法人番号:5030001109246
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
情報更新日:2024年08月31日
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーとは
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー（ノベルクリスタルテクノロジー）は、法人番号:5030001109246で埼玉県狭山市広瀬台2丁目3番1号に所在する法人としてさいたま地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役倉又朗人。設立日は2015年06月30日。登録情報として、調達情報が3件、届出情報が1件、特許情報が26件、商標情報が2件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2018年05月23日です。
インボイス番号:T5030001109246については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は埼玉労働局。所沢労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | ノベルクリスタルテクノロジー |
| 法人番号 | 5030001109246 |
| 会社法人等番号 | 0300-01-109246 |
| 登記所 | さいたま地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T5030001109246 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒350-1328 ※地方自治体コードは 11215 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 埼玉県 ※埼玉県の法人数は 261,767件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 狭山市 ※狭山市の法人数は 4,342件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 広瀬台2丁目3番1号 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 埼玉県狭山市広瀬台2丁目3番1号 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | サイタマケンサヤマシヒロセダイ2チョウメ |
| 代表者 | 代表取締役 倉又 朗人 |
| 設立日 | 2015年06月30日 |
| 更新年月日更新日 | 2018年05月23日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 埼玉労働局 〒330-6016 埼玉県さいたま市中央区新都心11番地2 明治安田生命さいたま新都心ビル ランド・アクシス・タワー 14F(安定)・15F(総務・基準・安定)・16F(総務・雇均) |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 所沢労働基準監督署 〒359-0042 埼玉県所沢市並木6-1-3所沢地方合同庁舎 |
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの場所
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「株式会社ノベルクリスタルテクノロジー」で、「埼玉県狭山市広瀬台2丁目3番1号」に新規登録されました。 |
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの法人活動情報
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの調達情報(3件)
| 期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
|---|---|
2020年04月01日 | 10kV級酸化ガリウムトレンチMOSFETの研究開発 38,999,642円 |
2019年04月01日 | 10kV級酸化ガリウムトレンチMOSFETの研究開発 38,900,989円 |
2018年10月15日 | 10kV級酸化ガリウムトレンチMOSFETの研究開発 38,757,123円 |
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの届出情報(1件)
| 日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
|---|---|
- | 代表者:代表取締役 倉又 朗人 全省庁統一資格 / - |
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの特許情報(26件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2021年08月06日 特許庁 / 特許 | 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z |
2020年06月05日 特許庁 / 特許 | パワー半導体素子及びその製造方法 FI分類-H01L 29/06 301 S, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 H, FI分類-H01L 29/78 652 J, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 658 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/78 658 K |
2019年12月26日 特許庁 / 特許 | 半導体装置 FI分類-H01L 23/50 M, FI分類-H01L 21/60 301 N, FI分類-H01L 21/60 311 S |
2019年12月25日 特許庁 / 特許 | トレンチ型MOSFET FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 E, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 N, FI分類-H01L 29/78 652 P, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 658 F |
2019年12月25日 特許庁 / 特許 | トレンチ型MESFET FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/58 Z, FI分類-H01L 29/80 B, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 D, FI分類-H01L 29/91 E, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 H, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/06 301 R, FI分類-H01L 29/06 301 V |
2019年10月28日 特許庁 / 特許 | 単結晶インゴット、結晶育成用ダイ、及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/34, FI分類-C30B 29/16 |
2019年04月03日 特許庁 / 特許 | ショットキーダイオード FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2018年10月23日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2018年10月23日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2018年04月27日 特許庁 / 特許 | pチャンネル電界効果トランジスタ及び増幅回路用半導体素子 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 27/092 C, FI分類-H01L 27/092 E, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 S |
2018年03月30日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2018年03月01日 特許庁 / 特許 | トレンチMOS型ショットキーダイオード及びその製造方法 FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 33/08, FI分類-H01L 29/94, FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/91 L, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2017年10月26日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 E, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2017年09月29日 特許庁 / 特許 | 電界効果トランジスタ FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/52, FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 27/06 102 A, FI分類-H01L 27/06 311 B, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 657 A |
2017年08月10日 特許庁 / 特許 | ダイオード FI分類-C30B 25/00, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/91 D, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 H, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M |
2017年08月10日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード及びpn接合部 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/91 B, FI分類-H01L 29/91 D, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2017年07月06日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2017年06月29日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成装置、抵抗発熱体、及び単結晶育成方法 FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 11/00 Z |
2017年04月27日 特許庁 / 特許 | Ga2O3系半導体素子 FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-C30B 23/08 M, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 29/80 B, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 652 J, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 M |
2017年02月28日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオード FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2017年02月27日 特許庁 / 特許 | トレンチMOS型ショットキーダイオード FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2017年02月27日 特許庁 / 特許 | トレンチMOS型ショットキーダイオード FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F |
2016年09月30日 特許庁 / 特許 | ショットキーバリアダイオードの製造方法 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2016年06月07日 特許庁 / 特許 | アバランシェフォトダイオード FI分類-H01L 31/10 B |
2016年06月03日 特許庁 / 特許 | Ga2O3系結晶膜の成長方法及び結晶積層構造体 FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 14/08 J, FI分類-C23C 14/24 A, FI分類-C23C 14/24 E, FI分類-C30B 23/08 M |
2016年06月03日 特許庁 / 特許 | 結晶積層構造体 FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 14/08 N, FI分類-C23C 14/24 N, FI分類-C30B 23/08 M |
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの商標情報(2件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2015年10月07日 特許庁 / 商標 | Novel Crystal Technology, Inc. 09類 |
2015年10月06日 特許庁 / 商標 | §NCT 09類 |
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの閲覧回数
データ取得中です。