法人番号:3370001012269
株式会社福田結晶技術研究所
情報更新日:2025年07月31日
株式会社福田結晶技術研究所とは
株式会社福田結晶技術研究所（フクダケッショウギジュツケンキュウショ）は、法人番号:3370001012269で宮城県仙台市青葉区南吉成6丁目6番地の3に所在する法人として仙台法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。登録情報として、特許情報が9件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2019年05月07日です。
インボイス番号:T3370001012269については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は宮城労働局。仙台労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社福田結晶技術研究所の基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 株式会社福田結晶技術研究所 |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | フクダケッショウギジュツケンキュウショ |
| 法人番号 | 3370001012269 |
| 会社法人等番号 | 3700-01-012269 |
| 登記所 | 仙台法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2025年07月31日更新 インボイス番号 |
T3370001012269 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2025年07月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒989-3204 ※地方自治体コードは 04101 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 宮城県 ※宮城県の法人数は 81,999件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 仙台市青葉区 ※仙台市青葉区の法人数は 18,562件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 南吉成6丁目6番地の3 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 宮城県仙台市青葉区南吉成6丁目6番地の3 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | ミヤギケンセンダイシアオバクミナミヨシナリ6チョウメ |
| 更新年月日更新日 | 2019年05月07日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 宮城労働局 〒983-8585 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地 仙台第4合同庁舎 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 仙台労働基準監督署 〒983-8507 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地仙台第四合同庁舎 |
株式会社福田結晶技術研究所の場所
株式会社福田結晶技術研究所の登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「株式会社福田結晶技術研究所」で、「宮城県仙台市青葉区南吉成6丁目6番地の3」に新規登録されました。 |
株式会社福田結晶技術研究所の関連情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 情報名 | 株式会社福田結晶技術研究所 |
| 情報名 読み | フクダケッショウギジュツケンキュウジョ |
| 住所 | 宮城県仙台市青葉区南吉成6丁目6-3 |
| 電話番号 | 022-303-0170 |
株式会社福田結晶技術研究所の関連情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 情報名 | 株式会社福田結晶技術研究所 結晶センター |
| 情報名 読み | フクダケッショウギジュツケンキュウショケッショウセンター |
| 住所 | 宮城県仙台市青葉区南吉成6丁目5 |
| 電話番号 | 022-303-5590 |
株式会社福田結晶技術研究所の法人活動情報
株式会社福田結晶技術研究所の特許情報(9件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2017年04月07日 特許庁 / 特許 | 高性能Fe-Ga基合金単結晶製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/52 |
2016年08月31日 特許庁 / 特許 | 電磁波のビーム観測方法及び観測システム FI分類-C30B 29/16, FI分類-G01J 1/02 L, FI分類-G01J 1/42 E |
2016年06月15日 特許庁 / 特許 | るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/16, FI分類-F27B 14/10, FI分類-F27D 11/06 A |
2016年05月27日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体自立基板作製方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 A, FI分類-C30B 29/38 C, FI分類-C30B 29/38 D |
2015年12月28日 特許庁 / 特許 | ScAlMgO4単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/22 A |
2015年07月14日 特許庁 / 特許 | タンタル酸リチウム単結晶の育成装置及び育成方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/30 B |
2015年04月28日 特許庁 / 特許 | Fe-Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/52, FI分類-B22D 27/04 D |
2015年04月23日 特許庁 / 特許 | 酸化亜鉛結晶の製造方法、酸化亜鉛結晶、シンチレータ材料及びシンチレータ検出器 FI分類-C30B 7/10, FI分類-C30B 29/16, FI分類-G01T 1/202, FI分類-G01T 1/20 B |
2015年02月27日 特許庁 / 特許 | 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法 FI分類-C23C 16/01, FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D |
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