法人番号:5180001121038
株式会社テンシックス
情報更新日:2024年08月31日
株式会社テンシックスとは
株式会社テンシックスは、法人番号:5180001121038で愛知県長久手市郷前2276番地に所在する法人として名古屋法務局で法人登録され、2015年11月18日に法人番号が指定されました。登録情報として、特許情報が6件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2015年11月25日です。
インボイス番号:T5180001121038については、2024年08月31日現在、適格請求書発行事業者の登録は確認できません。
この地域の労働局は愛知労働局。瀬戸労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社テンシックスの基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 株式会社テンシックス |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | - |
| 法人番号 | 5180001121038 |
| 会社法人等番号 | 1800-01-121038 |
| 登記所 | 名古屋法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T5180001121038 ※2024年08月31日現在、適格請求書発行事業者の登録は確認できません。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒480-1304 ※地方自治体コードは 23238 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 愛知県 ※愛知県の法人数は 280,892件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 長久手市 ※長久手市の法人数は 1,557件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 郷前2276番地 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 愛知県長久手市郷前2276番地 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | アイチケンナガクテシゴウマエ |
| 更新年月日更新日 | 2015年11月25日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年11月18日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年11月18日 |
| 管轄の労働局労働局 | 愛知労働局 〒460-8507 愛知県名古屋市中区三の丸2丁目5番1号 名古屋合同庁舎第2号館 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 瀬戸労働基準監督署 〒489-0881 愛知県瀬戸市熊野町100 |
株式会社テンシックスの場所
株式会社テンシックスの登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年11月18日 | 【新規登録】 名称が「株式会社テンシックス」で、「愛知県長久手市郷前2276番地」に新規登録されました。 |
株式会社テンシックスと同じ名称の法人
| 件数 | リンク |
|---|---|
| 3件 | ※「株式会社テンシックス」と同じ名称の法人を探す |
株式会社テンシックスの法人活動情報
株式会社テンシックスの特許情報(6件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2017年07月19日 特許庁 / 特許 | 化合物半導体基板及びその製造方法 FI分類-C30B 29/16, FI分類-C30B 33/06, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/36 A, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2017年05月31日 特許庁 / 特許 | 半導体素子及びその製造方法 FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 29/44 L, FI分類-H01L 29/48 D, FI分類-H01L 29/48 F, FI分類-H01L 29/91 A, FI分類-H01L 29/91 C, FI分類-H01L 29/91 F, FI分類-H01L 27/088 E, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 R, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 658 F, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 F, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2017年05月31日 特許庁 / 特許 | 半導体素子及びその製造方法 FI分類-H01L 21/88 J, FI分類-H01L 29/44 L, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 616 S, FI分類-H01L 29/78 617 A, FI分類-H01L 29/78 618 B, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 656 B, FI分類-H01L 29/78 658 F, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 29/78 658 K |
2017年05月31日 特許庁 / 特許 | 半導体素子の製造方法及び半導体基板 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/02 C, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 658 F, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 29/78 658 K, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 M |
2017年05月31日 特許庁 / 特許 | 半導体素子の製造方法及び半導体基板 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/02 C, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 21/28 301 S, FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 658 F, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 29/78 658 K, FI分類-H01L 29/86 301 D, FI分類-H01L 29/86 301 E, FI分類-H01L 29/86 301 M, FI分類-H01L 29/86 301 P |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/36 A, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 658 E |
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