ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	ナノブリッジセミコンダクター
法人番号	5050001046537
会社法人等番号	0500-01-046537
登記所	水戸地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T5050001046537 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒305-0047 ※地方自治体コードは 08220
国内所在地（都道府県）都道府県	茨城県 ※茨城県の法人数は 95,210件
国内所在地（市区町村）市区町村	つくば市 ※つくば市の法人数は 9,530件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	千現2丁目1番6号
国内所在地（1行表示）1行表示	茨城県つくば市千現2丁目1番6号
国内所在地（読み仮名）読み仮名	イバラキケンツクバシセンゲン2チョウメ
代表者	代表取締役 杉林 直彦
設立日	2019年09月17日
更新年月日更新日	2019年09月27日
変更年月日変更日	2019年09月24日
法人番号指定年月日指定日	2019年09月24日
管轄の労働局労働局	茨城労働局 〒310-8511 茨城県水戸市宮町1丁目8-31茨城労働総合庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	土浦労働基準監督署 〒300-0805 茨城県土浦市宍塚1838

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の場所

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ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の登録履歴

日付	内容
2019年09月24日	【新規登録】 名称が「ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社」で、「茨城県つくば市千現2丁目1番6号」に新規登録されました。

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の法人活動情報

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の調達情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2023年07月24日 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構	チップレット設計基盤構築に向けた技術開発事業チップレット型カスタムSoC設計基盤技術開発 295,020,000円

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の届出情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
- デジタル庁	代表者:代表取締役 杉林 直彦 全省庁統一資格 / -

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の特許情報(29件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年03月16日 特許庁 / 特許	論理集積回路及び論理集積回路による制御方法 FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 21/82 F, FI分類-H01L 45/00 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H03K 19/17704, FI分類-H01L 27/105 448, FI分類-H01L 27/105 449
2020年03月13日 特許庁 / 特許	非線形抵抗素子、スイッチング素子、非線形抵抗素子の製造方法 FI分類-H01L 45/00 A, FI分類-H01L 27/105 449
2019年11月01日 特許庁 / 特許	論理集積回路、構成情報設定方法、および記録媒体 FI分類-H01L 27/04 F, FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H03K 19/17764, FI分類-H03K 19/003 130
2019年08月20日 特許庁 / 特許	信号線の接続方法、プログラム、及び、半導体集積回路 FI分類-H03K 19/177, FI分類-H03K 19/173 150
2019年05月14日 特許庁 / 特許	数値情報生成装置、数値情報生成方法及びプログラム FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448, FI分類-G06F 17/50 656 A, FI分類-G06F 17/50 668 P
2019年03月27日 特許庁 / 特許	非線形抵抗素子、スイッチング素子、および非線形抵抗素子の製造方法 FI分類-H01L 45/00, FI分類-H01L 45/00 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448, FI分類-H01L 27/105 449
2019年01月21日 特許庁 / 特許	論理集積回路 FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H03K 19/17736, FI分類-G11C 13/00 230, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/105 448, FI分類-G11C 13/00 270 J
2018年11月21日 特許庁 / 特許	設計支援システム、設計支援方法およびプログラム FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-G06F 17/50 656 A, FI分類-G06F 17/50 658 A, FI分類-G06F 17/50 658 F
2018年07月03日 特許庁 / 特許	スイッチ素子、スイッチ方法および半導体装置 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448
2018年04月05日 特許庁 / 特許	スイッチ回路とこれを用いた半導体装置およびスイッチ方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-G11C 13/00 230, FI分類-H01L 27/105 448, FI分類-G11C 13/00 270 B, FI分類-G11C 13/00 480 B
2018年02月28日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-G11C 13/00 312, FI分類-G11C 13/00 314, FI分類-H03K 19/177 128, FI分類-G11C 13/00 270 G
2017年07月24日 特許庁 / 特許	整流素子及び該整流素子を有するスイッチング素子 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 21/90 A, FI分類-H01L 27/04 P, FI分類-H01L 27/04 V, FI分類-H01L 29/44 L, FI分類-H01L 29/88 F, FI分類-H01L 29/91 A, FI分類-H01L 21/318 B, FI分類-H01L 21/28 301 R
2017年03月23日 特許庁 / 特許	抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448
2017年01月16日 特許庁 / 特許	論理集積回路および半導体装置 FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H03K 19/177 128, FI分類-G11C 13/00 270 J, FI分類-G11C 13/00 400 Z
2016年09月16日 特許庁 / 特許	クロスバスイッチとその製造方法およびクロスバスイッチを有する半導体装置 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448
2016年08月31日 特許庁 / 特許	プログラマブル論理集積回路と半導体装置およびキャラクタライズ方法 FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 21/82 T, FI分類-H03K 19/177 136
2016年07月07日 特許庁 / 特許	スイッチ回路およびこれを用いた半導体装置 FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H03K 17/00 G, FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H03K 19/173 101
2016年06月08日 特許庁 / 特許	抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448
2016年05月23日 特許庁 / 特許	プログラマブル論理集積回路、設計支援システム及びコンフィグレーション方法 FI分類-H03K 19/177, FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-G06F 17/50 656 A
2016年04月06日 特許庁 / 特許	スイッチング素子、半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448
2016年03月01日 特許庁 / 特許	クロスバースイッチ型メモリ回路、ルックアップテーブル回路、及び、プログラム方法 FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-G06F 7/57 204, FI分類-G11C 13/00 464, FI分類-G11C 13/00 270 G
2015年12月07日 特許庁 / 特許	抵抗変化素子、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/10 448
2015年09月11日 特許庁 / 特許	クロスバースイッチ、これを用いた論理集積回路および半導体装置 FI分類-H03K 19/177, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H03K 17/00 G, FI分類-H01L 27/105 448
2015年06月19日 特許庁 / 特許	半導体装置、および半導体装置の製造方法 FI分類-H03K 19/177, FI分類-H01L 21/82 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H03K 19/173 101
2015年05月20日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 21/302 104 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2015年02月18日 特許庁 / 特許	スイッチング素子及びスイッチング素子の製造方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 27/10 461
2015年01月21日 特許庁 / 特許	再構成可能回路およびその利用方法 FI分類-H03K 19/177 128
2014年06月17日 特許庁 / 特許	スイッチング素子のプログラム方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-G11C 13/00 230, FI分類-G11C 13/00 464, FI分類-H01L 27/10 448
2014年01月15日 特許庁 / 特許	スイッチング素子、および半導体スイッチング装置の製造方法 FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/10 448

ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社の商標情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年01月22日 特許庁 / 商標	§nBS 42類

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