有限会社サクセス

有限会社サクセスとは

名称の「有限会社」について(β版)

有限会社サクセスの基本情報

項目	内容
商号又は名称	有限会社サクセス
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	-
法人番号	4040002097011
会社法人等番号	0400-02-097011
登記所	千葉地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T4040002097011 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	有限会社
郵便番号	〒278-0022 ※地方自治体コードは 12208
国内所在地（都道府県）都道府県	千葉県 ※千葉県の法人数は 229,981件
国内所在地（市区町村）市区町村	野田市 ※野田市の法人数は 5,766件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	山崎2035番地12
国内所在地（1行表示）1行表示	千葉県野田市山崎2035番地12
国内所在地（読み仮名）読み仮名	チバケンノダシヤマザキ
更新年月日更新日	2015年11月06日
変更年月日変更日	2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	千葉労働局 〒260-8612 千葉県千葉市中央区中央4丁目11番1号 千葉第2地方合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	柏労働基準監督署 〒277-0005 千葉県柏市柏255-31

有限会社サクセスの場所

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有限会社サクセスの登録履歴

日付	内容
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「有限会社サクセス」で、「千葉県野田市山崎2035番地12」に新規登録されました。

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件数	リンク
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有限会社サクセスの法人活動情報

有限会社サクセスの補助金情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2017年04月03日 経済産業省	平成29年度中小企業経営支援等対策費補助金(戦略的基盤技術高度化支援事業)(次世代パワーデバイス用SiC/GaN基板の大口径化を実現する高品質、低コスト量産化加工技術の開発) 中小企業経営支援等対策費補助金 -

有限会社サクセスの特許情報(16件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2023年03月29日 特許庁 / 特許	SiC延長インゴットの製造方法 FI分類-C30B 33/06, FI分類-C30B 29/36 A
2023年02月24日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの研削加工方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 R
2022年10月25日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B24B 19/02, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24D 5/00 P, FI分類-B28D 5/02 A, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W
2022年10月25日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B28D 1/10, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B28D 5/04 A, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 19/00 Z, FI分類-B24B 27/06 M, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W
2022年04月18日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 41/06 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W
2021年12月23日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 19/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 Q, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W
2021年12月20日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 19/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 621, FI分類-H01L 21/304 611 W
2021年12月20日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 19/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 A, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 621 B
2021年12月20日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 7/04 Z, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 S, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W
2021年12月14日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法 FI分類-B24D 9/04, FI分類-B24B 19/02, FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24D 5/00 P, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 27/06 Q, FI分類-H01L 21/304 611 W
2021年09月30日 特許庁 / 特許	半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置 FI分類-B24B 7/22 Z, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 B, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 621 A
2015年08月11日 特許庁 / 特許	半導体ウエハ保持具、半導体ウエハ研削装置、及び、半導体ウエハ研削方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/68 P, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 H
2015年08月11日 特許庁 / 特許	表面変質層深さ測定方法、半導体ウエハ研削方法、及び、半導体ウエハ製造方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 7/22 A, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 R, FI分類-H01L 21/304 622 S
2014年05月20日 特許庁 / 特許	半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具 FI分類-B24B 37/04 M, FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G
2014年05月20日 特許庁 / 特許	半導体ウエハ保持用冶具、半導体ウエハ研磨装置、及びワーク保持用冶具 FI分類-B24B 37/04 J, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G
2014年05月20日 特許庁 / 特許	半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 A, FI分類-H01L 21/304 621 C

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