ファスフォードテクノロジ株式会社

ファスフォードテクノロジ株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

ファスフォードテクノロジ株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	ファスフォードテクノロジ株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	ファスフォードテクノロジ
法人番号	4010401114443
会社法人等番号	0104-01-114443
登記所	東京法務局港出張所 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T4010401114443 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒400-0212 ※地方自治体コードは 19208
国内所在地（都道府県）都道府県	山梨県 ※山梨県の法人数は 35,127件
国内所在地（市区町村）市区町村	南アルプス市 ※南アルプス市の法人数は 2,080件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	下今諏訪610番地5
国内所在地（1行表示）1行表示	山梨県南アルプス市下今諏訪610番地5
国内所在地（読み仮名）読み仮名	ヤマナシケンミナミアルプスシシモイマスワ
代表者	代表取締役社長 富士原 秀人
従業員数	199人
更新年月日更新日	2018年07月26日
変更年月日変更日	2015年10月07日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	山梨労働局 〒400-8577 山梨県甲府市丸の内1丁目1番11号
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	甲府労働基準監督署 〒400-8579 山梨県甲府市下飯田2-5-51

ファスフォードテクノロジ株式会社の場所

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ファスフォードテクノロジ株式会社の登録履歴

日付	内容
2015年10月07日	【住所変更】 国内所在地が「山梨県南アルプス市下今諏訪610番地5」に変更されました。
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「ファスフォードテクノロジ株式会社」で、「東京都港区虎ノ門4丁目1番28号虎ノ門タワーズオフィス17階」に新規登録されました。

ファスフォードテクノロジ株式会社と同じ名称の法人

件数	リンク
2件	※「ファスフォードテクノロジ株式会社」と同じ名称の法人を探す

ファスフォードテクノロジ株式会社の法人活動情報

ファスフォードテクノロジ株式会社の補助金情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2017年07月04日 経済産業省	平成29年度中小企業知的財産活動支援事業費補助金(中小企業等外国出願支援事業)(山梨県) 中小企業知的財産活動支援事業費補助金 -

ファスフォードテクノロジ株式会社の表彰情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年12月22日 経済産業省	地域未来牽引企業

ファスフォードテクノロジ株式会社の特許情報(83件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年03月25日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2020年03月23日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/60 311 T
2020年03月16日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2020年03月09日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2020年02月25日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置、半導体装置の製造方法および剥離装置 FI分類-H01L 21/52 F
2020年02月25日 特許庁 / 特許	モータ制御装置、ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H02P 5/52 A, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2020年01月08日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置、半導体装置の製造方法およびエキスパンド装置 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 N
2019年09月20日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2019年09月19日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2019年09月19日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H05K 13/08 A
2019年09月17日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置、剥離ユニット、コレットおよび半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2019年09月13日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-G06T 7/00 610 C
2019年09月13日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-G06T 7/00 610 C
2019年09月06日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2019年08月05日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H01L 21/60 311 T
2019年03月25日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 E, FI分類-H01L 21/78 Y
2019年03月25日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2019年03月22日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2019年03月01日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 E, FI分類-H01L 21/78 Y
2018年09月21日 特許庁 / 特許	半導体製造装置、突上げ治具および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 E, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 E
2018年09月20日 特許庁 / 特許	実装装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H01L 21/60 311 T
2018年09月19日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 N
2018年09月19日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2018年09月19日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 E, FI分類-H01L 21/78 Y
2018年07月17日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2018年06月27日 特許庁 / 特許	ダイボンダおよび半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2018年03月26日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2018年03月19日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/78 Y
2018年03月12日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B
2018年02月27日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2018年02月19日 特許庁 / 特許	実装装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H05K 13/04 A, FI分類-H01L 21/60 311 T
2017年10月16日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2017年09月26日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2017年09月19日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/60 311 T
2017年09月19日 特許庁 / 特許	半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびコレット FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/78 Y
2017年09月11日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2017年09月07日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/78 Y
2017年08月03日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/66 R
2017年07月27日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置、半導体装置の製造方法および半導体製造システム FI分類-H01L 21/52 F
2017年05月31日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/50 B, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 B, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H01L 21/60 311 T
2017年05月31日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 N
2017年05月18日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2017年05月18日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2017年03月28日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2017年03月28日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2017年03月23日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2017年03月17日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H02P 29/00, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-G05D 3/12 305 Z
2017年03月09日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H05K 13/08 Q
2017年03月09日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/78 Y, FI分類-G01N 21/956 A
2017年02月13日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2017年02月08日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 E, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H01L 21/60 311 T
2017年01月26日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-B65G 49/07 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/60 311 T
2017年01月25日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 E, FI分類-H01L 21/60 311 S, FI分類-H01L 21/60 311 T
2016年09月26日 特許庁 / 特許	フリップチップボンダおよび半導体装置の製造方法 FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H05K 13/08 A, FI分類-H01L 21/60 311 Q, FI分類-H01L 21/60 311 T
2016年09月12日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/78 Y
2016年07月13日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2016年06月13日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/68 N
2016年06月13日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2016年06月13日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2016年03月25日 特許庁 / 特許	ダイボンダ FI分類-H01L 21/52 F
2016年03月17日 特許庁 / 特許	ダイボンダおよびボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2016年03月11日 特許庁 / 特許	ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2016年02月15日 特許庁 / 特許	ダイボンダおよび半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2015年12月24日 特許庁 / 特許	半導体製造装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2015年09月30日 特許庁 / 特許	ダイボンダおよび半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 F
2015年08月31日 特許庁 / 特許	ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2015年04月02日 特許庁 / 特許	ボンディング装置及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2015年04月02日 特許庁 / 特許	ボンディング装置及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2015年03月11日 特許庁 / 特許	ボンディング装置及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2015年03月11日 特許庁 / 特許	ボンディング装置及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/60 311 T
2015年01月26日 特許庁 / 特許	ボンディング装置およびボンディング装置のコレット傾き検査方法 FI分類-H01L 21/52 F
2015年01月26日 特許庁 / 特許	ダイボンダおよびボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2014年09月29日 特許庁 / 特許	半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H05K 13/04 Z, FI分類-H01L 21/60 311 T
2014年09月29日 特許庁 / 特許	半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H05K 13/04 Z, FI分類-H01L 21/60 311 T, FI分類-H01L 21/60 321 Z
2014年09月26日 特許庁 / 特許	半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H01L 21/68 E, FI分類-H05K 13/04 B, FI分類-H01L 21/60 311 T
2014年09月18日 特許庁 / 特許	ダイボンダ並びにボンディング方法及びピックアップ装置 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2014年09月10日 特許庁 / 特許	ダイボンダ及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2014年06月26日 特許庁 / 特許	半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法 FI分類-H01L 21/52 F, FI分類-H05K 13/04 Z, FI分類-H05K 13/08 N, FI分類-H01L 21/60 311 T
2014年04月30日 特許庁 / 特許	ダイボンダ及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2014年03月18日 特許庁 / 特許	ダイボンダの実装位置補正方法並びにダイボンダ及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2014年03月17日 特許庁 / 特許	ダイボンダ及びボンディング方法 FI分類-H01L 21/52 C, FI分類-H01L 21/52 F
2014年03月14日 特許庁 / 特許	ダイボンダ用ディッピング機構及びフリップチップボンダ FI分類-B23K 101:40, FI分類-B23K 3/00 R, FI分類-B23K 1/00 330 E, FI分類-H05K 3/34 503 B, FI分類-H01L 21/60 311 Q, FI分類-H01L 21/60 311 T
2014年03月12日 特許庁 / 特許	半導体製造方法及びダイボンダ FI分類-H02P 5/00 Q, FI分類-G05B 19/4062, FI分類-H01L 21/52 F

ファスフォードテクノロジ株式会社の商標情報(3件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2015年03月04日 特許庁 / 商標	FASFORD＼TECHNOLOGY 07類, 09類, 37類
2015年01月26日 特許庁 / 商標	ファスフォード テクノロジ 07類, 09類, 37類
2015年01月26日 特許庁 / 商標	ファスフォード 07類, 09類, 37類

ファスフォードテクノロジ株式会社の意匠情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2023年06月16日 特許庁 / 意匠	ダイボンディング用プリフォームステージ 意匠新分類-K0790

ファスフォードテクノロジ株式会社の職場情報

項目	データ
事業概要	半導体製造装置の設計、製造、販売、修理及び保守等のサービス業
企業規模	199人 男性 175人 / 女性 29人
平均勤続年数 範囲 その他	男性 18.3年 / 女性 5.3年

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