法人番号:3010401046159
株式会社SUMCO
情報更新日:2024年08月31日
株式会社SUMCOとは
株式会社SUMCO（サムコ）は、法人番号:3010401046159で東京都港区芝浦1丁目2番1号に所在する法人として東京法務局港出張所で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役会長兼CEO橋本眞幸。資本金は1,990億3,400万円。従業員数は4,938人。登録情報として、補助金情報が2件、表彰情報が2件、届出情報が8件、特許情報が655件、商標情報が10件、意匠情報が5件、職場情報が1件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2023年03月17日です。
インボイス番号:T3010401046159については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は東京労働局。三田労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社SUMCOの基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 株式会社SUMCO |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | サムコ |
| 法人番号 | 3010401046159 |
| 会社法人等番号 | 0104-01-046159 |
| 登記所 | 東京法務局港出張所 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T3010401046159 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒105-0023 ※地方自治体コードは 13103 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 東京都 ※東京都の法人数は 1,320,729件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 港区 ※港区の法人数は 155,486件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 芝浦1丁目2番1号 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 東京都港区芝浦1丁目2番1号 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | トウキョウトミナトクシバウラ1チョウメ |
| 英語表記 | SUMCO CORPORATION |
| 国内所在地（英語表示）英語表示 | 1-2-1 Shibaura, Minato ku, Tokyo |
| 代表者 | 代表取締役 会長兼CEO 橋本 眞幸 |
| 資本金 | 1,990億3,400万円 (2024年05月11日現在) |
| 従業員数 | 4,938人 (2024年09月16日現在) |
| 更新年月日更新日 | 2023年03月17日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 東京労働局 〒102-8305～〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階～14階 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 三田労働基準監督署 〒108-0014 東京都港区芝5-35-2安全衛生総合会館3階 |
株式会社SUMCOの場所
株式会社SUMCOの補足情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 企業名 読み仮名 | カブシキガイシャサムコ |
| 企業名 英語 | SUMCO CORPORATION |
| 上場・非上場 | 上場 |
| 資本金 | 1,990億3,400万円 |
| 業種 | 金属製品 |
| 証券コード | 34360 |
株式会社SUMCOの登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「株式会社SUMCO」で、「東京都港区芝浦1丁目2番1号」に新規登録されました。 |
株式会社SUMCOの法人活動情報
株式会社SUMCOの補助金情報(2件)
| 期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
|---|---|
2019年08月30日 | 省エネルギー投資促進に向けた支援補助金(省エネルギー投資促進に向けた支援補助事業のうちエネルギー使用合理化等事業者支援事業) 966,666円 |
2019年08月30日 | 省エネルギー投資促進に向けた支援補助金(省エネルギー投資促進に向けた支援補助事業のうちエネルギー使用合理化等事業者支援事業) 59,000,000円 |
株式会社SUMCOの表彰情報(2件)
| 日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
|---|---|
2024年09月16日 | あんぜんプロジェクト-認定 |
2017年12月04日 | 女性の活躍推進企業 |
株式会社SUMCOの届出情報(8件)
| 日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
|---|---|
2023年11月01日 | DX認定制度 - |
2021年11月01日 | DX認定制度 - |
2017年11月29日 | 支店:株式会社SUMCO 野田事務所 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
2017年11月29日 | 支店:株式会社SUMCO 生産本部九州事業所(伊万里) PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
2017年11月29日 | 支店:株式会社SUMCO 生産本部九州事業所(久原) PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
2017年11月29日 | 支店:株式会社SUMCO 生産本部九州事業所(佐賀) PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
2017年11月29日 | 支店:株式会社 SUMCO JSQ事業部 PRTR届出データ / PRTR - 窯業・土石製品製造業(経済産業大臣) |
2017年11月29日 | 支店:株式会社SUMCO 千歳工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
株式会社SUMCOの特許情報(655件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2022年08月31日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 55/06, FI分類-B24B 57/02, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 C |
2022年07月04日 特許庁 / 特許 | ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/24 A, FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2022年05月19日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法 FI分類-B24B 49/12, FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B |
2022年04月21日 特許庁 / 特許 | 測定方法及び測定装置 FI分類-G01B 11/06 G, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2022年03月15日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2021年12月10日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置 FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2021年11月15日 特許庁 / 特許 | 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/324 G, FI分類-H01L 21/22 501 B |
2021年11月10日 特許庁 / 特許 | 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2021年10月29日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 FI分類-H01L 21/304 648 G, FI分類-H01L 21/304 651 B |
2021年10月07日 特許庁 / 特許 | 機械学習の評価方法及び機械学習による推定モデルの生成方法 FI分類-G06N 20/00 |
2021年10月04日 特許庁 / 特許 | 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 643 Z, FI分類-H01L 21/304 648 K, FI分類-H01L 21/304 651 B |
2021年09月22日 特許庁 / 特許 | 無欠陥単結晶シリコンの製造方法及び装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2021年09月16日 特許庁 / 特許 | ボルト締結構造及びこれを用いたシリコン単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 35/00, FI分類-F27B 14/08, FI分類-F16B 5/02 G, FI分類-F16B 5/02 U, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-F16B 35/00 J, FI分類-F16B 37/00 C |
2021年07月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2021年06月11日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 37/005 B, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2021年05月06日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法、評価システム及び製造方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A, FI分類-H01L 21/322 Y |
2021年04月09日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2021年03月18日 特許庁 / 特許 | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/225 Q, FI分類-H01L 21/324 G, FI分類-H01L 21/22 501 F |
2021年02月18日 特許庁 / 特許 | ウェーハ収納容器の洗浄装置及びウェーハ収納容器の洗浄方法 FI分類-B08B 3/02 A, FI分類-B08B 3/04 Z, FI分類-H01L 21/304 648 E |
2021年01月06日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/26 |
2020年12月28日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N |
2020年12月28日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年12月28日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年12月25日 特許庁 / 特許 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 FI分類-C30B 13/20 |
2020年12月25日 特許庁 / 特許 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 FI分類-C30B 13/20 |
2020年12月25日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2020年12月24日 特許庁 / 特許 | キャリアプレートの研磨方法 FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年12月24日 特許庁 / 特許 | 両面研磨用キャリア及びウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年12月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置の部品の清掃時に用いる集塵装置及び単結晶引上げ装置の部品の清掃方法 FI分類-B08B 5/04 Z, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2020年12月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年12月24日 特許庁 / 特許 | 多結晶ダイヤモンド自立基板を用いた積層基板及びその製造方法 FI分類-C23C 16/27, FI分類-C30B 33/06, FI分類-C30B 29/04 E, FI分類-C30B 29/04 W |
2020年12月23日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの抵抗率測定方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/308 B, FI分類-H01L 21/304 611 A |
2020年12月18日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法およびウェーハの製造方法 FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/005 Z, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 A |
2020年12月16日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 53/017 Z, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 A, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2020年12月10日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置の温度管理方法及びシリコン堆積層ウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205 |
2020年11月25日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年11月17日 特許庁 / 特許 | X線センサ向けエピタキシャルウェーハおよびX線センサ FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 M, FI分類-H01L 21/322 P, FI分類-H01L 27/144 K |
2020年11月12日 特許庁 / 特許 | 差圧測定方法 FI分類-G01L 13/00 C |
2020年11月11日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 29/91 C |
2020年10月30日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造システム及び単結晶製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2020年10月30日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2020年10月30日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2020年10月22日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置のワイヤー振れ止め機構 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2020年10月21日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年10月21日 特許庁 / 特許 | ウェーハ製造システム FI分類-H01L 21/02 Z |
2020年10月12日 特許庁 / 特許 | キャリア測定装置、キャリア測定方法、及びキャリア管理方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2020年10月09日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年10月07日 特許庁 / 特許 | 横型熱処理炉を用いたシリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-H01L 21/22 501 F |
2020年09月30日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンブロックの結晶欠陥に関する品質評価方法、単結晶シリコンブロックの品質評価プログラム、単結晶シリコンブロックの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年09月09日 特許庁 / 特許 | ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置 FI分類-B24B 37/24 A, FI分類-B24B 37/24 Z, FI分類-B24B 37/32 Z, FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-B24B 37/005 Z, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2020年09月09日 特許庁 / 特許 | ウェーハ研磨方法およびウェーハ研磨装置 FI分類-H01L 21/304 622 K |
2020年09月03日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2020年08月31日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの検査方法、シリコンウェーハの製造方法 FI分類-G01B 11/02 H, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2020年08月25日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの割れの発生率低減方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 Z |
2020年07月30日 特許庁 / 特許 | ワークの洗浄処理方法及びワークの洗浄処理システム FI分類-H01L 21/304 642 A, FI分類-H01L 21/304 642 F, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2020年07月30日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 502 A, FI分類-H01L 21/302 105 B, FI分類-H01L 21/302 201 A |
2020年07月28日 特許庁 / 特許 | 試料導入装置、誘導結合プラズマ分析装置および分析方法 FI分類-G01N 21/73 |
2020年07月28日 特許庁 / 特許 | 試料導入装置、誘導結合プラズマ分析装置および分析方法 FI分類-G01N 21/73 |
2020年07月01日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 49/12, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2020年06月12日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨方法、ワークの製造方法、及びワークの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 49/16, FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年06月08日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2020年06月02日 特許庁 / 特許 | 半導体結晶製造装置の管理方法、半導体結晶の製造方法、及び半導体結晶製造管理システム FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2020年05月28日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハおよびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年05月28日 特許庁 / 特許 | 外観検査装置 FI分類-G01N 21/956 A |
2020年04月20日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造システム及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 C |
2020年04月06日 特許庁 / 特許 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 FI分類-C30B 13/20, FI分類-H05B 6/36 D, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2020年03月31日 特許庁 / 特許 | 状態判定装置、状態判定方法、及び状態判定プログラム FI分類-G05B 19/418 Z, FI分類-G05B 23/02 302 Y |
2020年03月27日 特許庁 / 特許 | 保全管理装置、保全管理方法、及び保全管理プログラム FI分類-G05B 23/02 T, FI分類-G05B 19/418 Z, FI分類-G06Q 10/00 300 |
2020年03月25日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハへのクラスターイオン注入による白傷欠陥低減効果の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2020年03月23日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/013, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2020年02月07日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの貼合わせ方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/68 M, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2020年01月30日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造管理システム FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2020年01月10日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄装置および半導体ウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 643 A |
2019年12月27日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 N |
2019年12月27日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッド、研磨装置および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/30 D, FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハ製造システム及び製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの片面研磨システム及びそれを用いたSOIウェーハの片面研磨方法 FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/013, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | ワークの洗浄装置および洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 648 G, FI分類-H01L 21/304 648 L, FI分類-H01L 21/304 651 B |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの欠陥検査方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの欠陥検査方法及びシリコンウェーハの欠陥検査システム FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | 結晶欠陥の検出方法、エピタキシャル成長装置の管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハ用研磨布の使用開始時期の判定方法及びそれを用いた半導体ウェーハの研磨方法、並びに半導体ウェーハ研磨システム FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 37/005 Z, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2019年12月25日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2019年12月25日 特許庁 / 特許 | 研磨装置への半導体ウェーハの受け渡し方法および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/34, FI分類-B24B 41/06 A, FI分類-H01L 21/304 622 L |
2019年12月24日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法、シリコン単結晶 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2019年12月23日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成方法および単結晶育成装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2019年12月20日 特許庁 / 特許 | シリコンインゴットへの中性子照射方法、シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/04, FI分類-C30B 29/06 B |
2019年12月20日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンインゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2019年12月20日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンウェーハの酸化膜耐圧の評価方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及び気相成長処理方法 FI分類-C23C 16/46, FI分類-H01L 21/205 |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及び気相成長方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/46, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッド、化学的機械的研磨装置、および、化学的機械的研磨方法 FI分類-B24B 37/015, FI分類-B24B 37/30 Z, FI分類-H01L 21/304 622 H, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法並びにX線検出センサ FI分類-G01T 1/24, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 31/00 A, FI分類-H01L 31/08 F, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-C30B 29/06 504 Z, FI分類-H01L 27/06 102 A |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | 多層SOIウェーハ及びその製造方法並びにX線検出センサ FI分類-G01T 1/24, FI分類-C30B 33/06, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 27/12 C, FI分類-H01L 31/00 A, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-H01L 29/78 613 Z |
2019年12月18日 特許庁 / 特許 | 接合ウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2019年12月18日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハのゲッタリング能力評価方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2019年12月16日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法およびボート FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/324 Q, FI分類-H01L 21/22 501 G |
2019年12月16日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年12月16日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-F27B 14/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年12月06日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年12月06日 特許庁 / 特許 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 FI分類-C30B 13/20, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2019年12月06日 特許庁 / 特許 | 熱処理炉の前処理条件の決定方法、熱処理炉の前処理方法、熱処理装置ならびに熱処理された半導体ウェーハの製造方法および製造装置 FI分類-H01L 21/31 E, FI分類-H01L 21/324 T, FI分類-H01L 21/324 W |
2019年12月05日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/31 F, FI分類-H01L 21/316 S |
2019年12月04日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/12, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2019年12月04日 特許庁 / 特許 | 質量測定装置および質量測定方法 FI分類-G01G 3/14, FI分類-G01G 3/18, FI分類-G01N 5/04 A, FI分類-G01G 19/52 Z |
2019年12月02日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成方法および単結晶育成装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 |
2019年11月28日 特許庁 / 特許 | 熱処理ウェーハの製造方法、熱処理装置および熱処理ウェーハの製造装置 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/324 Q |
2019年11月19日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/20, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2019年11月18日 特許庁 / 特許 | 検査方法、シリコンウェーハの製造方法および検査装置 FI分類-G01B 11/00 H, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/68 N |
2019年11月12日 特許庁 / 特許 | 半導体インゴットのスライシング加工条件決定方法および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B28D 7/00, FI分類-B28D 7/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 F, FI分類-B24B 55/02 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年11月11日 特許庁 / 特許 | 炭素製ルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年11月08日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2019年11月07日 特許庁 / 特許 | レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法 FI分類-G01N 21/93, FI分類-G02B 21/00, FI分類-G02B 21/06, FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2019年11月06日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法 FI分類-H01L 21/66 N |
2019年11月06日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法 FI分類-H01L 21/66 N |
2019年10月29日 特許庁 / 特許 | 点欠陥シミュレーター、点欠陥シミュレーションプログラム、点欠陥シミュレーション方法、シリコン単結晶の製造方法および単結晶引き上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年09月27日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 37/24 A, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 G, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2019年09月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法及び再生装置並びに再生された部材を用いるシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年09月12日 特許庁 / 特許 | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B |
2019年09月09日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2019年09月09日 特許庁 / 特許 | 半導体デバイス FI分類-H01L 27/11521, FI分類-H01L 27/11556, FI分類-H01L 27/11568, FI分類-H01L 27/11582, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 29/78 301 H |
2019年09月06日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2019年09月05日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の前処理方法、シリコン試料の金属汚染評価方法、単結晶シリコンインゴット育成工程の評価方法、単結晶シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年09月03日 特許庁 / 特許 | 光モジュール及びその製造方法 FI分類-G02B 6/132, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-G02B 6/12 301 |
2019年09月02日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンの酸素濃度又は炭素濃度の測定方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年08月30日 特許庁 / 特許 | 半導体試料の評価方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2019年08月30日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2019年08月07日 特許庁 / 特許 | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 FI分類-B23K 26/00 B, FI分類-H01L 21/02 A, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2019年07月25日 特許庁 / 特許 | 光モジュールの製造方法及び光モジュール FI分類-G02B 6/132, FI分類-H01L 31/02 D, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-H01L 31/10 C, FI分類-G02B 6/12 301 |
2019年07月24日 特許庁 / 特許 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/42, FI分類-C23C 16/50, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 25/02 P, FI分類-C30B 29/36 A, FI分類-H01L 21/31 C |
2019年07月23日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、シリコンウェーハの製造方法および半導体装置の製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 A |
2019年06月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/31 B |
2019年06月26日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンの抵抗率測定方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 Z |
2019年06月26日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの厚み測定方法 FI分類-G01B 11/06 G, FI分類-H01L 21/66 P |
2019年06月21日 特許庁 / 特許 | 付着物除去装置及び付着物除去方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年06月12日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法 FI分類-C30B 33/10, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/306 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年05月21日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置の評価システム及び評価方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年05月15日 特許庁 / 特許 | 石英ルツボの透過率測定方法及び装置 FI分類-G01N 21/59 Z |
2019年05月14日 特許庁 / 特許 | 研磨パッドの管理方法及び研磨パッドの管理システム FI分類-B24B 37/20, FI分類-B24B 49/12, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2019年05月13日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ及びその製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年05月08日 特許庁 / 特許 | 石英ルツボ製造用モールド及びこれを用いた石英ルツボ製造装置 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年04月25日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 A, FI分類-H01L 21/66 J |
2019年04月18日 特許庁 / 特許 | 気相成長方法及び気相成長装置 FI分類-C23C 16/54, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/68 T |
2019年04月18日 特許庁 / 特許 | 気相成長方法及び気相成長装置 FI分類-C23C 16/54, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/68 U |
2019年04月18日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのスリップ転位に対する耐性の評価方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 N |
2019年04月15日 特許庁 / 特許 | 評価体、評価システム、評価体の製造方法、および評価方法 FI分類-B24B 37/04, FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 49/14, FI分類-B24B 49/16, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2019年04月15日 特許庁 / 特許 | 片面研磨装置へのウェーハ装填装置 FI分類-B24B 37/34, FI分類-B24B 41/06 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/304 621 B, FI分類-H01L 21/304 622 L |
2019年04月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造時におけるギャップサイズ決定方法、および、シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年04月11日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及びこれに用いられるキャリア FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/68 U |
2019年04月11日 特許庁 / 特許 | ウェーハの回転検出方法及びウェーハの回転検出システム FI分類-H01L 21/68 M, FI分類-G01D 5/245 110 J, FI分類-G01D 5/347 110 A, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2019年04月10日 特許庁 / 特許 | 半導体製品の導電型判別装置および導電型判別方法 FI分類-H01L 21/66 B, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年04月10日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの品質評価方法、半導体ウェーハの収容容器の評価方法、半導体ウェーハの収容容器の選定方法、半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法および半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法 FI分類-H01L 21/02 D, FI分類-H01L 21/68 A |
2019年04月03日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 Z |
2019年04月03日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 33/04, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-C30B 29/06 504 F, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2019年04月02日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2019年04月01日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの平坦化加工方法 FI分類-H01L 21/302 101 E, FI分類-H01L 21/304 621 B, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2019年03月22日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/56, FI分類-C30B 25/20, FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 K |
2019年03月22日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨方法及びワークの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/34, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 37/005 Z, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 R, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2019年03月22日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2019年03月05日 特許庁 / 特許 | III族窒化物半導体基板の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-H01L 21/205 |
2019年03月01日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2019年02月27日 特許庁 / 特許 | シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2019年02月25日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法 FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 9/00 601 G, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 601 B |
2019年02月25日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法及びテラス加工装置 FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-B24B 9/00 601 G, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 601 B |
2019年02月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2019年02月22日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/324 X |
2019年02月22日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/265 601 Z |
2019年02月22日 特許庁 / 特許 | クラスターイオンビーム生成方法及びクラスターイオンビーム照射方法 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2019年02月14日 特許庁 / 特許 | ウェーハ回収装置、研磨システム、および、ウェーハ回収方法 FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/34, FI分類-B24B 41/06 A, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/304 611 A, FI分類-H01L 21/304 622 L |
2019年02月13日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/12, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年01月11日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボの製造装置および製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2019年01月11日 特許庁 / 特許 | 高抵抗材料の抵抗率測定方法 FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-G01R 27/02 R, FI分類-H01L 21/66 Q |
2018年12月28日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | ガス分析方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-G01N 27/62 D, FI分類-G01N 27/62 V, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置 FI分類-C23C 16/54, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 U |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置 FI分類-C23C 16/54, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 U |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及びこれに用いられるキャリア FI分類-C30B 25/12, FI分類-C30B 35/00, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 U, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/16, FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 A, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/16, FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 A, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法およびウェーハ FI分類-B24B 1/00, FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 9/00 601 G, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 両頭研削方法 FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-H01L 21/304 631 |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 49/12, FI分類-G01B 11/24 D, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法および製造方法ならびに半導体ウェーハの製造工程管理方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2018年12月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/304 648 H, FI分類-H01L 21/304 651 J |
2018年12月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法 FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 642 A |
2018年12月25日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄槽および洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 642 F |
2018年12月25日 特許庁 / 特許 | ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 A |
2018年12月25日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205 |
2018年12月25日 特許庁 / 特許 | 多結晶ダイヤモンド自立基板及びその製造方法 FI分類-C01B 32/26, FI分類-C23C 16/01, FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/27, FI分類-C04B 35/528, FI分類-H01L 21/02 B |
2018年12月21日 特許庁 / 特許 | 埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-G01B 11/06 G, FI分類-H01L 21/66 P |
2018年12月19日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年12月19日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンインゴットの製造方法及びシリコン単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 29/06 502 H, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2018年12月19日 特許庁 / 特許 | 多結晶ダイヤモンド自立基板の製造方法 FI分類-C30B 29/04 E |
2018年11月30日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 C |
2018年11月30日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法および装置 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/10, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-C30B 29/06 504 D |
2018年11月28日 特許庁 / 特許 | 貼付物の検査方法および半導体ウェーハの内装方法 FI分類-G01N 21/90 Z, FI分類-H01L 21/68 T |
2018年11月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年11月28日 特許庁 / 特許 | 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法 FI分類-C30B 35/00, FI分類-G01N 25/18 L |
2018年11月19日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法 FI分類-B24B 53/06 Z, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B |
2018年11月16日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法、ワイヤーソー用再利用スラリーの品質評価方法、及びワイヤーソー用使用済みスラリーの品質評価方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 27/06 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年11月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶及びその製造方法並びにシリコンウェーハ FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2018年10月22日 特許庁 / 特許 | レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B23K 26/00 B, FI分類-H01L 21/02 A, FI分類-H01L 21/304 622 Z |
2018年10月19日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-G01N 21/3563 |
2018年10月15日 特許庁 / 特許 | 石英るつぼ内周面の評価方法及び石英るつぼ内周面の評価装置 FI分類-G06T 7/12, FI分類-G06T 7/13, FI分類-G06T 7/60 200 C, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年10月03日 特許庁 / 特許 | 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2018年10月02日 特許庁 / 特許 | III族窒化物半導体基板の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D |
2018年09月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2018年09月27日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 49/16, FI分類-B24B 37/013, FI分類-B24B 37/005 B, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 R, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2018年09月26日 特許庁 / 特許 | 欠陥評価装置の調整状態評価方法及び調整方法 FI分類-G01N 21/17 A, FI分類-G01N 21/88 Z |
2018年09月11日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/22 Z, FI分類-H01L 21/223 W, FI分類-H01L 21/322 G, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2018年09月10日 特許庁 / 特許 | インゴットのVノッチ評価方法、インゴットのVノッチ加工方法、およびインゴットのVノッチ評価装置 FI分類-G01B 11/04 Z, FI分類-G01B 11/22 Z, FI分類-G01B 11/24 A, FI分類-H01L 21/66 J |
2018年09月05日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 25/02 P, FI分類-C30B 29/36 A, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/314 M, FI分類-H01L 21/322 J |
2018年09月05日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 25/02 P, FI分類-C30B 29/36 A, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/314 M, FI分類-H01L 21/316 M |
2018年09月03日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 N |
2018年09月03日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 N |
2018年09月03日 特許庁 / 特許 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20 |
2018年09月03日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び装置及びシリコン単結晶インゴット FI分類-C30B 13/12, FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年08月30日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 G |
2018年08月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコンウェーハ FI分類-C30B 15/20, FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年08月23日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2018年08月21日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F |
2018年08月09日 特許庁 / 特許 | ウェーハの検査方法および検査装置 FI分類-G01N 23/04, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2018年08月07日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボおよび石英ガラスルツボの製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年07月24日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/013, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2018年07月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置 FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 N |
2018年07月19日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 FI分類-B24B 49/16, FI分類-B24B 37/013, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2018年07月11日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/304 642 A, FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2018年07月09日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの検査方法、検査装置、製造方法 FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-H01L 21/66 J |
2018年06月21日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造条件決定方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2018年06月19日 特許庁 / 特許 | 液化ガスタンク FI分類-F17C 13/00 302 Z |
2018年06月15日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年06月12日 特許庁 / 特許 | シリコンロッドの破砕方法及び装置並びにシリコン塊の製造方法 FI分類-B02C 19/18 Z, FI分類-C01B 33/02 E, FI分類-B02C 19/00 101 Z |
2018年06月11日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2018年06月11日 特許庁 / 特許 | 融液面と種結晶の間隔測定方法、種結晶の予熱方法、及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/26 |
2018年06月11日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年06月08日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年05月22日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/14, FI分類-B24B 37/005 B, FI分類-H01L 21/304 622 R, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2018年05月17日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッド及びこれを用いたウェーハ研磨装置及び研磨方法 FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/32 A, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2018年04月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年04月24日 特許庁 / 特許 | スプレーチャンバー、試料霧化導入装置、分析装置および試料中の成分分析方法 FI分類-H01J 49/04, FI分類-H01J 49/10, FI分類-G01N 27/62 F |
2018年04月16日 特許庁 / 特許 | キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2018年04月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 15/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-C30B 29/06 502 A, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2018年04月11日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/013, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2018年04月02日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年04月02日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年03月30日 特許庁 / 特許 | ワイヤーソー用スラリーノズル FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年03月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2018年03月22日 特許庁 / 特許 | FZ炉の多結晶原料把持具 FI分類-C30B 13/32, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年03月22日 特許庁 / 特許 | ボロンドープp型シリコンウェーハのエッチング方法、金属汚染評価方法および製造方法 FI分類-G01N 33/00 D, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/302 201 A |
2018年03月20日 特許庁 / 特許 | n型シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 25/20, FI分類-C30B 29/06 502 B, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 K, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2018年03月16日 特許庁 / 特許 | アーク電極の位置調整方法及びこれを用いた石英ガラスルツボの製造方法及び製造装置 FI分類-F27D 11/10, FI分類-H05B 7/152, FI分類-C03B 20/00 H |
2018年03月16日 特許庁 / 特許 | ウェーハの熱処理方法およびウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 T, FI分類-H05B 3/00 310 E |
2018年03月08日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 R |
2018年03月01日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 C, FI分類-H01L 21/322 J |
2018年03月01日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 C, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 R |
2018年02月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 G |
2018年02月28日 特許庁 / 特許 | シリコン融液の対流パターン推定方法、シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2018年02月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2018年02月28日 特許庁 / 特許 | シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2018年02月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2018年02月28日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年02月27日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの反り量の予測方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 K, FI分類-H01L 21/324 Z |
2018年02月27日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力の評価方法および該評価方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 G, FI分類-H01L 21/322 M |
2018年02月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2018年02月27日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 Z, FI分類-H01L 21/265 602 A, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2018年02月27日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年02月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-H01L 21/322 R |
2018年02月23日 特許庁 / 特許 | ウェーハの片面研磨方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/005 Z, FI分類-H01L 21/304 621 B, FI分類-H01L 21/304 622 C, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2018年02月21日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 622 J |
2018年02月16日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハにおける積層欠陥の発生予測方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 A |
2018年02月07日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボの製造装置およびシリカガラスルツボの製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2018年02月02日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上装置のクリーニング装置、クリーニング方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2018年01月24日 特許庁 / 特許 | シリコン層の評価方法およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2018年01月18日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 J |
2018年01月18日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2018年01月17日 特許庁 / 特許 | 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2018年01月17日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法、貼り合わせウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2018年01月11日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶インゴット FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2017年12月28日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年12月28日 特許庁 / 特許 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-B24B 37/005 B, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2017年12月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2017年12月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2017年12月27日 特許庁 / 特許 | 吸着チャック FI分類-B24B 37/30 C, FI分類-H01L 21/68 P, FI分類-H01L 21/304 622 H |
2017年12月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2017年12月26日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び製造装置 FI分類-C30B 13/30, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年12月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年12月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/322 J |
2017年12月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C30B 31/22, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 C, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2017年12月25日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハ収納容器の梱包用緩衝体 FI分類-H01L 21/68 T, FI分類-B65D 85/30 500, FI分類-B65D 5/50 101 A, FI分類-B65D 81/113 100 A |
2017年12月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの汚染評価方法および該方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2017年12月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置およびそれを用いた半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 C |
2017年12月25日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/12, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2017年12月25日 特許庁 / 特許 | サセプタおよび該サセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2017年12月22日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置の汚染管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2017年12月22日 特許庁 / 特許 | p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置 FI分類-H01L 21/66 N |
2017年12月22日 特許庁 / 特許 | p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置 FI分類-H01L 21/66 N |
2017年12月20日 特許庁 / 特許 | クリーニング方法、シリコン単結晶の製造方法、および、クリーニング装置 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年12月20日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2017年12月20日 特許庁 / 特許 | リチャージ管、原料供給装置、単結晶引き上げ装置、リチャージ管の使用方法、リチャージ方法、単結晶引き上げ方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2017年12月19日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/302 101 E |
2017年12月19日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法および貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2017年12月19日 特許庁 / 特許 | 貼合せウェーハの製造方法および貼合せウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2017年12月19日 特許庁 / 特許 | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 FI分類-C30B 33/00, FI分類-B28D 5/04 A, FI分類-C30B 29/06 502 Z, FI分類-H01L 21/304 601 Z, FI分類-H01L 21/304 611 B |
2017年12月19日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/12, FI分類-C30B 13/28, FI分類-H01L 21/208 Z, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年12月19日 特許庁 / 特許 | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2017年12月01日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 23/02, FI分類-H01L 21/205, FI分類-G01B 11/00 D, FI分類-H01L 21/68 F |
2017年11月29日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置の管理方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2017年11月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶のBMD評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年11月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年11月13日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造装置および製造方法 FI分類-C30B 13/12, FI分類-C30B 13/20, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年11月07日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年10月31日 特許庁 / 特許 | シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 N |
2017年10月25日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の良否判別方法、シリコン単結晶の製造方法、およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年10月24日 特許庁 / 特許 | 検査治具及びこれを用いたシリコンウェーハの欠陥検査方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 D |
2017年10月17日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2017年10月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年10月16日 特許庁 / 特許 | 片面研磨装置へのウェーハ貼付装置、および片面研磨装置へのウェーハ貼付方法 FI分類-B24B 37/30 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/304 622 H |
2017年10月11日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-G01B 11/24 K, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 P |
2017年10月02日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法および該方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2017年09月29日 特許庁 / 特許 | 石英ルツボの不純物分析方法 FI分類-G01N 1/28 W, FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年09月29日 特許庁 / 特許 | 坩堝支持台座、石英坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年09月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 B, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年09月25日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2017年09月20日 特許庁 / 特許 | 梱包構造体、半導体ウェーハの梱包方法および輸送方法 FI分類-B65D 85/30 Z, FI分類-B65D 81/113 100 A |
2017年09月06日 特許庁 / 特許 | 液面レベル検出装置の調整用治具および調整方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 15/26, FI分類-G01F 23/292 B, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年08月31日 特許庁 / 特許 | サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2017年08月31日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2017年08月30日 特許庁 / 特許 | キャリアの製造方法およびウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2017年08月24日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法並びに石英ガラスルツボを用いたシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年08月24日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年08月23日 特許庁 / 特許 | チャックテーブルの洗浄装置および該洗浄装置を備える研削装置 FI分類-B08B 1/00, FI分類-B24B 55/06, FI分類-B23Q 3/08 A, FI分類-B23Q 11/00 N, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 P |
2017年08月17日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年08月17日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年08月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/322 J |
2017年08月07日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年08月07日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 E |
2017年08月03日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶のOSF評価方法、エピタキシャルウェーハの検査方法、およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 J, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年08月01日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年07月25日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年07月21日 特許庁 / 特許 | ダイヤモンド積層シリコンウェーハの製造方法およびダイヤモンド積層シリコンウェーハ FI分類-C23C 16/27, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/04 E |
2017年07月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年07月20日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法、ならびに固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2017年07月18日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2017年07月11日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年07月10日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年07月10日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶引上げ装置及び単結晶シリコンインゴットの製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 C |
2017年07月10日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/304 611 Z |
2017年07月10日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/11551, FI分類-H01L 27/11578, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2017年07月10日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの加工方法 FI分類-C30B 29/06 Z |
2017年07月06日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び装置 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年07月05日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの抵抗率評価方法 FI分類-C30B 13/00, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年06月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハ FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 B |
2017年06月23日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのサーマルドナー生成挙動予測方法、シリコンウェーハの評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/324 N |
2017年06月19日 特許庁 / 特許 | レーザマークの印字方法、レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/10, FI分類-B23K 26/00 B, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2017年06月14日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/268 Z, FI分類-H01L 21/322 C, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/265 601 A, FI分類-H01L 21/265 601 Q, FI分類-H01L 21/265 602 C |
2017年06月14日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長用の半導体ウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/268 Z, FI分類-H01L 21/322 C, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/265 601 A, FI分類-H01L 21/265 601 Q, FI分類-H01L 21/265 602 C |
2017年06月14日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長用の半導体ウェーハ、および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 31/22, FI分類-C30B 33/04, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 C, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/268 Z, FI分類-H01L 21/322 C, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-C30B 29/06 502 Z, FI分類-H01L 21/265 601 A, FI分類-H01L 21/265 601 Q, FI分類-H01L 21/265 602 C |
2017年06月12日 特許庁 / 特許 | 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 15/28, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2017年06月07日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D |
2017年06月06日 特許庁 / 特許 | 選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 C, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2017年05月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 J |
2017年05月23日 特許庁 / 特許 | 坩堝支持装置およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年05月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-G01N 21/35, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2017年05月09日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-F27B 14/14, FI分類-F27B 14/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2017年04月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の引上げ方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2017年04月25日 特許庁 / 特許 | n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2017年04月25日 特許庁 / 特許 | n型シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H, FI分類-C30B 29/06 502 J, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2017年04月19日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-G01B 11/06 G, FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2017年04月17日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-H01L 21/66 N |
2017年04月17日 特許庁 / 特許 | 多層膜SOIウェーハの製造方法および多層膜SOIウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2017年04月17日 特許庁 / 特許 | 多層膜SOIウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2017年04月17日 特許庁 / 特許 | 多層膜SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 27/12 C |
2017年04月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2017年04月05日 特許庁 / 特許 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2017年04月05日 特許庁 / 特許 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2017年03月31日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨装置および両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-B24B 49/03 Z, FI分類-H01L 21/304 622 E, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2017年03月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2017年03月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハおよび固体撮像素子の製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2017年03月08日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/00, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-C30B 29/06 504 A, FI分類-H01L 21/265 601 Q |
2017年03月07日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205 |
2017年03月07日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B |
2017年02月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶インゴットの製造方法およびシリコン単結晶育成装置 FI分類-C30B 29/06 502 H, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2017年02月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの不純物拡散挙動予測方法、ゲッタリング能力予測方法、ゲッタリング能力調整方法および製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 27/146 A |
2017年02月24日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年02月24日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 P, FI分類-H01L 27/146 A |
2017年02月24日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法、整流部材、および、単結晶引き上げ装置 FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2017年02月15日 特許庁 / 特許 | FOSB型出荷用ウェーハ収容容器の洗浄方法 FI分類-B65D 85/30 Z, FI分類-H01L 21/68 T, FI分類-H01L 21/304 648 E |
2017年02月13日 特許庁 / 特許 | シリコン結晶中の酸素濃度評価方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-G01N 21/27 F, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-G01N 31/00 K, FI分類-H01L 21/66 L |
2017年02月09日 特許庁 / 特許 | 回転装置、並びに該回転装置を備える両面研磨装置及び片面研磨装置 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/30, FI分類-B24B 47/12 |
2017年02月02日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上装置のクリーニング装置 FI分類-C30B 15/32, FI分類-C30B 29/06 502 F |
2017年01月18日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 502 H, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2017年01月05日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の引き上げ条件演算プログラム、シリコン単結晶のホットゾーンの改良方法、およびシリコン単結晶の育成方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年12月27日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法、シリコン単結晶の切断方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-H01L 21/304 611 |
2016年12月27日 特許庁 / 特許 | 石英試料の分解方法、石英試料の金属汚染分析方法および石英部材の製造方法 FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-G01N 31/00 Y, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年12月26日 特許庁 / 特許 | シリコン材料製造工程の評価方法およびシリコン材料の製造方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 N |
2016年12月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/304 645 Z |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | 単結晶ウェーハの劈開方法、単結晶ウェーハの遷移金属汚染の評価方法、及び単結晶ウェーハ劈開用治具 FI分類-B28D 5/00 Z, FI分類-H01L 21/78 G |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法、熱遮蔽体および単結晶引き上げ装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | 蒸発抑制部材、単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 FI分類-F27B 14/08, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | 緩衝材 FI分類-B65D 85/38 R, FI分類-H01L 21/68 T |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | ルツボ管理システム、ルツボ管理方法、シリカガラスルツボの製造方法、シリコンインゴットの製造方法、ホモエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-G01B 11/24 B, FI分類-G01B 11/24 K, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | ルツボ検査装置、ルツボ検査方法、シリカガラスルツボの製造方法、シリコンインゴットの製造方法、ホモエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/06 502 B, FI分類-C30B 29/06 504 A |
2016年12月22日 特許庁 / 特許 | 緩衝材 FI分類-B65D 85/38, FI分類-H01L 21/68 T, FI分類-B65D 85/30 500 |
2016年12月21日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年12月21日 特許庁 / 特許 | pn接合シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2016年12月21日 特許庁 / 特許 | pn接合シリコンウェーハの製造方法およびpn接合シリコンウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2016年12月21日 特許庁 / 特許 | pn接合シリコンウェーハ FI分類-B23K 20/24, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 J |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの枚葉式片面研磨方法 FI分類-B24B 37/10, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | キャリアプレートの厚み調整方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの研磨方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 611, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 621 B, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 N, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボの歪測定装置、シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/06 502 B, FI分類-C30B 29/06 504 A |
2016年12月20日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボ、シリカガラスルツボの製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 A, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-G01B 11/16 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年12月15日 特許庁 / 特許 | 熱遮蔽部材、単結晶引き上げ装置および単結晶シリコンインゴットの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2016年12月14日 特許庁 / 特許 | シリコン原料の融解方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2016年12月06日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 B |
2016年12月05日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 601 Z, FI分類-H01L 21/304 611 B |
2016年12月02日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-G01B 11/00 A, FI分類-G01B 11/04 H, FI分類-G01B 11/14 H, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年11月17日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205 |
2016年11月15日 特許庁 / 特許 | ウェーハのエッジ研磨装置及び方法 FI分類-B24B 55/06, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 H |
2016年11月15日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 N, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年11月15日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価基準の設定方法、半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハ製造工程の評価方法、および半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2016年11月11日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法及び評価装置並びに製造方法 FI分類-G01N 21/35, FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年11月10日 特許庁 / 特許 | 砥粒の評価方法並びにウェーハの製造方法 FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-C09K 3/14 550 C, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年11月02日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2016年11月01日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2016年11月01日 特許庁 / 特許 | III族窒化物半導体基板の製造方法及びIII族窒化物半導体基板 FI分類-C23C 16/30, FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/16, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 33/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 B, FI分類-C30B 29/38 C, FI分類-C30B 29/38 D |
2016年10月31日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコンの製造方法および単結晶シリコン FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2016年10月14日 特許庁 / 特許 | シリコン接合ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2016年10月14日 特許庁 / 特許 | シリコン接合ウェーハ FI分類-H01L 21/02 B |
2016年10月13日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 33/08, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-C30B 29/06 502 H, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 N |
2016年10月11日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 J |
2016年10月07日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/02 B |
2016年10月03日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶 FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2016年09月29日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-G01Q 60/32, FI分類-G01Q 60/36, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2016年09月28日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 Z |
2016年09月23日 特許庁 / 特許 | シリコン接合ウェーハの製造方法 FI分類-B23K 26/53, FI分類-B23K 26/00 N, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/322 E |
2016年09月21日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造用坩堝及びシリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年09月14日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及び製造装置 FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年09月14日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年09月14日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2016年09月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いる黒鉛シート並びに石英ルツボ支持容器 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年09月08日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの枚葉式洗浄装置 FI分類-H01L 21/304 644 C |
2016年09月06日 特許庁 / 特許 | 融液導入管及びこれを用いたシリコン単結晶の製造装置 FI分類-F27B 14/16, FI分類-F27D 3/14 C, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2016年09月05日 特許庁 / 特許 | 劣化評価方法およびシリコン材料の製造方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/66 Z |
2016年09月05日 特許庁 / 特許 | p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2016年08月31日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハのラッピング方法および半導体ウェーハ FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2016年08月30日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及び装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2016年08月29日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置および単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2016年08月22日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、及び固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 27/14 A, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2016年08月22日 特許庁 / 特許 | シリコン接合ウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/06, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2016年08月12日 特許庁 / 特許 | チャック機構 FI分類-H01L 21/68 N |
2016年08月04日 特許庁 / 特許 | シリコンインゴットの切断方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 27/06 S, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年08月01日 特許庁 / 特許 | サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205 |
2016年07月29日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2016年07月19日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2016年07月13日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置 FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 Y, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2016年07月11日 特許庁 / 特許 | 中性子照射シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 501 A |
2016年07月11日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法及び製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/66 N |
2016年07月08日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2016年07月08日 特許庁 / 特許 | 転位発生予測方法およびデバイス製造方法 FI分類-H01L 21/00, FI分類-H01L 21/66 Z, FI分類-G06F 17/50 612 H, FI分類-G06F 17/50 666 S |
2016年07月05日 特許庁 / 特許 | クラスターイオンビーム生成方法およびそれを用いたクラスターイオンビーム照射方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-C23C 14/32 G, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2016年06月30日 特許庁 / 特許 | 試料表面の作製方法、試料表面の分析方法、電界支援酸化用プローブおよびこれを備えた走査型プローブ顕微鏡 FI分類-G01Q 70/14, FI分類-G01N 1/28 H |
2016年06月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2016年06月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年06月23日 特許庁 / 特許 | pn接合シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/06, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/02 B |
2016年06月22日 特許庁 / 特許 | 積層基板の製造方法および積層基板 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/27, FI分類-C30B 25/02, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C01B 31/06 A, FI分類-C23C 14/08 J, FI分類-C23C 14/14 D, FI分類-C30B 29/04 P, FI分類-C30B 29/04 Q, FI分類-H01L 21/265 Z |
2016年06月17日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年06月07日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法 FI分類-B28D 7/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年06月07日 特許庁 / 特許 | 発塵測定装置およびそれを用いた発塵測定方法 FI分類-G01N 1/02 Q, FI分類-G01N 15/06 C, FI分類-G01N 15/06 D, FI分類-G01N 15/14 A, FI分類-G01N 15/14 P |
2016年06月02日 特許庁 / 特許 | 接合ウェーハの製造方法および接合ウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2016年05月31日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2016年05月30日 特許庁 / 特許 | 結晶欠陥の評価方法、シリコンウェーハの製造方法及び結晶欠陥の評価装置 FI分類-G01B 11/02 H, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 N |
2016年05月25日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及び装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2016年05月23日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶 FI分類-C30B 15/36, FI分類-C30B 29/06 502 F |
2016年05月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年05月09日 特許庁 / 特許 | 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2016年04月22日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッド、研磨装置およびウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/04 P, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2016年04月22日 特許庁 / 特許 | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2016年04月21日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2016年04月20日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法および装置 FI分類-C30B 13/30 |
2016年04月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法および装置 FI分類-C30B 13/30, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2016年04月14日 特許庁 / 特許 | ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法 FI分類-B24B 37/00 T, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2016年04月14日 特許庁 / 特許 | ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法 FI分類-B24B 37/00 Z, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2016年04月13日 特許庁 / 特許 | 工作機械のレベリングマウント調整方法およびそれを用いたワークの研削加工方法 FI分類-B24B 47/26, FI分類-B23Q 1/00 T, FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2016年04月11日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2016年03月28日 特許庁 / 特許 | 清浄度評価方法、洗浄条件決定方法、およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 35/00, FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-G01N 27/62 V, FI分類-H01L 21/02 D, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2016年03月23日 特許庁 / 特許 | SOI基板の製造方法 FI分類-H01L 27/12 E, FI分類-H01L 29/91 B, FI分類-H01L 29/91 D, FI分類-H01L 21/265 M, FI分類-H01L 29/06 301 D, FI分類-H01L 29/78 618 A, FI分類-H01L 29/78 618 E, FI分類-H01L 21/265 602 A |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | 基板収納容器 FI分類-B65D 85/30 Z, FI分類-H01L 21/68 T |
2016年03月14日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2016年03月11日 特許庁 / 特許 | 表面付着物の検査装置及び検査方法 FI分類-G01N 1/02 A, FI分類-G01N 15/00 C |
2016年03月04日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ FI分類-B24B 29/00 N, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2016年02月29日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法および製造装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2016年02月29日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法ならびに固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 27/14 A, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 P |
2016年02月25日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年02月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2016年02月22日 特許庁 / 特許 | スリップ転位の発生予測方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法、シリコンウェーハの熱処理方法およびシリコンウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 T |
2016年02月15日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年02月12日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2016年02月03日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの片面研磨方法 FI分類-B24B 37/04 G, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2016年02月03日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 7/22 A, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 J |
2016年02月02日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/00 L, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 Y, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2016年01月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの品質評価方法および製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-C30B 29/06 504 G |
2016年01月22日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置のクリーニング方法及びこれに用いるクリーニング用具並びに単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年01月05日 特許庁 / 特許 | リチャージ装置を用いたシリコン原料の融解方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2015年12月24日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの面取り方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 611 A |
2015年12月22日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | ウェーハ研磨方法および研磨装置 FI分類-B24B 37/04 G, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの厚み分布測定システムおよび半導体ウェーハ研磨システム、半導体ウェーハの厚み分布測定方法および半導体ウェーハの厚み取り代分布測定方法、ならびに半導体ウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 49/03 Z, FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ FI分類-C30B 31/22, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ FI分類-C30B 29/52, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/322 J |
2015年12月17日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの汚染評価方法およびそれを用いたエピタキシャル成長装置の汚染評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2015年12月17日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 27/14 A, FI分類-H01L 21/265 W, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/265 602 C |
2015年12月15日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 27/14 A, FI分類-H01L 21/265 W, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/265 602 C |
2015年12月14日 特許庁 / 特許 | クリーニング装置、クリーニング方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/30, FI分類-C30B 29/06 502 F |
2015年12月10日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年12月08日 特許庁 / 特許 | 特定欠陥の検出方法、特定欠陥の検出システムおよびプログラム FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年12月07日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/12, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2015年12月07日 特許庁 / 特許 | 双晶欠陥発生領域の除去方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年12月07日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2015年11月30日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法およびその利用 FI分類-H01L 21/66 M |
2015年11月27日 特許庁 / 特許 | ウェーハの評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶インゴット FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年11月26日 特許庁 / 特許 | ウェーハ研磨方法 FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-B24B 37/04 N, FI分類-H01L 21/304 622 K, FI分類-H01L 21/304 622 R, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2015年11月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年11月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の酸素濃度の評価方法およびシリコン単結晶 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年11月16日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造装置 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 G |
2015年11月16日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 N |
2015年11月13日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年11月09日 特許庁 / 特許 | 原料のリチャージ又は単結晶引上げに用いられる蓋付容器 FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年11月09日 特許庁 / 特許 | サセプタ、気相成長装置および気相成長方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2015年10月30日 特許庁 / 特許 | 顕微ラマン分光分析装置による分析方法 FI分類-G01N 21/65, FI分類-H01L 21/66 J |
2015年10月30日 特許庁 / 特許 | ウェーハ研磨装置およびこれに用いる研磨ヘッド FI分類-B24B 37/04 N, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2015年10月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの検査方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年10月20日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの加工方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 7/22 A, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 622 J |
2015年10月15日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置が備えるヒータ関連部材の選択方法 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2015年10月15日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 27/14 A, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2015年10月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置および製造方法 FI分類-C30B 15/20 |
2015年10月09日 特許庁 / 特許 | 研削装置および研削方法 FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-H01L 21/304 631 |
2015年10月07日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法 FI分類-G01N 21/88 H, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年10月06日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の引上げ方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2015年10月06日 特許庁 / 特許 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年10月05日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年09月24日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハ表面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ表面検査方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年09月24日 特許庁 / 特許 | 酸化ガリウム単結晶育成用ルツボおよび酸化ガリウム単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 15/00 P |
2015年09月24日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボの破壊検査方法及び良否判定方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2015年09月24日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及び製造システム FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年09月24日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年09月16日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの成膜条件決定方法、ならびにエピタキシャルウェーハの製造方法および製造装置 FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205 |
2015年09月15日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法および装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年09月10日 特許庁 / 特許 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-H01L 21/66 C, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年09月04日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハ FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 504 E |
2015年09月03日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年09月03日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/263 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Y |
2015年08月27日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-B23K 20/00 310 L |
2015年08月27日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/322 G, FI分類-H01L 21/322 J |
2015年08月27日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハ FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/322 J |
2015年08月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 30/04, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2015年08月26日 特許庁 / 特許 | n型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、n型シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 A, FI分類-C30B 29/06 502 D |
2015年08月26日 特許庁 / 特許 | n型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、n型シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年08月24日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの工程計画立案システム、工程計画立案装置、工程計画立案方法及びプログラム FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-G05B 19/418 Z, FI分類-G06Q 50/04 100 |
2015年08月21日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法および製造装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年08月21日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 K |
2015年07月31日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2015年07月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 29/06 504 E |
2015年07月03日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の検査方法および製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年07月02日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶引上げ装置内の部材の再生方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2015年07月02日 特許庁 / 特許 | シリコン融液供給装置及び方法並びにシリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年06月30日 特許庁 / 特許 | DLTS測定装置の管理方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2015年06月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 33/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/302 102, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2015年06月26日 特許庁 / 特許 | ミニエンバイロメント装置 FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 T |
2015年06月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2015年06月23日 特許庁 / 特許 | ワイヤーソー装置およびワークの切断方法 FI分類-B28D 7/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2015年05月29日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2015年05月29日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2015年05月29日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハのエッチング装置及び半導体ウェーハのエッチング方法 FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/306 J, FI分類-H01L 21/306 M, FI分類-H01L 21/304 642 D |
2015年05月08日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年04月30日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2015年04月28日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 45/00 Z, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2015年04月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2015年04月27日 特許庁 / 特許 | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2015年04月27日 特許庁 / 特許 | ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 FI分類-B24B 53/053, FI分類-B24B 53/065, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2015年04月17日 特許庁 / 特許 | 種結晶の温度測定方法、および単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年04月14日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの評価方法および評価装置 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年04月10日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/265 T |
2015年04月10日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/324 T, FI分類-H01L 21/324 X |
2015年04月10日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年04月09日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ用種結晶保持具及びこれを用いたシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/32, FI分類-C04B 35/52 E, FI分類-C30B 29/06 502 F |
2015年03月27日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2015年03月27日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B28D 5/04 D, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 Z |
2015年03月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2015年03月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年03月18日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法及び半導体基板の製造方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 N |
2015年02月26日 特許庁 / 特許 | 原料融液液面と種結晶下端との間隔測定方法、種結晶の予熱方法、および単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/26 |
2015年02月25日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/26 T, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/66 T, FI分類-H01L 21/322 Y |
2015年02月25日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法および半導体ウェーハの枚葉式片面研磨装置 FI分類-B24B 37/04 V, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2015年02月25日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法、それを用いた半導体ウェーハの判定方法および製造方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 27/14 Z, FI分類-H01L 21/322 G, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 Z |
2015年02月20日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置及びサセプタサポートシャフト FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2015年02月03日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置、およびエピタキシャル成長方法 FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205 |
2015年01月14日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年01月13日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/78 A, FI分類-H01L 21/302 105 A |
2015年01月09日 特許庁 / 特許 | ワークの厚さ測定装置、測定方法、及びワークの研磨装置 FI分類-B24B 49/12, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2014年12月26日 特許庁 / 特許 | 砥粒の評価方法、および、シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-G01N 15/06 E, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2014年12月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2014年12月25日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2014年12月25日 特許庁 / 特許 | 石英ガラスルツボ及びその歪み測定装置 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-G01N 21/21 Z, FI分類-G01N 21/27 A, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2014年12月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年12月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 A |
2014年12月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2014年12月04日 特許庁 / 特許 | 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法 FI分類-B24B 37/04 Z, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 H |
2014年12月02日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年11月26日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2014年11月12日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置 FI分類-H01L 21/26 Q, FI分類-H01L 21/68 N |
2014年11月12日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 T, FI分類-H01L 21/304 648 Z |
2014年10月31日 特許庁 / 特許 | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/31 F, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2014年10月31日 特許庁 / 特許 | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/31 F, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2014年10月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び製造装置 FI分類-C30B 13/30 |
2014年10月17日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び製造装置 FI分類-C30B 13/12 |
2014年10月03日 特許庁 / 特許 | 研磨剤組成物、シリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法 FI分類-C09G 1/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2014年10月02日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2014年09月25日 特許庁 / 特許 | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2014年09月22日 特許庁 / 特許 | 単結晶SiCウェーハの製造方法 FI分類-C30B 23/08 Z, FI分類-C30B 29/36 A |
2014年09月22日 特許庁 / 特許 | 貼合せSiCウェーハの製造方法及び貼合せSiCウェーハ FI分類-C23C 16/01, FI分類-C23C 16/42, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2014年09月22日 特許庁 / 特許 | ルツボ測定装置 FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-G01N 21/47 Z, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2014年09月22日 特許庁 / 特許 | シリカガラスルツボの製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2014年09月22日 特許庁 / 特許 | ルツボ測定方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-G01N 21/65, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2014年09月19日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及び気相成長装置 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-F16K 27/00 A |
2014年09月11日 特許庁 / 特許 | ボロンドープp型シリコンウェーハの金属汚染評価方法および評価装置、ならびにボロンドープp型シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2014年09月05日 特許庁 / 特許 | 結晶欠陥の評価方法及びウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/12, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/302 104 Z |
2014年08月29日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/04 G, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2014年08月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法、ならびに、固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 G |
2014年07月29日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 504 D |
2014年07月25日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 D, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2014年07月17日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び製造装置 FI分類-C30B 13/30 |
2014年07月09日 特許庁 / 特許 | DNAチップ及びその製造方法 FI分類-C12M 1/00 A, FI分類-C12M 1/34 Z, FI分類-C12N 15/00 F, FI分類-G01N 33/53 M, FI分類-G01N 33/543 525 G, FI分類-G01N 33/543 525 U, FI分類-G01N 33/543 525 W |
2014年07月09日 特許庁 / 特許 | バイオチップ及びその製造方法 FI分類-C12M 1/00 A, FI分類-C12M 1/34 B, FI分類-C12M 1/34 F, FI分類-C12M 1/34 Z, FI分類-G01N 33/53 M, FI分類-G01N 33/543 525 G, FI分類-G01N 33/543 525 U, FI分類-G01N 33/543 525 W |
2014年07月09日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/322 Y |
2014年07月04日 特許庁 / 特許 | 半導体基板表面の有機物汚染評価方法およびその利用 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 N |
2014年06月24日 特許庁 / 特許 | 研削装置および研削方法 FI分類-B24B 47/12, FI分類-B24B 49/10, FI分類-G01B 21/22, FI分類-B24B 41/047, FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-B24B 49/02 Z, FI分類-H01L 21/304 631 |
2014年06月24日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法およびウェーハの研磨装置 FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2014年06月05日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/12, FI分類-C30B 13/30 |
2014年05月19日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 49/16, FI分類-C30B 33/10, FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 622 R, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2014年02月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/324 T, FI分類-H01L 21/324 X |
2014年02月21日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/322 J |
2014年02月20日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 E, FI分類-B24B 27/06 F, FI分類-B24B 27/06 R, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2014年02月17日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 29/00 N, FI分類-B24B 37/00 R, FI分類-B24B 9/00 601 G, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 C, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2014年02月04日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの加工方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2014年01月23日 特許庁 / 特許 | シリコンの溶解方法及びその装置並びに該装置を備えたシリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2014年01月14日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年01月07日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
2014年01月07日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 27/14 A, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/322 J |
株式会社SUMCOの商標情報(10件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2023年05月15日 特許庁 / 商標 | SUMCO 01類 |
2023年05月15日 特許庁 / 商標 | §SUMCO 01類 |
2018年08月09日 特許庁 / 商標 | JSQ 11類, 19類, 21類 |
2018年08月09日 特許庁 / 商標 | JSQ 11類, 19類, 21類 |
2016年12月21日 特許庁 / 商標 | SUMCO 35類, 41類, 43類, 44類 |
2016年12月21日 特許庁 / 商標 | §SUMCO 35類, 41類, 43類, 44類 |
2016年12月13日 特許庁 / 商標 | Nursery School Imari＼SUMCOいまり保育園 35類, 41類, 43類, 44類 |
2016年12月13日 特許庁 / 商標 | SUMCOいまり保育園 35類, 41類, 43類, 44類 |
2016年12月13日 特許庁 / 商標 | Nursery School Imari＼SUMCO＼いまり保育園 35類, 41類, 43類, 44類 |
2014年12月25日 特許庁 / 商標 | 勝高 01類, 02類, 07類, 17類 |
株式会社SUMCOの意匠情報(5件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2017年12月28日 特許庁 / 意匠 | ウェーハ収納容器用緩衝材 意匠新分類-F491100 |
2017年12月28日 特許庁 / 意匠 | ウェーハ収納容器用緩衝材 意匠新分類-F491100 |
2017年12月28日 特許庁 / 意匠 | ウェーハ収納容器用緩衝材 意匠新分類-F491100 |
2017年12月28日 特許庁 / 意匠 | ウェーハ収納容器用緩衝材 意匠新分類-F491100 |
2017年12月28日 特許庁 / 意匠 | ウェーハ収納容器用緩衝材 意匠新分類-F491100 |
株式会社SUMCOの職場情報
| 項目 | データ |
|---|---|
企業規模 | 4,938人 男性 4,466人 / 女性 472人 |
株式会社SUMCOの閲覧回数
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