法人番号:3370001025147
株式会社Piezo Studio
情報更新日:2024年08月31日
株式会社Piezo Studioとは
株式会社Piezo Studio（ピエゾスタジオ）は、法人番号:3370001025147で宮城県仙台市青葉区一番町1丁目4番1号に所在する法人として仙台法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。登録情報として、調達情報が1件、補助金情報が1件、特許情報が8件が登録されています。なお、2020年06月09日に法人番号公表サイトでは登録情報が変更されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2020年06月17日です。
インボイス番号:T3370001025147については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は宮城労働局。仙台労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社Piezo Studioの基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 株式会社Piezo Studio |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | ピエゾスタジオ |
| 法人番号 | 3370001025147 |
| 会社法人等番号 | 3700-01-025147 |
| 登記所 | 仙台法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T3370001025147 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒980-0811 ※地方自治体コードは 04101 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 宮城県 ※宮城県の法人数は 81,567件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 仙台市青葉区 ※仙台市青葉区の法人数は 18,436件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 一番町1丁目4番1号 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 宮城県仙台市青葉区一番町1丁目4番1号 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | ミヤギケンセンダイシアオバクイチバンチョウ1チョウメ |
| 更新年月日更新日 | 2020年06月17日 |
| 変更年月日変更日 | 2020年06月09日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 宮城労働局 〒983-8585 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地 仙台第4合同庁舎 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 仙台労働基準監督署 〒983-8507 宮城県仙台市宮城野区鉄砲町1番地仙台第四合同庁舎 |
株式会社Piezo Studioの場所
株式会社Piezo Studioの登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2020年06月09日 | 【住所変更】 国内所在地が「宮城県仙台市青葉区一番町1丁目4番1号」に変更されました。 |
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「株式会社Piezo Studio」で、「宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉6-6-40」に新規登録されました。 |
株式会社Piezo Studioの法人活動情報
株式会社Piezo Studioの調達情報(1件)
| 期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
|---|---|
2016年04月01日 | GHz帯対応単結晶SMRデバイスの研究開発 3,640,000円 |
株式会社Piezo Studioの補助金情報(1件)
| 期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
|---|---|
2022年07月13日 | 令和4年度中小企業等海外出願・侵害対策支援事業費補助金(中小企業等外国出願支援事業)[宮城県] - |
株式会社Piezo Studioの特許情報(8件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2020年07月22日 特許庁 / 特許 | 発振回路および電子機器 FI分類-H03B 5/32 Z |
2018年12月17日 特許庁 / 特許 | 測定装置 FI分類-H02N 2/18, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/187 |
2018年03月06日 特許庁 / 特許 | 弾性表面波デバイス FI分類-H01L 41/41, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H03H 9/25 C |
2017年02月24日 特許庁 / 特許 | 結晶材料およびその製造方法 FI分類-C30B 15/08, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/317, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C30B 29/34 Z |
2016年11月04日 特許庁 / 特許 | 圧電振動子およびセンサ FI分類-H03H 9/17 G |
2016年07月25日 特許庁 / 特許 | 圧電薄膜素子の製造方法 FI分類-H01L 41/22, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H03H 3/02 B, FI分類-H03H 9/17 F |
2014年08月27日 特許庁 / 特許 | 結晶材料およびその製造方法 FI分類-C30B 15/08, FI分類-H01L 41/41, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H03H 9/17 B, FI分類-C30B 29/34 Z |
2014年05月07日 特許庁 / 特許 | 圧電振動子 FI分類-H03H 9/17 G |
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