住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	住友電工デバイス・イノベーション株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	スミトモデンコウデバイスイノベーション
法人番号	3020001061697
会社法人等番号	0200-01-061697
登記所	横浜地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T3020001061697 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒244-0845 ※地方自治体コードは 14115
国内所在地（都道府県）都道府県	神奈川県 ※神奈川県の法人数は 366,379件
国内所在地（市区町村）市区町村	横浜市栄区 ※横浜市栄区の法人数は 3,008件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	金井町1番地
国内所在地（1行表示）1行表示	神奈川県横浜市栄区金井町1番地
国内所在地（読み仮名）読み仮名	カナガワケンヨコハマシサカエクカナイチョウ
従業員数	1,522人
電話番号TEL	045-853-8150
FAX番号FAX	045-853-8173
ホームページHP	http://www.sedi.co.jp/
更新年月日更新日	2018年07月27日
変更年月日変更日	2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	神奈川労働局 〒231-8434 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地横浜第2合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	横浜西労働基準監督署 〒240-8612 神奈川県横浜市保土ヶ谷区岩井町1-7 保土ヶ谷駅ビル4階

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の場所

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住友電工デバイス・イノベーション株式会社の登録履歴

日付	内容
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「住友電工デバイス・イノベーション株式会社」で、「神奈川県横浜市栄区金井町1番地」に新規登録されました。

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の法人活動情報

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の届出情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年11月29日 経済産業省	支店:住友電工デバイス・イノベーション株式会社 山梨事業所 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の特許情報(168件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年08月21日 特許庁 / 特許	光半導体装置及びキャリア FI分類-H01S 5/022, FI分類-H05K 1/16 C
2020年07月01日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/42, FI分類-G02B 13/14
2020年05月11日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/92 602 F, FI分類-H01L 21/92 603 G, FI分類-H01L 21/92 604 D, FI分類-H01L 21/92 604 S
2020年03月02日 特許庁 / 特許	光導波路型受光素子 FI分類-H01L 31/10 B, FI分類-G02B 6/12 301
2020年03月02日 特許庁 / 特許	半導体受光素子 FI分類-H01L 31/10 B, FI分類-G02B 6/12 301
2020年02月26日 特許庁 / 特許	光変調器キャリア組立体及び光モジュール FI分類-H01S 5/022
2020年02月21日 特許庁 / 特許	電界効果トランジスタ及び半導体装置 FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/80 G, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 P, FI分類-H01L 29/06 301 F
2020年02月06日 特許庁 / 特許	半導体モジュール及び半導体デバイス収容体 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/04 E
2019年12月17日 特許庁 / 特許	光半導体装置 FI分類-H01S 5/022
2019年09月27日 特許庁 / 特許	光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 31/02 B
2019年09月13日 特許庁 / 特許	光半導体素子およびその製造方法 FI分類-H01S 5/227, FI分類-H01S 5/042 612
2019年09月10日 特許庁 / 特許	高電子移動度トランジスタの製造方法 FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H
2019年08月02日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 23/12 301 Z
2019年06月19日 特許庁 / 特許	電子デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/60 301 A
2019年05月27日 特許庁 / 特許	増幅装置 FI分類-H03F 1/42, FI分類-H03F 3/60, FI分類-H03F 3/193, FI分類-H01L 27/04 E, FI分類-H01L 27/04 F
2019年04月23日 特許庁 / 特許	光半導体装置 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/0687
2019年04月15日 特許庁 / 特許	高周波増幅器 FI分類-H03F 1/34, FI分類-H03F 3/24, FI分類-H03F 3/60
2019年03月13日 特許庁 / 特許	マイクロ波集積回路 FI分類-H01L 21/82 L, FI分類-H01L 21/90 B, FI分類-H01L 27/04 D, FI分類-H01L 27/04 E, FI分類-H01L 27/04 H
2019年03月13日 特許庁 / 特許	マイクロ波集積回路 FI分類-H03F 3/68, FI分類-H03F 3/189, FI分類-H03F 3/195
2019年02月28日 特許庁 / 特許	半導体デバイスの製造方法、半導体装置の製造方法、半導体デバイス、及び半導体装置 FI分類-H01L 21/52 A, FI分類-H01L 21/78 L, FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 29/80 H
2019年02月28日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法及び半導体装置 FI分類-H01L 21/88 R, FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 21/92 602 H, FI分類-H01L 21/92 602 L, FI分類-H01L 21/92 603 D, FI分類-H01L 21/92 603 G
2019年02月19日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法および半導体装置 FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 L, FI分類-H01L 29/80 U, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 21/302 105 A
2019年02月14日 特許庁 / 特許	半導体装置用のパッケージおよび半導体装置 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/04 E, FI分類-H01L 23/12 301 Z
2019年02月08日 特許庁 / 特許	半導体モジュールの製造方法、及び半導体モジュール FI分類-H03F 3/189, FI分類-H01L 21/52 D, FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/36 D, FI分類-H01L 23/36 M, FI分類-H01L 25/04 Z, FI分類-H01L 23/12 301 C
2018年12月27日 特許庁 / 特許	波長可変レーザ装置の制御方法 FI分類-H01S 5/0687, FI分類-H01S 5/50 610
2018年12月25日 特許庁 / 特許	電子部品の製造方法及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 25/00 B, FI分類-H05K 3/34 505 E, FI分類-H01L 21/60 311 S
2018年12月11日 特許庁 / 特許	試験用治具 FI分類-G01R 31/26 H
2018年10月19日 特許庁 / 特許	移載装置及びその操作方法 FI分類-B25J 9/02 A, FI分類-B65G 47/82 C, FI分類-B65G 47/88 D
2018年10月17日 特許庁 / 特許	半導体レーザ素子及びその製造方法 FI分類-H01S 5/12, FI分類-G02B 6/124, FI分類-G02B 6/132, FI分類-G02F 1/025, FI分類-G02B 6/12 301, FI分類-G02B 6/12 363, FI分類-H01S 5/026 616
2018年09月21日 特許庁 / 特許	光受信装置および光受信装置のパワーモニタ方法 FI分類-H03F 3/08, FI分類-H04B 10/69
2018年09月13日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/44 P, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/80 E, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 L
2018年09月06日 特許庁 / 特許	光受信装置の製造方法 FI分類-G02B 6/27, FI分類-G02B 6/42, FI分類-G02F 2/00
2018年09月06日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H03H 7/38 Z, FI分類-H05K 1/02 P, FI分類-H05K 3/46 Q, FI分類-H05K 3/46 Z, FI分類-H01L 23/12 B, FI分類-H01S 5/042 630, FI分類-H01L 23/12 301 Z
2018年09月05日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/12 B, FI分類-H01L 23/12 F, FI分類-H01L 21/60 311 Q, FI分類-H01L 21/92 602 G, FI分類-H01L 21/92 602 H, FI分類-H01L 21/92 602 L
2018年08月31日 特許庁 / 特許	光受信装置の組立方法 FI分類-G02B 6/27, FI分類-G02B 6/42, FI分類-H04B 10/07, FI分類-H04B 10/61, FI分類-H04J 14/06, FI分類-G02B 6/12 331
2018年08月29日 特許庁 / 特許	高周波増幅器 FI分類-H03F 3/24, FI分類-H03F 3/68 B
2018年08月13日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/12 301, FI分類-H01L 21/60 301 A, FI分類-H01L 21/60 301 N
2018年08月01日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/12 B, FI分類-H01L 23/12 301
2018年08月01日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/12 301
2018年08月01日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/12 301
2018年08月01日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/12 301
2018年08月01日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/02 C, FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/02 Z
2018年07月26日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 21/88 N, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 U
2018年07月13日 特許庁 / 特許	光源調整方法 FI分類-G02B 6/30, FI分類-G02B 6/42, FI分類-G02F 2/00, FI分類-H04B 10/61, FI分類-H04J 14/06, FI分類-G02B 6/28 R
2018年07月11日 特許庁 / 特許	半導体増幅器 FI分類-H03F 3/195
2018年06月27日 特許庁 / 特許	波長可変レーザ装置の制御方法 FI分類-H01S 5/12, FI分類-H01S 5/068
2018年06月26日 特許庁 / 特許	半導体装置、および、半導体チップの搭載方法 FI分類-H01L 21/52 B, FI分類-B23K 1/00 330 E
2018年06月14日 特許庁 / 特許	可変減衰器 FI分類-H01P 1/22
2018年06月13日 特許庁 / 特許	半導体デバイスの製造方法 FI分類-H01L 29/62, FI分類-H01L 29/64, FI分類-H01L 21/28 B, FI分類-H01L 29/58 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/283 B, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R
2018年06月13日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/02 C, FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/04 E, FI分類-H01L 23/06 B
2018年06月07日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 29/54, FI分類-H01L 21/28 L, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/283 C, FI分類-H01L 21/28 301 R
2018年05月30日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 21/52 A, FI分類-H01L 21/78 Q
2018年05月29日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/06 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 21/318 B, FI分類-H01L 29/06 301 F
2018年05月28日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-H01S 5/022
2018年05月15日 特許庁 / 特許	キャパシタの製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 21/304 643 C
2018年05月09日 特許庁 / 特許	光導波路型受光素子 FI分類-H01L 31/10 A
2018年04月25日 特許庁 / 特許	高電子移動度トランジスタ FI分類-H01L 29/80 H
2018年04月25日 特許庁 / 特許	高電子移動度トランジスタ FI分類-H01L 29/80 H
2018年04月11日 特許庁 / 特許	光トランシーバ及び光トランシーバ挿抜機構 FI分類-G02B 6/42, FI分類-H04B 10/40
2018年03月29日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/02 C, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/308 C
2018年03月22日 特許庁 / 特許	受光モジュールの製造方法 FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01L 25/08 E, FI分類-H01L 25/16 A, FI分類-H01L 31/02 B
2018年03月08日 特許庁 / 特許	可変減衰器 FI分類-H03G 3/10 D
2018年03月02日 特許庁 / 特許	光導波路型受光素子 FI分類-H01L 31/02 C, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-G02B 6/12 301
2018年03月01日 特許庁 / 特許	コヒーレント光通信用受光デバイス FI分類-H01L 31/10 A
2018年02月28日 特許庁 / 特許	ドハティアンプ FI分類-H03F 1/07, FI分類-H03F 3/68 B
2018年02月27日 特許庁 / 特許	半導体光集積デバイス FI分類-G02F 2/00, FI分類-H01L 31/02 D, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-G02B 6/12 301, FI分類-G02B 6/12 311
2018年02月19日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 21/28 L, FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/58 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 M, FI分類-H01L 21/283 B, FI分類-H01L 21/283 C
2018年02月16日 特許庁 / 特許	光トランシーバ FI分類-G02B 6/42
2018年01月22日 特許庁 / 特許	光半導体素子の製造方法 FI分類-H01S 5/12, FI分類-H01L 21/308 C
2017年12月07日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 F
2017年11月30日 特許庁 / 特許	ドハティアンプ FI分類-H03F 1/07, FI分類-H03F 3/24
2017年10月25日 特許庁 / 特許	試験装置 FI分類-G01M 11/00 T, FI分類-G01R 31/26 F
2017年10月24日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/06 301 F
2017年10月24日 特許庁 / 特許	半導体増幅装置 FI分類-H03F 3/195, FI分類-H03F 3/213
2017年10月16日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/28 A, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/283 C, FI分類-H01L 21/28 301 B
2017年10月11日 特許庁 / 特許	光半導体素子およびその製造方法 FI分類-H01S 5/227, FI分類-H01L 21/205
2017年10月06日 特許庁 / 特許	光受信モジュール FI分類-G02B 6/43
2017年09月28日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法および半導体装置 FI分類-H01L 21/28 E, FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/28 301 B
2017年09月07日 特許庁 / 特許	半導体レーザ素子の製造方法 FI分類-H01S 5/12
2017年08月16日 特許庁 / 特許	可変減衰器 FI分類-H01P 1/22, FI分類-H03H 11/24 B
2017年08月07日 特許庁 / 特許	キャパシタ構造の作製方法 FI分類-H01L 21/88 B, FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01G 4/06 102, FI分類-H01G 4/12 394, FI分類-H01G 4/12 400
2017年07月19日 特許庁 / 特許	光増幅装置の制御方法および光増幅装置 FI分類-G02F 1/01 B, FI分類-H04B 10/075, FI分類-H04B 10/291, FI分類-H01S 5/50 610
2017年07月04日 特許庁 / 特許	光トランシーバ FI分類-G02B 6/42, FI分類-H05K 5/03 D
2017年06月13日 特許庁 / 特許	窒化物半導体トランジスタの製造方法及び窒化物半導体トランジスタ FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/78 301 B
2017年06月02日 特許庁 / 特許	半導体基板の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H
2017年05月09日 特許庁 / 特許	半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法 FI分類-H01L 21/52 A, FI分類-H01L 25/04 Z
2017年05月09日 特許庁 / 特許	半導体モジュール、及び半導体モジュールの製造方法 FI分類-H01L 23/30 B, FI分類-H01L 25/04 C, FI分類-H01L 21/60 301 A
2017年04月25日 特許庁 / 特許	光半導体装置 FI分類-H01S 5/40, FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/042 630
2017年04月25日 特許庁 / 特許	光半導体装置 FI分類-H01S 5/022, FI分類-G02F 1/015 505
2017年03月27日 特許庁 / 特許	電子装置およびその製造方法 FI分類-H01L 23/12 J, FI分類-H01L 23/40 F
2017年03月22日 特許庁 / 特許	半導体基板の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 C, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 29/80 H
2017年03月01日 特許庁 / 特許	受光素子の製造方法 FI分類-H01L 31/10 A
2017年02月22日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/78 Q, FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 21/306 F, FI分類-H01L 23/12 501 P, FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年01月16日 特許庁 / 特許	半導体基板の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H
2017年01月12日 特許庁 / 特許	光半導体素子の製造方法および光半導体素子 FI分類-H01S 5/227
2017年01月06日 特許庁 / 特許	パッケージおよび半導体装置 FI分類-H01L 23/02 C, FI分類-H01L 23/04 E
2017年01月06日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/318 B
2016年12月28日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/04 E, FI分類-H01L 23/08 C, FI分類-H01L 23/10 B, FI分類-H01L 23/12 301 C
2016年11月30日 特許庁 / 特許	半導体基板の製造方法 FI分類-C23C 16/30, FI分類-C23C 16/34, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 29/80 H
2016年11月25日 特許庁 / 特許	電子装置組立体 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 23/02 F
2016年11月22日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H03F 3/60, FI分類-H03F 3/195, FI分類-H03F 1/52 Z
2016年11月18日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-H01S 5/022, FI分類-H05K 1/02 J
2016年11月01日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/42
2016年11月01日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01L 31/02 B
2016年10月27日 特許庁 / 特許	半導体レーザ装置の動作条件決定方法 FI分類-H01S 5/0625, FI分類-H01S 5/026 616
2016年09月27日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/06 301 F
2016年08月30日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 27/04 C
2016年08月26日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 29/38, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H
2016年08月05日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/42
2016年07月27日 特許庁 / 特許	光コネクタの組立治具、組立方法 FI分類-G02B 6/36
2016年07月13日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 29/80 H
2016年07月11日 特許庁 / 特許	波長可変レーザの駆動条件設定方法及び波長可変レーザシステム FI分類-H01S 5/0687
2016年07月05日 特許庁 / 特許	コンデンサの製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01G 4/06 102, FI分類-H01G 4/12 397, FI分類-H01G 4/12 400
2016年06月30日 特許庁 / 特許	コヒーレントレシーバの組立方法 FI分類-G02B 6/32, FI分類-G02B 6/42, FI分類-G02F 1/01 F, FI分類-H01L 31/02 C
2016年06月28日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/88 S, FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H
2016年06月28日 特許庁 / 特許	光モジュールの試験方法 FI分類-G02B 6/42, FI分類-G01M 11/00 T, FI分類-H01L 31/02 D
2016年06月28日 特許庁 / 特許	光モジュールの試験方法 FI分類-G01M 11/00 T
2016年06月22日 特許庁 / 特許	光半導体装置の製造方法及び光半導体装置 FI分類-H01S 5/12, FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-H01S 5/026 612
2016年06月21日 特許庁 / 特許	光トランシーバ FI分類-G02B 6/42
2016年06月20日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 21/92 604 M
2016年06月16日 特許庁 / 特許	キャパシタの製造方法 FI分類-H01G 4/06 102
2016年05月27日 特許庁 / 特許	光送信装置及び光送信装置の駆動調整方法 FI分類-H01S 5/062, FI分類-G02F 1/01 B, FI分類-H04B 9/00 540
2016年05月27日 特許庁 / 特許	光送信装置及び光送信装置の駆動調整方法 FI分類-H01S 5/062, FI分類-G02F 1/01 B, FI分類-H04B 9/00 540
2016年04月25日 特許庁 / 特許	コヒーレント光受信器の特性評価方法 FI分類-G01M 11/00 T, FI分類-H04B 9/00 610
2015年11月24日 特許庁 / 特許	コヒーレントレシーバの試験方法 FI分類-H04B 9/00 173, FI分類-H04B 9/00 610
2015年11月18日 特許庁 / 特許	増幅装置の製造方法 FI分類-H03F 1/26, FI分類-H03F 3/68 Z
2015年11月16日 特許庁 / 特許	光トランシーバ FI分類-H04B 9/00 400, FI分類-H02J 1/00 309 R
2015年11月16日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/28 L, FI分類-H01L 29/58 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/28 301 B
2015年11月16日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C
2015年11月16日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/12 301 C
2015年11月16日 特許庁 / 特許	電子装置 FI分類-H01G 1/14 J, FI分類-H01G 1/14 V, FI分類-H05K 1/18 K, FI分類-H01L 23/02 E, FI分類-H01L 23/02 H, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 25/00 B, FI分類-H01G 4/12 415, FI分類-H01G 4/12 424, FI分類-H01G 4/12 445
2015年10月28日 特許庁 / 特許	半導体レーザの製造方法 FI分類-H01S 5/12, FI分類-H01S 5/227, FI分類-H01S 5/026 618, FI分類-H01S 5/026 650
2015年09月11日 特許庁 / 特許	光増幅装置の制御方法及び光装置 FI分類-H01S 5/062, FI分類-H01S 5/50 610, FI分類-H04B 9/00 293, FI分類-G02F 1/015 502
2015年08月19日 特許庁 / 特許	光モジュールの製造方法 FI分類-G02B 6/42, FI分類-G02F 2/00, FI分類-H01L 31/02 D
2015年08月17日 特許庁 / 特許	波長可変レーザシステム FI分類-H01S 5/0625
2015年08月03日 特許庁 / 特許	コヒーレント光受信モジュールの製造方法 FI分類-H04B 9/00 610
2015年07月07日 特許庁 / 特許	光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 FI分類-H01S 5/22, FI分類-H01S 5/343, FI分類-H01S 5/042 610
2015年07月06日 特許庁 / 特許	光モジュールを製造する方法及び光モジュール FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/50 610
2015年06月29日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/27, FI分類-G02B 6/32, FI分類-H01S 5/40, FI分類-H01S 5/022, FI分類-G02B 6/26 311
2015年06月24日 特許庁 / 特許	半導体光増幅装置 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01L 31/02 B, FI分類-H01S 5/50 610
2015年06月09日 特許庁 / 特許	電子装置 FI分類-H01P 1/213 P
2015年05月29日 特許庁 / 特許	半導体レーザ素子 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/042 612
2015年05月28日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/42
2015年05月20日 特許庁 / 特許	半導体基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H
2015年04月23日 特許庁 / 特許	半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子の製造方法 FI分類-G02B 5/18, FI分類-H01S 5/12, FI分類-H01L 21/302 105 A
2015年03月09日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/32, FI分類-G02B 6/42
2015年03月06日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/88 S, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H
2015年02月25日 特許庁 / 特許	部品固定構造体及び部品固定構造体の製造方法 FI分類-H01L 21/52 A, FI分類-H01L 21/52 D, FI分類-H01L 23/12 F
2015年02月23日 特許庁 / 特許	光モジュール FI分類-G02B 6/43, FI分類-H01S 5/022
2015年01月30日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/283 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/06 301 F
2015年01月30日 特許庁 / 特許	光装置の制御方法 FI分類-H01S 5/50 610
2014年12月26日 特許庁 / 特許	制御回路 FI分類-H01S 5/062, FI分類-H01S 5/026 616
2014年12月25日 特許庁 / 特許	半導体装置及び半導体装置を製造する方法 FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 21/90 L, FI分類-H01L 21/90 P, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 29/80 U, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/28 301 B
2014年09月02日 特許庁 / 特許	半導体素子及び半導体素子の製造方法 FI分類-H01S 5/062, FI分類-G02B 6/12 B, FI分類-H01S 5/026 650
2014年08月29日 特許庁 / 特許	フレキシブルプリント基板 FI分類-H05K 1/02 E, FI分類-H05K 1/11 D
2014年08月29日 特許庁 / 特許	フレキシブルプリント基板 FI分類-H05K 1/02 B, FI分類-H05K 1/02 K, FI分類-H05K 3/28 B
2014年08月22日 特許庁 / 特許	半導体レーザ素子 FI分類-H01S 5/22, FI分類-H01S 5/042 612
2014年08月08日 特許庁 / 特許	半導体レーザ装置 FI分類-H01S 5/06, FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/042 630
2014年05月30日 特許庁 / 特許	光学装置 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/042 630
2014年03月31日 特許庁 / 特許	電子部品搭載用パッケージ FI分類-H01L 23/00 C, FI分類-H01L 23/04 E
2014年03月27日 特許庁 / 特許	光学装置 FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01S 5/022
2014年01月31日 特許庁 / 特許	波長可変レーザの制御方法 FI分類-H01S 5/0687
2014年01月31日 特許庁 / 特許	波長可変レーザの制御方法 FI分類-H01S 5/12, FI分類-H01S 5/024, FI分類-H01S 5/0687
2014年01月31日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-B23K 26/364, FI分類-B23K 26/00 H, FI分類-H01L 21/78 B, FI分類-H01L 21/78 L, FI分類-H01L 21/78 Q, FI分類-H01L 21/78 S, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 W
2014年01月31日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/78 Q, FI分類-H01L 21/78 S, FI分類-H01L 21/78 V, FI分類-H01L 21/304 631
2014年01月31日 特許庁 / 特許	波長可変レーザの波長切り替え方法 FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/0687
2014年01月29日 特許庁 / 特許	波長可変レーザの制御方法 FI分類-H01S 5/0687
2014年01月24日 特許庁 / 特許	増幅装置 FI分類-H03F 3/195, FI分類-H03F 3/213, FI分類-H03F 3/68 Z

住友電工デバイス・イノベーション株式会社の職場情報

項目	データ
事業概要	通信用半導体デバイスの開発・製造
企業規模	1,522人 男性 1,394人 / 女性 215人
女性労働者の割合 範囲 その他	21.0%

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