ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	ユナイテッドセミコンダクタージャパン
法人番号	3190001022170
会社法人等番号	1900-01-022170
登記所	津地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T3190001022170 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒511-0118 ※地方自治体コードは 24205
国内所在地（都道府県）都道府県	三重県 ※三重県の法人数は 55,768件
国内所在地（市区町村）市区町村	桑名市 ※桑名市の法人数は 4,368件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	多度町御衣野2000番地
国内所在地（1行表示）1行表示	三重県桑名市多度町御衣野2000番地
国内所在地（読み仮名）読み仮名	ミエケンクワナシタドチョウミゾノ
代表者	代表取締役 三沢 信裕
従業員数	1,000人
ホームページHP	https://www.usjpc.com/csr/next-generation
更新年月日更新日	2020年12月11日
変更年月日変更日	2020年12月03日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	三重労働局 〒514-8524 三重県津市島崎町327番2 津第二地方合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	四日市労働基準監督署 〒510-0064 三重県四日市市新正2-5-23

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の場所

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ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の登録履歴

日付	内容
2020年12月03日	【吸収合併】 令和2年11月1日三重県桑名市多度町御衣野2000番地ユー・エム・シー・グループ・ジャパン株式会社(4010001151655)を合併
2019年10月11日	【名称変更】 名称が「ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社」に変更されました。
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「三重富士通セミコンダクター株式会社」で、「三重県桑名市多度町御衣野2000番地」に新規登録されました。

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の法人活動情報

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の表彰情報(2件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2024年09月16日 厚生労働省	えるぼし-認定
2017年12月04日 厚生労働省	女性の活躍推進企業

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の特許情報(21件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2019年03月06日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 27/088 C, FI分類-H01L 29/78 301 G
2018年11月28日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/11519, FI分類-H01L 27/11521, FI分類-H01L 29/78 371
2018年10月23日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 29/78 301 G, FI分類-H01L 29/78 301 Y
2018年06月05日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法 FI分類-G11C 16/16, FI分類-H01L 27/11521, FI分類-H01L 27/11568, FI分類-G11C 16/34 163, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G06F 12/00 550 Z
2018年05月25日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 27/088 B, FI分類-H01L 27/088 C, FI分類-H01L 27/088 H, FI分類-H01L 27/11568, FI分類-H01L 27/11573, FI分類-G11C 16/04 150, FI分類-G11C 16/10 140, FI分類-G11C 16/10 143, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 27/06 102 A
2018年04月25日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/11521, FI分類-H01L 27/11526, FI分類-G11C 16/04 130, FI分類-G11C 16/26 100, FI分類-G11C 16/26 130, FI分類-H01L 29/78 371
2018年01月26日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 27/088 A, FI分類-H01L 27/11536, FI分類-H01L 27/11573, FI分類-H01L 29/78 371
2017年06月19日 特許庁 / 特許	イオン生成装置及びイオン生成方法 FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08
2017年06月02日 特許庁 / 特許	発振回路及び電圧制御装置 FI分類-H03K 3/03, FI分類-H01L 27/04 T, FI分類-H03K 3/354 B
2017年03月14日 特許庁 / 特許	半導体装置及び全波整流回路 FI分類-H02M 7/06 Z, FI分類-H01L 27/04 G, FI分類-H01L 29/91 C, FI分類-H01L 29/91 L
2017年03月13日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/092 D, FI分類-H01L 27/092 K, FI分類-H01L 27/11546, FI分類-H01L 27/11573, FI分類-H01L 29/78 371
2017年02月10日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 M, FI分類-H01L 21/265 V, FI分類-H01L 27/146 A
2016年11月02日 特許庁 / 特許	フォトマスク及び電子装置の製造方法 FI分類-G03F 1/26, FI分類-G03F 1/38, FI分類-G03F 7/20 502, FI分類-G03F 7/20 521
2016年09月26日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/90 A
2016年08月23日 特許庁 / 特許	不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶装置のプログラム方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 621 Z
2016年08月01日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置及びその制御方法 FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-G11C 17/00 623 A, FI分類-G11C 17/00 632 C
2016年07月27日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/26 T, FI分類-H01L 21/265 602 B
2016年05月25日 特許庁 / 特許	ダミーパターン発生方法 FI分類-G03F 1/70, FI分類-H01L 21/82 C, FI分類-H01L 21/88 S, FI分類-H01L 21/88 Z, FI分類-H01L 27/04 D, FI分類-G06F 17/50 658 N
2015年07月13日 特許庁 / 特許	電源立ち上げ時のボディバイアス電圧を確立する集積回路デバイス及び方法 FI分類-H01L 27/04 G, FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H03K 17/00 E, FI分類-H03K 19/094 D, FI分類-H01L 27/08 311 A, FI分類-H01L 27/08 321 C, FI分類-H01L 27/08 331 G
2015年07月13日 特許庁 / 特許	集積回路デバイス及び方法 FI分類-H01L 27/04 G, FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H01L 27/092 C, FI分類-H03K 19/094 220, FI分類-H01L 27/088 311 A, FI分類-H01L 27/088 331 G
2015年02月20日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法およびレチクル FI分類-G03F 1/50, FI分類-G03F 7/20 501, FI分類-H01L 21/30 502 C, FI分類-H01L 21/30 514 A, FI分類-H01L 21/30 514 B

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の商標情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2018年10月18日 特許庁 / 商標	USJC 09類, 40類, 42類

ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社の職場情報

項目	データ
事業概要	半導体製造
企業規模	1,000人 男性 1,005人 / 女性 130人
平均勤続年数 範囲 その他	男性 21.7年 / 女性 12.9年
女性労働者の割合 範囲 その他	34.6%
管理職全体人数	121人 男性 113人 / 女性 8人
役員全体人数	8人

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