法人番号:5130001046925

株式会社FLOSFIA

情報更新日:2024年08月31日

株式会社FLOSFIAとは

株式会社FLOSFIA（フロスフィア）は、法人番号:5130001046925で京都府京都市西京区御陵大原1番29号に所在する法人として京都地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役人羅俊実。設立日は2011年03月31日。登録情報として、調達情報が2件、表彰情報が3件、届出情報が1件、特許情報が160件、商標情報が13件、意匠情報が1件が登録されています。なお、2019年04月05日に法人番号公表サイトでは登録情報が変更されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2019年04月25日です。

インボイス番号:T5130001046925については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。

この地域の労働局は京都労働局。京都上労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。

名称の「株式会社」について(β版)

株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。

株式会社FLOSFIAの基本情報

項目	内容
商号又は名称	株式会社FLOSFIA
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	フロスフィア
法人番号	5130001046925
会社法人等番号	1300-01-046925
登記所	京都地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新インボイス番号	T5130001046925 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒615-8245 ※地方自治体コードは 26111
国内所在地（都道府県）都道府県	京都府 ※京都府の法人数は 112,203件
国内所在地（市区町村）市区町村	京都市西京区 ※京都市西京区の法人数は 4,628件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	御陵大原1番29号
国内所在地（1行表示）1行表示	京都府京都市西京区御陵大原1番29号
国内所在地（読み仮名）読み仮名	キョウトフキョウトシニシキョウクゴリョウオオハラ
代表者	代表取締役人羅俊実
設立日	2011年03月31日
更新年月日更新日	2019年04月25日
変更年月日変更日	2019年04月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	京都労働局〒604-0846 京都府京都市中京区両替町通御池上ル金吹町451
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	京都上労働基準監督署〒604-8467 京都府京都市中京区西ノ京大炊御門町19-19

株式会社FLOSFIAの場所

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株式会社FLOSFIAの登録履歴

日付	内容
2019年04月05日	【住所変更】国内所在地が「京都府京都市西京区御陵大原1番29号」に変更されました。
2015年10月05日	【新規登録】名称が「株式会社FLOSFIA」で、「京都府京都市西京区御陵大原1番36号」に新規登録されました。

株式会社FLOSFIAの法人活動情報

株式会社FLOSFIAの調達情報(2件)

期間公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2021年07月21日国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構	省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業新世代パワー半導体の開発酸化ガリウムパワー半導体の開発円
2018年11月26日防衛省	超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究 1,789,605,357円

株式会社FLOSFIAの表彰情報(3件)

日付公表組織	活動名称 / 活動対象
2019年04月18日特許庁	知財功労賞(知的財産権制度活用優良企業等表彰) 知財活用ベンチャー知的財産権制度を有効に活用しその発展に寄与した企業等
2018年06月11日経済産業省	J-Startup企業製造/素材・マテリアル
2018年12月25日経済産業省	地域未来牽引企業

株式会社FLOSFIAの届出情報(1件)

日付公表組織	活動名称 / 活動対象
- デジタル庁	代表者:代表取締役人羅俊実全省庁統一資格 / -

株式会社FLOSFIAの特許情報(160件)

日付公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2023年02月09日特許庁 / 特許	複合モジュールユニット FI分類-H01L 23/36 Z, FI分類-H01L 25/04 C
2021年08月04日特許庁 / 特許	設計支援装置、設計支援プログラムおよび設計支援方法 FI分類-G06F 115:12, FI分類-G06F 30/392, FI分類-G06F 30/398
2021年08月04日特許庁 / 特許	設計支援装置、設計支援プログラムおよび設計支援方法 FI分類-G06F 115:12, FI分類-G06F 30/392, FI分類-H05K 3/00 D, FI分類-H01L 21/82 C, FI分類-H01L 21/82 P
2021年08月04日特許庁 / 特許	設計支援装置、設計支援プログラムおよび設計支援方法 FI分類-G06F 115:12, FI分類-G06F 30/392, FI分類-H05K 13/04 Z
2021年03月31日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体システム FI分類-H01L 25/04 C
2021年03月31日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体システム FI分類-H01L 25/04 C
2020年06月05日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 E, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/91 B, FI分類-H01L 29/91 D, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 S, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2020年04月03日特許庁 / 特許	結晶膜の製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/304 643, FI分類-H01L 21/302 201 A, FI分類-H01L 21/304 647 Z
2020年04月03日特許庁 / 特許	結晶膜の製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/304 643, FI分類-H01L 21/302 201 A, FI分類-H01L 21/304 647 Z
2020年03月19日特許庁 / 特許	通電機構およびその通電方法 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/66 Y, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/91 A, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2020年01月30日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体システム FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 27/04 F, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-H01L 27/06 102 A, FI分類-H01L 29/78 301 F, FI分類-H01L 29/78 301 V, FI分類-H01L 29/78 613 Z, FI分類-H01L 29/78 618 B
2020年01月30日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体システム FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 27/04 F, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-H01L 27/06 102 A, FI分類-H01L 29/78 301 F, FI分類-H01L 29/78 613 Z, FI分類-H01L 29/78 618 B
2020年01月10日特許庁 / 特許	半導体素子および半導体装置 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P
2019年11月19日特許庁 / 特許	剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 33/00, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2019年07月11日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置を含む半導体システム FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 E, FI分類-H01L 29/78 652 E, FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 T
2019年07月11日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置を含む半導体システム FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 W, FI分類-H01L 29/78 613 Z, FI分類-H01L 29/78 616 T, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 T
2019年07月11日特許庁 / 特許	積層構造体、積層構造体を含む半導体装置および半導体システム FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/316 Y, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 F, FI分類-H01L 29/78 617 T, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 658 E
2019年07月11日特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置を含む半導体システム FI分類-H01L 29/78 618 B
2019年06月28日特許庁 / 特許	エッチング処理方法およびエッチング処理装置 FI分類-H01L 21/467
2019年06月28日特許庁 / 特許	エッチング処理方法 FI分類-H01L 21/467
2019年06月28日特許庁 / 特許	エッチング処理方法 FI分類-H01L 21/467
2019年06月21日特許庁 / 特許	成膜方法および結晶性積層構造体 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/16, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2019年03月29日特許庁 / 特許	サーミスタならびにその製品およびシステム FI分類-H01C 7/04
2018年12月26日特許庁 / 特許	有機膜の成膜方法 FI分類-H05B 33/10, FI分類-B05D 1/02 Z, FI分類-B05D 3/00 D, FI分類-B05D 3/02 B, FI分類-H05B 33/14 A, FI分類-B05D 7/24 303 E
2018年12月26日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 23/34 A, FI分類-H01L 23/36 A, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 P
2018年12月26日特許庁 / 特許	結晶性酸化物膜 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 23/34 A, FI分類-H01L 23/36 A, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 P
2018年11月15日特許庁 / 特許	p型酸化物半導体膜及びその形成方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 23/02, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C23C 14/08 H, FI分類-H01L 29/72 H, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 657 D, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 M
2018年11月15日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 27/088 E, FI分類-H01L 27/06 102 A, FI分類-H01L 29/78 652 B, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 657 D, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/78 658 F, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F
2018年11月15日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 H, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E
2018年11月15日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 H, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E
2018年08月23日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2018年08月23日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2018年08月20日特許庁 / 特許	結晶膜の製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2018年08月20日特許庁 / 特許	結晶膜の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 21/368 Z
2018年08月20日特許庁 / 特許	結晶膜、半導体装置および結晶膜の製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2018年08月20日特許庁 / 特許	結晶膜の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/205
2018年07月06日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P
2018年04月27日特許庁 / 特許	カーボンナノチューブ含有膜の成膜方法 FI分類-B82Y 30/00, FI分類-B82Y 40/00, FI分類-C23C 16/26, FI分類-C01B 32/168, FI分類-C01B 32/174, FI分類-C23C 26/00 C
2018年04月27日特許庁 / 特許	蛍光波長の調整方法 FI分類-G02B 5/20, FI分類-C09K 11/06, FI分類-C09K 11/65, FI分類-H01L 33/50, FI分類-C01B 32/158, FI分類-C09K 11/08 A
2018年04月27日特許庁 / 特許	光導波路の製造方法 FI分類-G02B 6/132
2018年04月27日特許庁 / 特許	導電性部材およびその製造方法 FI分類-H01M 8/021, FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/0204, FI分類-H01M 8/0206, FI分類-H01M 8/0208, FI分類-H01M 8/0215, FI分類-H01M 8/0228, FI分類-H01M 8/10 101
2018年04月27日特許庁 / 特許	サーミスタ膜およびその成膜方法 FI分類-H01C 7/04, FI分類-H01C 17/20, FI分類-G01K 7/22 A, FI分類-C01G 53/00 A, FI分類-H01C 17/065 600
2018年03月29日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-C23C 18/12, FI分類-H01M 8/021, FI分類-B05D 1/02 Z, FI分類-B05D 3/02 Z, FI分類-B05D 5/12 B, FI分類-B05D 7/14 B, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01B 5/14 Z, FI分類-H01M 4/66 A, FI分類-H01M 8/0215, FI分類-H01M 8/0228, FI分類-H01M 8/0254, FI分類-H01M 8/10 101, FI分類-B05D 7/14 101 Z, FI分類-B05D 7/24 302 A, FI分類-H01B 13/00 503 Z
2018年03月29日特許庁 / 特許	処理装置および処理方法 FI分類-H01L 21/208 Z, FI分類-H01L 21/306 J
2017年12月01日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-C23C 16/26, FI分類-B05D 1/02 Z, FI分類-B05D 3/02 B, FI分類-C01B 32/156, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 L
2017年12月01日特許庁 / 特許	着色方法 FI分類-C09D 1/00, FI分類-C09D 7/12, FI分類-C09B 57/00, FI分類-B05D 1/02 Z, FI分類-C03C 17/22 Z, FI分類-C03C 17/25 B, FI分類-C03C 17/28 Z, FI分類-C09B 67/20 F, FI分類-B05D 7/24 303 A
2017年12月01日特許庁 / 特許	着色膜形成用組成物 FI分類-C09D 7/12, FI分類-C09D 201/00, FI分類-C03C 17/25 A, FI分類-C09B 57/00 Z, FI分類-C09B 67/20 F
2017年12月01日特許庁 / 特許	超音波ミスト FI分類-C23C 16/26, FI分類-B05D 3/12 F, FI分類-C01B 32/156, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/368 L
2017年11月07日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 P
2017年10月07日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 18/12, FI分類-H01L 21/31 B, FI分類-H01L 21/318 B
2017年10月07日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/31 Z, FI分類-H01L 21/318 Z, FI分類-H01L 21/368 L
2017年09月29日特許庁 / 特許	積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/72 H, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z
2017年09月29日特許庁 / 特許	積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/72 H, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z
2017年09月14日特許庁 / 特許	半導体膜の製造方法及び半導体膜並びにドーピング用錯化合物及びドーピング方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/78 618 A, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 P
2017年09月04日特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/72 H, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z
2017年08月29日特許庁 / 特許	p型酸化物半導体及びその製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/72 H, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E
2017年08月24日特許庁 / 特許	コロンバイトの結晶構造を有する単結晶膜、電子機器及び光学機器 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01B 5/14 A, FI分類-C30B 25/02 Z
2017年08月24日特許庁 / 特許	単結晶膜の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/448, FI分類-C30B 25/02 Z
2017年07月13日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/02, FI分類-C30B 29/20, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2017年07月08日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 M
2017年07月08日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M
2017年07月08日特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 29/04, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 E, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P
2017年07月08日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/04, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 E, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M
2017年06月30日特許庁 / 特許	酸化物半導体膜及びその製造方法 FI分類-C01G 55/00, FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 29/24, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 655 B, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E
2017年06月30日特許庁 / 特許	p型酸化物半導体及びその製造方法 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E
2017年04月19日特許庁 / 特許	成膜装置および成膜方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/368, FI分類-G01N 21/59 Z, FI分類-H01L 21/316 B
2017年03月31日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体 FI分類-H01M 8/10, FI分類-B32B 9/00 A, FI分類-H01M 8/02 Y
2017年03月31日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/44, FI分類-C23C 18/12, FI分類-H01M 8/02 Y
2017年02月28日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-B05D 3/00 B, FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/306 D
2017年02月28日特許庁 / 特許	処理方法 FI分類-B05B 17/06, FI分類-H01L 21/31 B, FI分類-H01L 21/306 R, FI分類-H01L 21/316 X
2017年01月13日特許庁 / 特許	フラーレンの成膜方法 FI分類-C23C 16/26, FI分類-C01B 32/152, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/31 Z, FI分類-H01L 21/208 Z, FI分類-H01L 21/368 L, FI分類-H01L 31/04 182, FI分類-H01L 31/04 154 F
2016年12月31日特許庁 / 特許	発光層の製造方法 FI分類-H05B 33/10, FI分類-H05B 33/14 B
2016年12月21日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 31/04 112 Z, FI分類-H01L 31/04 182 A
2016年12月17日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P
2016年11月28日特許庁 / 特許	成膜装置および成膜方法 FI分類-B05C 3/08, FI分類-B05B 17/06
2016年11月10日特許庁 / 特許	積層体の製造方法および積層体 FI分類-C23C 16/40, FI分類-B05D 1/02 Z, FI分類-B05D 3/02 Z, FI分類-B32B 9/00 A, FI分類-C23C 16/448, FI分類-B05D 7/24 302 A
2016年11月10日特許庁 / 特許	成膜装置および成膜方法 FI分類-B05D 3/12 F, FI分類-C23C 16/448, FI分類-C23C 16/455
2016年11月04日特許庁 / 特許	結晶性ZrO2膜の製造方法および結晶性ZrO2膜 FI分類-C01G 25/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 25/02 Z
2016年09月20日特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 29/48 D
2016年09月20日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/28 B, FI分類-H01L 23/30 R, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 21/285 C, FI分類-H01L 21/312 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 Z
2016年08月31日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 FI分類-C30B 29/22 A, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/78 652 E, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 655 B, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 M
2016年08月31日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/02, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2016年08月24日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/80 M, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P
2016年07月30日特許庁 / 特許	コンデンサの製造方法 FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01G 9/05 H, FI分類-H01G 9/24 C
2016年07月28日特許庁 / 特許	結晶性酸化物膜 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2016年07月27日特許庁 / 特許	積層構造体の製造方法 FI分類-B05D 1/02 Z, FI分類-B05D 3/00 B, FI分類-B05D 3/02 Z, FI分類-C08F 2/00 C, FI分類-H01M 4/88 K, FI分類-H01M 8/02 E, FI分類-H05K 3/00 R, FI分類-B32B 15/08 K
2016年06月30日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜およびその製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/22, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F
2016年04月27日特許庁 / 特許	燃料電池用セパレータ及びその製造方法 FI分類-H01M 8/10, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/02 B
2016年04月08日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 29/22 Z, FI分類-H01L 29/78 620, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 F
2016年04月08日特許庁 / 特許	積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 21/368 Z
2016年04月08日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 20/08, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 F
2016年04月08日特許庁 / 特許	積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2016年03月18日特許庁 / 特許	ペロブスカイト膜の製造方法 FI分類-C23C 20/06, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/316 X
2016年03月18日特許庁 / 特許	シリコン酸化膜の製造方法 FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 29/78 617 V, FI分類-H01L 29/78 619 A
2016年03月18日特許庁 / 特許	無機酸化膜の成膜方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/42, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/316 B
2016年01月19日特許庁 / 特許	ポリマーの製造方法及び製造装置並びに有機膜の製造方法及び製造装置 FI分類-C08F 2/01, FI分類-C08F 2/00 C
2016年01月15日特許庁 / 特許	結晶性酸化物膜 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01B 5/14 A, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年12月24日特許庁 / 特許	光電変換素子の製造方法 FI分類-H01L 31/04 112 Z
2015年10月08日特許庁 / 特許	導電性積層構造体の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年10月08日特許庁 / 特許	剥離方法 FI分類-C23C 16/01, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 33/00, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C23C 14/14 G, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年09月30日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜および半導体装置 FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年09月08日特許庁 / 特許	深紫外発光素子 FI分類-H01J 63/06, FI分類-H01L 21/31 B, FI分類-H01L 33/00 180
2015年09月08日特許庁 / 特許	深紫外光発生用ターゲット、深紫外光源および深紫外発光素子 FI分類-C09K 11/64, FI分類-C09K 11/62 CPB
2015年08月28日特許庁 / 特許	積層構造体およびその製造方法、半導体装置ならびに結晶膜 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/40, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜および板状体ならびに半導体装置 FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2015年07月21日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜および板状体ならびに半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	剥離方法、結晶性半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/16, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 29/20, FI分類-C30B 33/00, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 33/36, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 D, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 33/36, FI分類-H01L 33/40, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 D, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 33/38, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 D, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 33/36, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 D, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 33/36, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 652 D, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/42, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F
2015年07月21日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/18, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 E, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/48 P, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2015年07月13日特許庁 / 特許	シリコン酸化膜の成膜方法 FI分類-H01L 21/316 X
2015年06月26日特許庁 / 特許	成膜装置および成膜方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年06月26日特許庁 / 特許	サセプタ FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C23C 14/50 D, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年06月11日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z
2015年06月11日特許庁 / 特許	半導体膜、積層構造体および半導体装置 FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 F, FI分類-H01L 29/78 626 C, FI分類-H01L 29/86 301 D
2015年05月27日特許庁 / 特許	金属膜形成方法 FI分類-C23C 18/02, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/285 C, FI分類-H01L 21/28 301 R
2015年05月27日特許庁 / 特許	金属膜形成方法 FI分類-C23C 16/18, FI分類-H01L 21/288, FI分類-H01L 21/288 M
2015年05月27日特許庁 / 特許	金属膜形成方法 FI分類-C23C 16/44 Z, FI分類-H01L 21/285 C, FI分類-H01L 21/28 301 R
2015年05月26日特許庁 / 特許	酸化イットリウム膜 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/448, FI分類-C01F 17/00 A
2015年05月07日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/50 B, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/78 620, FI分類-H01L 33/00 180, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 F, FI分類-H01L 29/78 619 A, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 M
2015年05月07日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体、半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 33/00 160, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 E, FI分類-H01L 29/78 618 F, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 M
2015年05月07日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体、半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 F, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P
2015年05月07日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体および半導体装置 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/50 B, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/78 620, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 X, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 619 A, FI分類-H01L 29/78 626 A, FI分類-H01L 29/78 626 C, FI分類-H01L 29/78 627 F, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E
2015年04月27日特許庁 / 特許	成膜方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 618 A, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 E, FI分類-H01L 29/78 627 F
2015年03月30日特許庁 / 特許	霧化装置および成膜装置 FI分類-B05B 17/06
2015年03月30日特許庁 / 特許	霧化装置および成膜装置 FI分類-B05B 17/06, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205
2015年03月30日特許庁 / 特許	霧化装置および成膜装置 FI分類-B05B 17/06, FI分類-C23C 16/448
2015年03月30日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体、半導体装置 FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/205
2015年03月30日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体、半導体装置 FI分類-C30B 29/16
2015年03月30日特許庁 / 特許	結晶性酸化物薄膜、半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/91 A, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 G, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 P
2015年03月30日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体薄膜、半導体装置 FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C23C 14/08 J, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/91 A, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 618 G, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 P
2015年02月25日特許庁 / 特許	量子井戸構造、積層構造体および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/365
2015年02月25日特許庁 / 特許	蛍光体組成物の製造方法および発光装置 FI分類-C09K 11/62, FI分類-C09K 11/00 A, FI分類-C09K 11/08 A, FI分類-F21V 9/16 100, FI分類-C09K 11/64 CPB
2015年02月25日特許庁 / 特許	紫外線発光材料およびその製造方法 FI分類-C09K 11/62, FI分類-C09K 11/00 A, FI分類-C09K 11/08 A, FI分類-C09K 11/64 CPB
2015年02月25日特許庁 / 特許	紫外線発光材料およびその製造方法 FI分類-C09K 11/62, FI分類-C09K 11/08 B
2015年02月25日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/22, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368
2015年02月25日特許庁 / 特許	結晶性酸化物半導体膜、半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/365
2015年02月09日特許庁 / 特許	成膜装置および成膜方法 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365
2015年02月06日特許庁 / 特許	膜厚算出方法、成膜装置およびプログラム FI分類-C23C 18/12
2014年11月26日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体およびその製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/365
2014年11月26日特許庁 / 特許	結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 FI分類-C30B 29/16
2014年11月26日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体 FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/04, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/365
2014年10月29日特許庁 / 特許	成膜装置および成膜方法 FI分類-C23C 14/06 G, FI分類-C23C 14/24 K
2014年09月30日特許庁 / 特許	積層構造体の製造方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C30B 23/08 M, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/203 M, FI分類-H01L 21/368 Z
2014年09月25日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置 FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365
2014年09月25日特許庁 / 特許	結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置 FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01B 5/14 A, FI分類-H01B 13/00 503 B
2014年08月29日特許庁 / 特許	金属膜形成方法 FI分類-C23C 16/18, FI分類-H01L 21/288 Z, FI分類-H01L 21/28 301 R
2014年08月29日特許庁 / 特許	量子井戸構造および半導体装置 FI分類-H01S 5/34, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 29/24, FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 29/06 601 W
2014年07月22日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/26, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 33/00 180, FI分類-H01L 33/00 186, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D
2014年07月22日特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/58 G, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 D, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 G, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 M
2014年07月08日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C01G 15/00 D, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 33/00 186, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 626 A, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 C, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F
2014年07月08日特許庁 / 特許	結晶性半導体膜および半導体装置 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 29/24, FI分類-H01L 33/26, FI分類-H01L 21/365, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 29/91 K, FI分類-H01L 21/368 Z, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 654 A, FI分類-H01L 29/78 655 A, FI分類-H01L 29/78 658 E, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 P
2014年07月02日特許庁 / 特許	半導体装置又は結晶構造体の製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01L 21/365, FI分類-C01G 15/00 D, FI分類-C01G 15/00 Z, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 21/368 Z

株式会社FLOSFIAの商標情報(13件)

日付公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年07月10日特許庁 / 商標	半導体エコロジー 09類
2020年07月10日特許庁 / 商標	SEMI ecology 09類
2020年07月10日特許庁 / 商標	ミストエコロジー 09類
2020年07月10日特許庁 / 商標	MIST ecology 09類
2017年10月13日特許庁 / 商標	GaO 09類
2017年09月06日特許庁 / 商標	FLOSFIA 40類
2017年04月21日特許庁 / 商標	MIST DRY 07類, 09類, 40類
2017年04月21日特許庁 / 商標	ミストドライ 07類, 09類, 40類
2016年05月02日特許庁 / 商標	BUZZ-POP 07類, 09類, 40類
2014年06月20日特許庁 / 商標	FLOSFIA 07類
2014年06月20日特許庁 / 商標	MIST EPITAXY 07類, 09類
2014年06月20日特許庁 / 商標	MIST 09類
2014年06月03日特許庁 / 商標	FLOSFIA 09類

株式会社FLOSFIAの意匠情報(1件)

日付公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2015年04月03日特許庁 / 意匠	収納容器意匠新分類-G1501

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株式会社FLOSFIAの近くの法人

美流株式会社

法人番号:9130001074113 / 更新:2023年04月14日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地39京大桂ベンチャープラザ南館2107号室

株式会社RIKU

法人番号:9130001069170 / 更新:2021年08月18日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36京大桂ベンチャープラザ

Anjet Research Lab株式会社

法人番号:9130001065847 / 更新:2020年04月15日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-39京大桂ベンチャープラザ南館2203号室

株式会社Space Power Technologies

法人番号:9130001064477 / 更新:2019年05月28日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番36号京大桂ベンチャープラザ北館

株式会社カリアーク

法人番号:9130001063413 / 更新:2022年06月06日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36京大桂ベンチャープラザ北館309

株式会社REIメディカル

法人番号:9130001029570 / 更新:2015年11月13日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地39

サイマルテニアス株式会社

法人番号:8120001236193 / 更新:2021年11月26日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地39

一般社団法人テラヘルツ技術研究会

法人番号:7130005015585 / 更新:2019年05月10日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36京大桂ベンチャープラザS05

一般社団法人葉酸と母子の健康を考える会

法人番号:7130005009406 / 更新:2019年08月30日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地49

Symbiobe株式会社

法人番号:7130001068414 / 更新:2021年06月11日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地39京大桂ベンチャープラザ南館

SISEN株式会社

法人番号:7130001061336 / 更新:2018年08月09日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地36京大桂ベンチャープラザ北館306号室

Ga.A Security&Design株式会社

法人番号:7130001051691 / 更新:2015年11月13日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地36

マイキャン・テクノロジーズ株式会社

法人番号:7010001177012 / 更新:2019年04月26日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36京大桂ベンチャープラザ

株式会社アートリサーチ

法人番号:6130001067763 / 更新:2023年07月26日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36京大桂ベンチャープラザ北館303

株式会社Geek Guild

法人番号:6130001062442 / 更新:2020年11月25日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地36京大桂ベンチャープラザ北館310号室

株式会社PF Capital

法人番号:6010001153781 / 更新:2022年08月10日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地49

株式会社ファーマフーズ

法人番号:5130001011549 / 更新:2018年09月05日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地49

一般社団法人安全安心社会構築教育協会

法人番号:4130005015398 / 更新:2020年10月21日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36京都大学・桂キャンパスVP北館3階306号室

有限会社ウィズユウ企画

法人番号:4130002022777 / 更新:2015年11月13日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1番地23

SABABA株式会社

法人番号:4130001072369 / 更新:2022年08月08日
所在地:京都府京都市西京区御陵大原1-36

前の法人:株式会社福永工業次の法人:株式会社森製作所

期間公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2021年07月21日国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構	省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業新世代パワー半導体の開発酸化ガリウムパワー半導体の開発円
2018年11月26日防衛省	超高耐圧α型酸化ガリウムパワー半導体とパルス電源の基礎研究 1,789,605,357円

日付公表組織	活動名称 / 活動対象
2019年04月18日特許庁	知財功労賞(知的財産権制度活用優良企業等表彰) 知財活用ベンチャー知的財産権制度を有効に活用しその発展に寄与した企業等
2018年06月11日経済産業省	J-Startup企業製造/素材・マテリアル
2018年12月25日経済産業省	地域未来牽引企業