JSWアクティナシステム株式会社

JSWアクティナシステム株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

JSWアクティナシステム株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	JSWアクティナシステム株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	ジェイエスダブリューアクティナシステム
法人番号	3020001046599
会社法人等番号	0200-01-046599
登記所	横浜地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T3020001046599 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒236-0004 ※地方自治体コードは 14108
国内所在地（都道府県）都道府県	神奈川県 ※神奈川県の法人数は 365,710件
国内所在地（市区町村）市区町村	横浜市金沢区 ※横浜市金沢区の法人数は 6,285件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	福浦2丁目2番地1
国内所在地（1行表示）1行表示	神奈川県横浜市金沢区福浦2丁目2番地1
国内所在地（読み仮名）読み仮名	カナガワケンヨコハマシカナザワクフクウラ2チョウメ
更新年月日更新日	2021年10月07日
変更年月日変更日	2021年10月01日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	神奈川労働局 〒231-8434 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地横浜第2合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	横浜南労働基準監督署 〒231-0003 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地 横浜第2合同庁舎9階

JSWアクティナシステム株式会社の場所

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JSWアクティナシステム株式会社の登録履歴

日付	内容
2021年10月01日	【名称変更】 名称が「JSWアクティナシステム株式会社」に変更されました。
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「JSW ITサービス株式会社」で、「神奈川県横浜市金沢区福浦2丁目2番地1」に新規登録されました。

JSWアクティナシステム株式会社の法人活動情報

JSWアクティナシステム株式会社の特許情報(48件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年02月26日 特許庁 / 特許	浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 FI分類-B65G 51/03 A, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2020年02月26日 特許庁 / 特許	浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/07 J, FI分類-B65G 51/03 A, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2020年02月13日 特許庁 / 特許	浮上搬送装置、及びレーザ処理装置 FI分類-B65G 49/07 J, FI分類-B65G 51/03 A, FI分類-H01L 21/268 G
2019年11月07日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置及びレーザビームのプロファイル測定方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B23K 26/066, FI分類-B23K 26/073, FI分類-B23K 26/00 M, FI分類-H01L 21/268 T
2019年08月29日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 A, FI分類-B65G 51/03 A, FI分類-B65G 51/03 C, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 29/78 627 G
2019年04月16日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01S 3/00 A, FI分類-H01S 3/10 Z, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 29/78 627 F, FI分類-H01L 29/78 627 G
2019年04月16日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 29/78 627 G
2019年04月11日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置 FI分類-B23K 26/10, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 29/78 627 G
2019年03月08日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/07 J, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 21/268 T
2019年01月28日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置および表示装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 29/78 627 G
2018年08月07日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G
2018年08月07日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 T
2018年07月10日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 21/268 T
2018年04月19日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 29/78 627 G
2018年02月06日 特許庁 / 特許	レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法 FI分類-B23K 26/57, FI分類-H01L 27/32, FI分類-H05B 33/10, FI分類-B23K 26/08 D, FI分類-B23K 26/08 F, FI分類-H05B 33/14 A, FI分類-G09F 9/00 338
2018年01月11日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 27/32, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H05B 33/14 A, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 29/78 627 G
2017年10月10日 特許庁 / 特許	レーザアニール方法およびレーザアニール装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 T
2017年10月10日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置およびレーザ処理方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G
2017年08月25日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 K, FI分類-H01L 21/268 F, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 21/268 T
2017年08月25日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置及び基板搬送装置 FI分類-B23K 26/354, FI分類-B23K 26/08 D, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/78 B
2017年04月26日 特許庁 / 特許	ディスプレイの製造方法、ディスプレイ及び液晶テレビ FI分類-H01L 21/20, FI分類-G02F 1/1368, FI分類-H01L 29/78 627 G
2017年03月16日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-B23K 26/10, FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 A, FI分類-H01L 21/268 G
2017年03月16日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 47/91 D, FI分類-B65G 49/06 A, FI分類-H01L 21/268 G
2017年03月16日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 29/78 627 G
2016年12月20日 特許庁 / 特許	レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法 FI分類-B23K 26/16, FI分類-B23K 26/57, FI分類-B23K 26/142
2016年12月20日 特許庁 / 特許	レーザ剥離装置、レーザ剥離方法、及び有機ELディスプレイの製造方法 FI分類-B23K 26/16, FI分類-B23K 26/57, FI分類-B23K 26/142, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/304 611 Z
2016年10月20日 特許庁 / 特許	結晶半導体膜製造方法、結晶半導体膜製造装置および結晶半導体膜製造装置の制御方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 T, FI分類-H01L 29/78 627 G
2016年10月20日 特許庁 / 特許	レーザ加工装置およびレーザ加工方法 FI分類-B23K 26/10, FI分類-B23K 26/57, FI分類-B23K 26/08 D, FI分類-B23K 26/08 Z, FI分類-G09F 9/00 338
2016年10月14日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 A, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2016年10月14日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2016年10月14日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G
2016年10月06日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H05B 33/14 A, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 29/78 627 G
2016年10月04日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、半導体装置の製造方法、及び、レーザ照射装置の動作方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-G09F 9/00 338, FI分類-H01L 21/268 F, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 T, FI分類-H01L 29/78 627 G
2016年10月04日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-B23K 26/10, FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 Z, FI分類-B65G 51/03 A, FI分類-B65G 51/03 D, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2016年09月21日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2016年08月29日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-B23K 26/10, FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 51/03 Z, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/268 G, FI分類-H01L 21/268 T
2016年08月29日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2016年08月29日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 G
2016年07月26日 特許庁 / 特許	レーザアニール加工装置、半導体装置の製造方法およびアモルファスシリコンの結晶化方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-G02F 1/1368, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 21/268 T, FI分類-H01L 29/78 627 G
2016年06月15日 特許庁 / 特許	多結晶半導体膜の製造方法、レーザアニール装置、薄膜トランジスタ、およびディスプレイ FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 J, FI分類-H01L 21/268 T, FI分類-H01L 29/78 627 G
2015年10月27日 特許庁 / 特許	被処理体搬送装置、半導体製造装置および被処理体搬送方法 FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2015年10月26日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置整流装置およびレーザ処理装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B23K 26/142, FI分類-H01L 21/268 G
2015年05月08日 特許庁 / 特許	レーザアニール装置、レーザアニール処理用連続搬送路およびレーザアニール処理方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/268 F, FI分類-H01L 21/268 G
2015年02月27日 特許庁 / 特許	雰囲気形成装置および浮上搬送方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 Z, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 C, FI分類-H01L 21/268 G
2015年02月27日 特許庁 / 特許	レーザ照射装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-B65G 49/06 Z, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2015年02月27日 特許庁 / 特許	ガス浮上ワーク支持装置 FI分類-B65G 49/06 Z, FI分類-F16C 32/06 A
2015年02月27日 特許庁 / 特許	レーザ処理装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/268 G
2015年01月09日 特許庁 / 特許	半導体膜の表面ムラ検出装置、レーザアニール装置および半導体膜の表面ムラ検出方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A, FI分類-H01L 21/268 G

JSWアクティナシステム株式会社の商標情報(10件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2021年11月26日 特許庁 / 商標	StiFloat 07類
2021年11月26日 特許庁 / 商標	YIELDEdGE 07類
2021年11月26日 特許庁 / 商標	YIELDvia 07類
2021年11月26日 特許庁 / 商標	Clean Scan 07類
2021年11月04日 特許庁 / 商標	§AKTinA 07類
2021年11月04日 特許庁 / 商標	§JSW AKTinA 07類
2021年08月27日 特許庁 / 商標	JSWアクティナシステム株式会社 07類
2021年08月27日 特許庁 / 商標	JSW Aktina System Co.,Ltd. 07類
2020年06月16日 特許庁 / 商標	YIELDSCAN 07類
2020年05月20日 特許庁 / 商標	iSCAN 07類

JSWアクティナシステム株式会社の意匠情報(3件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2022年05月24日 特許庁 / 意匠	レーザアニール機 意匠新分類-K070
2022年05月24日 特許庁 / 意匠	レーザアニール機 意匠新分類-K070
2022年05月24日 特許庁 / 意匠	レーザアニール機 意匠新分類-K070

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