サムコ株式会社

サムコ株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

サムコ株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	サムコ株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	サムコ
法人番号	4130001014511
会社法人等番号	1300-01-014511
登記所	京都地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T4130001014511 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒612-8443 ※地方自治体コードは 26109
国内所在地（都道府県）都道府県	京都府 ※京都府の法人数は 112,021件
国内所在地（市区町村）市区町村	京都市伏見区 ※京都市伏見区の法人数は 10,401件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	竹田藁屋町36番地
国内所在地（1行表示）1行表示	京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地
国内所在地（読み仮名）読み仮名	キョウトフキョウトシフシミクタケダワラヤチョウ
代表者	代表取締役 川邊 史
設立日	1979年09月01日
資本金	16億6,368万7,000円 (2023年12月09日現在)
従業員数	175人 (2023年12月09日現在)
電話番号TEL	075-621-3600
FAX番号FAX	075-621-5057
ホームページHP	https://www.samco.co.jp/
更新年月日更新日	2018年10月25日
変更年月日変更日	2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	京都労働局 〒604-0846 京都府京都市中京区両替町通御池上ル金吹町451
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	京都南労働基準監督署 〒612-8108 京都府京都市伏見区奉行前町6番地

サムコ株式会社の場所

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サムコ株式会社の補足情報

項目	内容
企業名 読み仮名	サムコ　カブシキガイシャ
企業名 英語	SAMCO INC.
上場・非上場	上場
資本金	12億1,300万円
業種	機械
証券コード	63870

サムコ株式会社の登録履歴

日付	内容
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「サムコ株式会社」で、「京都府京都市伏見区竹田藁屋町36番地」に新規登録されました。

サムコ株式会社と同じ名称の法人

件数	リンク
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サムコ株式会社の関連情報

項目	内容
情報名	サムコ株式会社
情報名 読み	サムコ
住所	京都府京都市伏見区竹田藁屋町36
電話番号	075-621-7841

サムコ株式会社の関連情報

項目	内容
情報名	サムコ株式会社
情報名 読み	サムコ
住所	京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町3
電話番号	075-621-7840

サムコ株式会社の法人活動情報

サムコ株式会社の表彰情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年12月04日 厚生労働省	両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

サムコ株式会社の届出情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
- デジタル庁	代表者:代表取締役 川邊 史 全省庁統一資格 / -

サムコ株式会社の特許情報(35件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年03月05日 特許庁 / 特許	上部にテーパ形状を持つ、深堀構造を有するシリコン基板の製造方法 FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2020年02月20日 特許庁 / 特許	振動検出素子およびその製造方法 FI分類-G01N 5/02 A
2019年09月30日 特許庁 / 特許	水プラズマによる透明樹脂の接合方法 FI分類-B81B 1/00, FI分類-B81C 3/00, FI分類-B29C 65/00, FI分類-C23C 14/12, FI分類-C23C 14/20, FI分類-G01N 37/00 101
2019年03月13日 特許庁 / 特許	金属窒化物膜製造方法 FI分類-C30B 7/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 18/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/208 Z
2018年12月10日 特許庁 / 特許	シクロオレフィンポリマーと金属の接合方法、およびバイオセンサの製造方法 FI分類-B29C 65/02, FI分類-G01N 27/327 353 Z
2018年11月06日 特許庁 / 特許	SiCトレンチ型MOSFETのトレンチ作製方法 FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 21/302 105 A
2018年10月19日 特許庁 / 特許	誘導結合型プラズマ処理装置の防着板 FI分類-C23F 4/00 A, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2018年07月19日 特許庁 / 特許	容量結合型プラズマ処理装置 FI分類-H01L 21/302 101 B
2018年07月13日 特許庁 / 特許	マイクロ流路チップ製造方法 FI分類-B81C 3/00, FI分類-C08J 7/00 306, FI分類-C08J 7/00 CEZ, FI分類-G01N 37/00 101
2018年07月13日 特許庁 / 特許	シクロオレフィンポリマーの接合方法 FI分類-B81C 3/00, FI分類-B29C 65/00, FI分類-B01J 19/00 321, FI分類-G01N 37/00 101
2018年06月21日 特許庁 / 特許	振動検出素子およびその製造方法 FI分類-B81B 3/00, FI分類-B81C 3/00, FI分類-G01N 5/02 A
2018年02月19日 特許庁 / 特許	プラズマ処理室用排気構造 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 101 G
2018年02月08日 特許庁 / 特許	シクロオレフィンポリマーの接合方法 FI分類-B81C 3/00, FI分類-B29C 65/00, FI分類-B01J 19/00 321, FI分類-G01N 37/00 101
2018年02月06日 特許庁 / 特許	検出素子およびその製造方法 FI分類-G01N 5/02 A
2018年01月10日 特許庁 / 特許	プラズマ処理用基板トレイ FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01L 21/68 U, FI分類-H01L 21/302 101 G
2017年11月30日 特許庁 / 特許	プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2017年11月13日 特許庁 / 特許	ステージおよびプラズマ処理装置 FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01L 21/302 101 G
2017年04月14日 特許庁 / 特許	ウエハ処理装置 FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01L 21/78 S, FI分類-H02N 13/00 D, FI分類-H01L 21/302 101 G
2016年12月13日 特許庁 / 特許	プラズマ処理方法 FI分類-B08B 7/00, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H01L 21/302 102, FI分類-H01L 21/304 645 C
2016年08月25日 特許庁 / 特許	III族窒化物系化合物半導体結晶板製造方法 FI分類-C23C 16/01, FI分類-C23C 16/34, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/302 105 A
2016年08月17日 特許庁 / 特許	誘導結合型プラズマ処理装置 FI分類-C23F 4/00 A, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H01L 21/302 101 C
2016年07月14日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置用のトレイ FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H02N 13/00 D
2016年06月08日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/302 101 C
2016年03月30日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/31 C, FI分類-H01L 21/68 Z, FI分類-H01L 21/302 101 G, FI分類-H01L 21/302 101 M
2016年02月01日 特許庁 / 特許	プラズマ洗浄装置およびプラズマ洗浄方法 FI分類-B08B 7/00, FI分類-H01L 21/304 645 C
2015年11月12日 特許庁 / 特許	基板のアライメント装置 FI分類-H01L 21/68 F
2015年11月09日 特許庁 / 特許	基板処理装置 FI分類-B65G 49/07 C, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/302 101 G
2015年06月04日 特許庁 / 特許	光ビーム測定装置 FI分類-G02B 21/00, FI分類-G01B 11/24 K, FI分類-G01B 11/26 H, FI分類-G01N 21/84 Z
2015年05月27日 特許庁 / 特許	アフターコロージョン抑制処理方法 FI分類-H01L 21/88 N, FI分類-H01L 21/302 106
2015年05月26日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置用基板温度調整機構 FI分類-C23C 16/50, FI分類-H05H 1/46 L, FI分類-H05H 1/46 M, FI分類-H01L 21/302 101 G
2015年05月01日 特許庁 / 特許	プラズマ処理装置及びトレイ FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/302 101 G
2014年07月15日 特許庁 / 特許	ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板 FI分類-C23C 16/22, FI分類-C30B 29/08, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 14/14 G, FI分類-H05B 33/14 A, FI分類-H01L 21/203 S
2014年02月28日 特許庁 / 特許	プラズマ洗浄装置 FI分類-B08B 7/00, FI分類-H01L 33/00 400, FI分類-H01L 21/302 102
2014年02月12日 特許庁 / 特許	プラズマCVD成膜方法 FI分類-C23C 16/42, FI分類-C23C 16/509, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 21/318 B, FI分類-H01L 21/318 C
2014年01月08日 特許庁 / 特許	ベルヌーイハンド及び半導体製造装置 FI分類-B25B 11/00 A, FI分類-B65G 49/07 H, FI分類-H01L 21/68 C

サムコ株式会社の商標情報(8件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2022年06月23日 特許庁 / 商標	Aqua Plasma Boost 07類, 11類
2018年03月28日 特許庁 / 商標	Aquasteri 11類
2016年06月29日 特許庁 / 商標	ESCトレイ 07類
2016年04月25日 特許庁 / 商標	Aqua Plasma 07類, 10類
2014年09月04日 特許庁 / 商標	§samco∞UCP 07類
2014年09月04日 特許庁 / 商標	§samco∞UCP 09類
2014年09月04日 特許庁 / 商標	§samco∞UCP 10類
2014年09月04日 特許庁 / 商標	§samco∞UCP 37類

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