アオイ電子株式会社

アオイ電子株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

アオイ電子株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	アオイ電子株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	アオイデンシ
法人番号	3470001000263
会社法人等番号	4700-01-000263
登記所	高松法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T3470001000263 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒761-8014 ※地方自治体コードは 37201
国内所在地（都道府県）都道府県	香川県 ※香川県の法人数は 39,537件
国内所在地（市区町村）市区町村	高松市 ※高松市の法人数は 20,020件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	香西南町455番地の1
国内所在地（1行表示）1行表示	香川県高松市香西南町455番地の1
国内所在地（読み仮名）読み仮名	カガワケンタカマツシコウザイミナミマチ
代表者	取締役社長 木下 和洋
資本金	45億4,550万円 (2024年06月27日現在)
従業員数	1,625人 (2024年06月27日現在)
電話番号TEL	087-882-1131
FAX番号FAX	087-881-5575
ホームページHP	http://www.aoi-electronics.co.jp/
更新年月日更新日	2018年07月02日
変更年月日変更日	2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	香川労働局 〒760-0019 香川県高松市サンポート3番33号高松サンポート合同庁舎2,3階
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	高松労働基準監督署 〒760-0019 香川県高松市サンポート3番33号高松サンポート合同庁舎2階

アオイ電子株式会社の場所

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アオイ電子株式会社の補足情報

項目	内容
企業名 読み仮名	アオイデンシカブシキガイシャ
企業名 英語	AOI ELECTRONICS CO.,LTD.
上場・非上場	上場
資本金	45億4,500万円
業種	電気機器
証券コード	68320

アオイ電子株式会社の登録履歴

日付	内容
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「アオイ電子株式会社」で、「香川県高松市香西南町455番地の1」に新規登録されました。

アオイ電子株式会社と同じ名称の法人

件数	リンク
2件	※「アオイ電子株式会社」と同じ名称の法人を探す

アオイ電子株式会社の関連情報

項目	内容
情報名	アオイ電子株式会社
情報名 読み	アオイデンシ
住所	香川県高松市香西南町455-1
電話番号	087-882-1131

アオイ電子株式会社の法人活動情報

アオイ電子株式会社の表彰情報(3件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年12月22日 経済産業省	地域未来牽引企業
2017年12月04日 厚生労働省	女性の活躍推進企業
2017年12月04日 厚生労働省	両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

アオイ電子株式会社の届出情報(2件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年11月29日 経済産業省	支店:アオイ電子株式会社 高松工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日 経済産業省	支店:アオイ電子株式会社 観音寺工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)

アオイ電子株式会社の特許情報(58件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2022年03月16日 特許庁 / 特許	配線基板および配線基板の製造方法 FI分類-H05K 1/02 L, FI分類-H01L 23/12 K, FI分類-H01L 23/12 Q
2021年11月16日 特許庁 / 特許	半導体装置および配線基板 FI分類-H01L 23/56 Z, FI分類-H01L 23/12 501 P
2021年11月02日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 25/04 C
2021年08月05日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 21/88 Z, FI分類-H01L 23/12 501 P
2021年05月24日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 21/56 R, FI分類-H01L 23/48 G, FI分類-H01L 23/52 E, FI分類-H01L 25/04 C, FI分類-H01L 21/60 321 E
2021年04月16日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 31/12 E
2021年03月11日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法および半導体装置 FI分類-H01L 25/08 Y, FI分類-H01L 23/12 501 P
2021年01月13日 特許庁 / 特許	半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス FI分類-H01L 21/56 T
2020年10月27日 特許庁 / 特許	半導体リレー装置 FI分類-H03K 17/691, FI分類-H03K 17/00 D, FI分類-H03K 17/687 G
2020年09月25日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/12 301 Z, FI分類-H01L 23/12 501 S
2020年09月25日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法および半導体装置 FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 23/12 Z, FI分類-H01L 23/14 C, FI分類-H01L 23/14 R, FI分類-H05K 3/12 610 B, FI分類-H05K 3/12 610 G
2020年09月17日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 FI分類-H01L 23/48 H, FI分類-H01L 23/48 N
2020年07月31日 特許庁 / 特許	グラファイト積層体、グラファイトプレート、およびグラファイト積層体の製造方法 FI分類-C01B 32/21, FI分類-H05K 7/20 F, FI分類-H01L 23/36 M
2020年07月15日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法およびウエハ FI分類-H01L 21/56 R, FI分類-H01L 23/02 F, FI分類-H01L 23/08 A
2020年07月03日 特許庁 / 特許	回路基板および回路基板の製造方法 FI分類-H05K 1/09 A, FI分類-H05K 3/46 B
2020年05月08日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 23/48 G, FI分類-H01L 23/48 P, FI分類-H01L 25/04 C
2020年03月09日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法、および半導体封止体 FI分類-H05K 3/00 X, FI分類-H05K 3/46 B, FI分類-H05K 3/46 Q, FI分類-H01L 21/56 T, FI分類-H01L 23/28 Z
2020年02月10日 特許庁 / 特許	発光装置の製造方法、および発光装置 FI分類-H01L 33/62, FI分類-H05K 1/18 J
2020年02月10日 特許庁 / 特許	発光装置の製造方法、および発光装置 FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 21/60 311 S
2019年12月06日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法、半導体装置および半導体装置の中間体 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 23/12 501 P, FI分類-H01L 23/12 501 Z
2019年11月14日 特許庁 / 特許	発光装置および発光装置の製造方法 FI分類-H01L 33/58
2019年11月14日 特許庁 / 特許	発光装置の製造方法 FI分類-H01L 33/50, FI分類-H01L 33/54, FI分類-H01L 33/62, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-H01L 23/12 F, FI分類-F21S 2/00 110, FI分類-F21V 17/00 155, FI分類-F21V 23/00 160, FI分類-H01L 23/12 501 B
2019年09月17日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/12 K, FI分類-H01L 23/28 A, FI分類-H01L 25/14 Z, FI分類-H01L 23/12 501 B, FI分類-H01L 23/12 501 T
2019年08月30日 特許庁 / 特許	発光装置 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 33/52
2019年08月30日 特許庁 / 特許	発光装置 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 33/50
2019年05月31日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 25/04 C, FI分類-H01L 25/04 Z
2019年04月11日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/28 A, FI分類-H01L 23/48 T
2018年11月28日 特許庁 / 特許	多列型リードフレーム、多列型LED用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにLEDパッケージの製造方法 FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 23/48 K, FI分類-H01L 23/48 Y
2018年10月18日 特許庁 / 特許	サーマルヘッドおよびサーマルヘッドの製造方法 FI分類-B41J 2/335 101 D, FI分類-B41J 2/335 101 F, FI分類-B41J 2/335 101 H
2018年09月21日 特許庁 / 特許	リードフレーム及びその製造方法 FI分類-H01L 23/50 A, FI分類-H01L 23/50 N, FI分類-H01L 23/50 R
2018年09月14日 特許庁 / 特許	ナノピンセット、ナノピンセット中間体、ピンセットキット、ナノピンセットの製造方法、およびナノピンセット中間体の製造方法 FI分類-B25J 7/00, FI分類-C08F 20/00, FI分類-C12M 1/00 A
2018年07月30日 特許庁 / 特許	サーマルプリントヘッド FI分類-B41J 2/335 101 D, FI分類-B41J 2/335 101 F
2018年07月30日 特許庁 / 特許	倒立顕微鏡、操作ツール照明装置、および操作ツールの照明方法 FI分類-G02B 21/32
2018年07月12日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H05K 1/02 Q, FI分類-H05K 3/46 Q, FI分類-H01L 23/12 E, FI分類-H01L 23/36 D, FI分類-H01L 25/14 Z, FI分類-H01L 23/12 501 P
2018年02月06日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H05K 3/00 J, FI分類-H05K 3/00 X, FI分類-H05K 3/46 Q, FI分類-H05K 3/46 X, FI分類-H01L 23/12 501 P
2018年01月29日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 31/12 E
2017年11月28日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 21/56 D, FI分類-H01L 21/78 F, FI分類-H01L 23/50 B, FI分類-H01L 23/50 J, FI分類-H01L 23/50 R
2017年09月27日 特許庁 / 特許	サーマルヘッド FI分類-B41J 2/335 101 F
2017年09月13日 特許庁 / 特許	サーマルヘッド FI分類-B41J 2/34, FI分類-B41J 2/345 B, FI分類-B41J 2/335 101 F
2017年08月15日 特許庁 / 特許	サーマルヘッド FI分類-B41J 2/345 B, FI分類-B41J 2/345 K
2017年08月08日 特許庁 / 特許	サーマルヘッド FI分類-B41J 2/335 101 E
2017年04月28日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/56 R, FI分類-H01L 21/607 B, FI分類-H01L 21/60 311 Q, FI分類-H01L 21/92 602 D, FI分類-H01L 21/92 603 A, FI分類-H01L 21/92 604 H, FI分類-H01L 23/12 501 B
2017年03月15日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/12 501 B
2017年03月15日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H05K 3/00 X, FI分類-H05K 3/28 G, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 23/12 501 P
2016年06月27日 特許庁 / 特許	ワイヤボンディング装置におけるワイヤ繰り出し機構 FI分類-H01L 21/60 301 G
2015年12月15日 特許庁 / 特許	半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/12 501 T
2015年08月28日 特許庁 / 特許	リードフレーム及び半導体装置、並びにそれらの製造方法 FI分類-H01L 23/48 E, FI分類-H01L 23/48 K, FI分類-H01L 23/48 P, FI分類-H01L 23/50 D, FI分類-H01L 23/50 K, FI分類-H01L 23/50 R
2015年07月07日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 21/56 R, FI分類-H01L 23/00 C, FI分類-H01L 23/28 F
2015年06月30日 特許庁 / 特許	配線基板、およびサーマルヘッド FI分類-H05K 1/11 C, FI分類-B41J 2/345 B, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-B41J 2/335 101 E, FI分類-B41J 2/335 101 H, FI分類-H01L 21/60 301 A
2015年06月30日 特許庁 / 特許	配線基板の製造方法、およびサーマルヘッドの製造方法 FI分類-H05K 1/02 J, FI分類-H05K 1/09 C, FI分類-H05K 1/11 D, FI分類-H05K 3/40 C, FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-B41J 2/335 101 E
2015年06月16日 特許庁 / 特許	微小試料台、その製造方法および微小試料の取付方法 FI分類-H01J 37/20 A
2015年05月07日 特許庁 / 特許	サーマルヘッド FI分類-B41J 2/335 101 F
2014年11月26日 特許庁 / 特許	試料固定装置 FI分類-G01N 1/28 W, FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-G01N 23/225 310
2014年11月14日 特許庁 / 特許	試料固定装置および試料分析装置 FI分類-G01N 1/28 F, FI分類-G01N 1/28 W, FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/20 F, FI分類-H01J 37/252 B
2014年10月31日 特許庁 / 特許	試料固定装置 FI分類-G01N 1/28 F, FI分類-G01N 1/28 G, FI分類-G01N 1/28 W
2014年10月31日 特許庁 / 特許	リードフレームの製造方法 FI分類-H01L 33/00 432, FI分類-H01L 33/00 440
2014年10月29日 特許庁 / 特許	半導体デバイスの製造方法 FI分類-B29C 33/42, FI分類-B29C 45/37, FI分類-H01L 21/56 R, FI分類-H01L 31/02 B
2014年06月17日 特許庁 / 特許	湿度センサ検査装置 FI分類-G01N 27/00 A

アオイ電子株式会社の商標情報(3件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2017年03月08日 特許庁 / 商標	PL パッケージ＼PLpackage 09類
2017年03月08日 特許庁 / 商標	FOLP 09類
2017年03月08日 特許庁 / 商標	InMAP 09類

アオイ電子株式会社の職場情報

項目	データ
事業概要	電子部品製造
企業規模	1,625人 (平均年齢40.1歳) 男性 1,299人 / 女性 326人
平均勤続年数 範囲 対象とする労働者すべて	男性 15.5年 / 女性 16.9年 / 正社員 15.1年
平均所定時間外労働	8.2時間
管理職全体人数	126人 男性 124人 / 女性 2人
役員全体人数	8人 男性 7人 / 女性 1人
育児休業 対象者 - 取得者	男性 38人 - 15人 / 女性 16人 - 16人

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