導体基板、ワイドギャップ半導体基板の製造装置、およびワイドギャップ半導体基板の製造方法 FI分類-H01L 21/02 C, FI分類-H01L 21/302 101 B, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/304 601 Z
2018年12月03日 特許庁 / 特許	フォーカスリング及びこれを備えたプラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 G
2018年10月19日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置における基板の脱離方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01L 21/302 101 G
2018年03月28日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2018年02月14日 特許庁 / 特許	シリコン窒化膜の製造方法及び製造装置 FI分類-C23C 16/42, FI分類-C23C 16/505, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/318 B
2018年02月08日 特許庁 / 特許	基板載置台及びこれを備えたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01L 21/302 101 G
2017年09月22日 特許庁 / 特許	締結構造、及び締結構造を備えたプラズマ処理装置 FI分類-F16B 5/02 U, FI分類-F16B 5/10 D, FI分類-H01L 21/205, FI分類-F16B 37/04 X, FI分類-H01L 21/302 101 G
2017年09月22日 特許庁 / 特許	締結構造、及び締結構造を備えたプラズマ処理装置 FI分類-F16B 5/02 U, FI分類-F16B 5/10 D, FI分類-H01L 21/205, FI分類-F16B 37/04 X, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/302 101 G
2017年08月14日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 B, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 D, FI分類-H01L 21/302 101 G
2017年03月10日 特許庁 / 特許	エッチング方法 FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年02月20日 特許庁 / 特許	プラズマ加工方法及びこの方法を用いて製造された基板 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/78 S, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年02月15日 特許庁 / 特許	SiGe層のエッチング方法 FI分類-B81C 1/00, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年02月15日 特許庁 / 特許	SiGe層のエッチング方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年01月27日 特許庁 / 特許	スパッタエッチング用マスク、スパッタエッチング方法及びスパッタエッチング装置 FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年01月24日 特許庁 / 特許	真空搬送モジュール及び基板処理装置 FI分類-B65G 49/07 C, FI分類-H01L 21/68 A
2017年01月20日 特許庁 / 特許	プラズマ制御装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 101 G
2016年12月27日 特許庁 / 特許	防着筒及びこれを備えた基板処理装置 FI分類-C23C 16/50, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 14/00 B, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G
2016年12月27日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2016年12月27日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G
2016年12月27日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2016年12月16日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/68 N
2016年09月09日 特許庁 / 特許	半導体素子の製造方法及びその製造方法に用いられるプラズマエッチング装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2016年04月25日 特許庁 / 特許	シリコン酸化膜の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/316 X
2016年03月23日 特許庁 / 特許	炭化珪素半導体素子の製造方法 FI分類-H01L 21/302 104 C
2016年03月23日 特許庁 / 特許	炭化珪素半導体素子の製造方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 29/78 652 H, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 21/302 105 A
2016年03月10日 特許庁 / 特許	配線基板の製造方法 FI分類-H01L 21/88 J
2016年02月10日 特許庁 / 特許	半導体素子の製造方法 FI分類-H01L 21/302 105 A
2015年03月30日 特許庁 / 特許	半導体素子の製造方法及びその製造に用いられるプラズマエッチング装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 G
2015年03月10日 特許庁 / 特許	配線基板の製造方法 FI分類-H01L 23/14 S
2015年03月02日 特許庁 / 特許	シリコン酸化膜及びその製造方法、並びにシリコン酸化膜の製造装置 FI分類-C23C 16/42, FI分類-C23C 16/56, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/316 X
2015年01月30日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-H01L 21/302 101 G
2015年01月22日 特許庁 / 特許	半導体製造装置用管理システム FI分類-C23C 16/50, FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205, FI分類-G08C 17/00 Z, FI分類-G08C 19/00 U, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年10月14日 特許庁 / 特許	シリコン窒化膜の製造方法及びシリコン窒化膜 FI分類-C23C 16/42, FI分類-C23C 16/509, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/318 B
2014年07月25日 特許庁 / 特許	プラズマエッチング方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 105 A
2014年07月25日 特許庁 / 特許	プラズマエッチング方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 105 A
2014年07月25日 特許庁 / 特許	プラズマエッチング方法 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2014年03月31日 特許庁 / 特許	リンク装置 FI分類-F16H 21/10 Z
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-C23C 16/507, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置及びこれに用いられるコイル FI分類-C23C 16/505, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05B 3/12 A, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H05B 3/00 355 A, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 A, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置及びこれに用いられる開閉機構 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-B01J 19/08 E, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 FI分類-C23C 16/507, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2014年03月31日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 FI分類-C23C 16/507, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 101 C
2014年03月31日 特許庁 / 特許	高周波電力システム及びこれを備えたプラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H05H 1/46 R, FI分類-H01L 21/302 101 C
2014年03月25日 特許庁 / 特許	歯車機構 FI分類-F16H 55/18, FI分類-F16H 57/12 C, FI分類-F16H 57/12 Z
2014年03月25日 特許庁 / 特許	歯車機構 FI分類-F16H 55/18, FI分類-B23Q 5/56 A, FI分類-B25J 17/00 E, FI分類-F16H 57/12 C, FI分類-H01L 21/68 A
2014年03月06日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置の異常放電予知方法及び装置、並びに異常放電予知機能付きプラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/00 A, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G, FI分類-H01L 21/302 101 R
2014年02月28日 特許庁 / 特許	炭化珪素半導体素子の製造方法 FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A

SPPテクノロジーズ株式会社の商標情報(10件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2021年05月11日 特許庁 / 商標	CAPELLA 07類
2019年08月09日 特許庁 / 商標	Virtual Partition 07類, 09類, 38類, 42類
2019年04月16日 特許庁 / 商標	VETELGEUSE 07類
2019年04月16日 特許庁 / 商標	SCULPTOR 07類
2017年06月16日 特許庁 / 商標	SIRIUS 07類
2017年06月15日 特許庁 / 商標	PROXION 07類
2015年08月20日 特許庁 / 商標	SPICA 07類
2015年08月20日 特許庁 / 商標	Cetus 07類
2015年08月20日 特許庁 / 商標	Presepe 07類
2015年08月20日 特許庁 / 商標	Monoceros 07類

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