有限会社ケー・アンド・ダブルとは

有限会社ケー・アンド・ダブルは、法人番号:4012402008054で東京都国立市東1丁目3番地の16アトランティス国立901に所在する法人として東京法務局府中支局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。登録情報として、特許情報が20件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2015年10月30日です。
インボイス番号:T4012402008054については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は東京労働局。立川労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
 

名称の「有限会社」について(β版)

有限会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、複数の出資者が出資金を出し合い、共同で事業を行う形態です。出資者は株式会社のように株式を持つのではなく、出資額に応じた出資割合で経営に参加します。有限会社は、出資者の責任が出資額に限定されるため、個人の財産が保護されるという利点があります。また、経営権の移転が容易であり、出資者の変更や事業の承継が比較的スムーズに行えるという特徴もあります。

有限会社ケー・アンド・ダブルの基本情報

項目 内容
商号又は名称 有限会社ケー・アンド・ダブル
商号又は名称(読み仮名)フリガナ -
法人番号 4012402008054
会社法人等番号 0124-02-008054
登記所 東京法務局府中支局
※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号
※2024年08月31日更新
インボイス番号
T4012402008054
※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。
(2024年08月31日現在)
法人種別 有限会社
郵便番号 〒186-0002
※地方自治体コードは 13215
国内所在地(都道府県)都道府県 東京都
※東京都の法人数は 1,319,368件
国内所在地(市区町村)市区町村 国立市
※国立市の法人数は 3,439件
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 東1丁目3番地の16アトランティス国立901
国内所在地(1行表示)1行表示 東京都国立市東1丁目3番地の16アトランティス国立901
国内所在地(読み仮名)読み仮名 トウキョウトクニタチシヒガシ1チョウメ
更新年月日更新日 2015年10月30日
変更年月日変更日 2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日 2015年10月05日
※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局 東京労働局
〒102-8305~〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階~14階
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 立川労働基準監督署
〒190-8516 東京都立川市緑町4-2立川地方合同庁舎3階

有限会社ケー・アンド・ダブルの場所

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有限会社ケー・アンド・ダブルの登録履歴

日付 内容
2015年10月05日
【新規登録】
名称が「有限会社ケー・アンド・ダブル」で、「東京都国立市東1丁目3番地の16アトランティス国立901」に新規登録されました。

有限会社ケー・アンド・ダブルの法人活動情報

有限会社ケー・アンド・ダブルの特許情報(20件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2020年03月31日
特許庁 / 特許
電極材料
FI分類-H01M 4/58, FI分類-H01M 4/36 A, FI分類-H01M 4/36 B
2018年11月12日
特許庁 / 特許
リチウムバナジウム酸化物結晶体、電極材料及び蓄電デバイス
FI分類-C01G 31/00, FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/50, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 4/36 B, FI分類-H01M 4/36 E, FI分類-C30B 29/22 Z
2016年06月22日
特許庁 / 特許
リチウム二次電池及びその製造方法
FI分類-H01M 4/58, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 4/505, FI分類-H01M 4/525, FI分類-H01M 10/058, FI分類-H01M 4/36 E, FI分類-H01M 10/0525, FI分類-H01M 10/0566
2016年06月22日
特許庁 / 特許
リチウムイオン二次電池及びその製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01M 4/58, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 10/052, FI分類-H01M 4/36 A, FI分類-H01M 4/38 Z, FI分類-H01M 10/0566
2016年03月31日
特許庁 / 特許
チタン酸化物粒子、チタン酸化物粒子の製造方法、チタン酸化物粒子を含む蓄電デバイス用電極、チタン酸化物粒子を含む電極を備えた蓄電デバイス
FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/50, FI分類-H01M 4/485, FI分類-C01G 23/00 B
2016年03月31日
特許庁 / 特許
チタン酸化物結晶体、チタン酸化物結晶体を含む蓄電デバイス用電極
FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01M 4/485, FI分類-C01G 23/00 B, FI分類-C30B 29/32 B
2016年03月31日
特許庁 / 特許
チタン酸化物粒子、チタン酸化物粒子の製造方法、チタン酸化物粒子を含む蓄電デバイス用電極、チタン酸化物粒子を含む電極を備えた蓄電デバイス
FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/86, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 4/36 C, FI分類-H01M 4/36 E, FI分類-C01G 23/00 B
2016年03月31日
特許庁 / 特許
チタン酸化物結晶体、チタン酸化物結晶体を含む蓄電デバイス用電極
FI分類-H01G 11/24, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01M 4/485, FI分類-C01G 23/00 B
2015年11月10日
特許庁 / 特許
電極材料、電極材料の製造方法、電極、および蓄電デバイス
FI分類-H01M 4/58, FI分類-C01G 31/00, FI分類-H01M 4/36 B, FI分類-C01B 31/02 101 F
2015年11月10日
特許庁 / 特許
電極材料、電極材料の製造方法、および電極材料を備えた蓄電デバイス
FI分類-H01M 4/48, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/86, FI分類-C01G 23/053, FI分類-H01M 4/36 A
2015年04月23日
特許庁 / 特許
金属化合物粒子群、金属化合物粒子群を含む蓄電デバイス用電極および金属化合物粒子群の製造方法
FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/26, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/86, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/485, FI分類-H01M 4/36 C
2015年03月31日
特許庁 / 特許
金属化合物粒子群の製造方法、金属化合物粒子群及び金属化合物粒子群を含む蓄電デバイス用電極
FI分類-H01G 11/06, FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/86, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/485, FI分類-C01G 23/00 B, FI分類-C01G 51/00 A
2015年03月31日
特許庁 / 特許
金属化合物粒子群の製造方法、金属化合物粒子群及び金属化合物粒子群を含む蓄電デバイス用電極
FI分類-H01G 11/46, FI分類-H01G 11/86, FI分類-H01M 4/131, FI分類-H01M 4/485, FI分類-C01G 23/00 B
2015年03月05日
特許庁 / 特許
導電性カーボンの製造方法、この導電性カーボンを含む電極材料の製造方法、及びこの電極材料を用いた電極の製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/22, FI分類-H01G 11/30, FI分類-H01M 4/139, FI分類-H01M 4/62 Z, FI分類-C01B 31/02 101 B
2015年03月05日
特許庁 / 特許
導電性カーボン、この導電性カーボンの製造方法、この導電性カーボンを含む電極材料の製造方法、及びこの電極材料を用いた電極の製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/32, FI分類-H01M 4/139, FI分類-H01M 4/62 Z
2015年02月25日
特許庁 / 特許
電極、この電極の製造方法、この電極を備えた蓄電デバイス、及び蓄電デバイス電極用の導電性カーボン混合物
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/22, FI分類-H01G 11/32, FI分類-H01G 11/86, FI分類-H01M 4/139, FI分類-H01M 4/02 A, FI分類-H01M 4/04 A, FI分類-H01M 4/36 C, FI分類-H01M 4/36 D, FI分類-H01M 4/62 Z
2014年10月16日
特許庁 / 特許
導電性カーボンの製造方法、このカーボンを含む電極材料の製造方法、この電極材料を用いた電極の製造方法及びこの電極を備えた蓄電デバイスの製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/24, FI分類-H01G 11/42, FI分類-H01M 4/139, FI分類-H01M 4/02 Z, FI分類-H01M 4/04 A, FI分類-H01M 4/62 Z, FI分類-C01B 31/02 101 B
2014年10月16日
特許庁 / 特許
導電性カーボンの製造方法、このカーボンを含む電極材料の製造方法、この電極材料を用いた電極の製造方法及びこの電極を備えた蓄電デバイスの製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/32, FI分類-H01M 4/139, FI分類-H01M 4/02 Z, FI分類-H01M 4/04 A, FI分類-H01M 4/62 Z, FI分類-C01B 31/02 101 B
2014年05月19日
特許庁 / 特許
導電性カーボンの製造方法、導電性カーボンを含む電極材料の製造方法、及び、電極材料を用いた電極の製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/32, FI分類-H01M 4/02 Z, FI分類-H01M 4/36 D, FI分類-H01M 4/62 Z
2014年05月19日
特許庁 / 特許
電極の製造方法
FI分類-H01M 4/13, FI分類-H01G 11/30, FI分類-H01G 11/42, FI分類-H01G 11/86, FI分類-H01M 4/139, FI分類-H01M 4/36 D, FI分類-H01M 4/62 Z

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