技術研究組合光電子融合基盤技術研究所とは

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(ヒカリデンシユウゴウキバンギジュツケンキュウショ)は、法人番号:7010005014302で東京都文京区関口1丁目20番10号に所在する法人として東京法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。登録情報として、調達情報が3件特許情報が19件商標情報が2件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2018年06月01日です。
インボイス番号:T7010005014302については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は東京労働局。中央労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
 

名称の「技術研究組合」について(β版)

技術研究組合は、法人格を持つ組織であり、技術的な研究開発活動を行うことを目的としています。組合員は、企業や研究機関などの団体で構成されており、共同で研究プロジェクトを進めることで、技術の革新や新たな知識の創出を目指しています。組合は、研究成果の共有や知的財産の管理、研究費の調達などを行い、組合員の技術力向上や競争力の強化を支援しています。また、組合は独自の研究テーマや目標を設定し、その達成に向けた研究計画を策定しています。技術研究組合は、産学連携や業界の発展に貢献する重要な存在として、さまざまな分野で活動しています。

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の基本情報

項目 内容
商号又は名称 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
商号又は名称(読み仮名)フリガナ ヒカリデンシユウゴウキバンギジュツケンキュウショ
法人番号 7010005014302
会社法人等番号 0100-05-014302
登記所 東京法務局
※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号
※2024年08月31日更新
インボイス番号
T7010005014302
※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。
(2024年08月31日現在)
法人種別 その他の設立登記法人
法人格:技術研究組合
郵便番号 〒112-0014
※地方自治体コードは 13105
国内所在地(都道府県)都道府県 東京都
※東京都の法人数は 1,322,793件
国内所在地(市区町村)市区町村 文京区
※文京区の法人数は 27,626件
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 関口1丁目20番10号
国内所在地(1行表示)1行表示 東京都文京区関口1丁目20番10号
国内所在地(読み仮名)読み仮名 トウキョウトブンキョウクセキグチ1チョウメ
更新年月日更新日 2018年06月01日
変更年月日変更日 2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日 2015年10月05日
※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局 東京労働局
〒102-8305~〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階~14階
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 中央労働基準監督署
〒112-8573 東京都文京区後楽1-9-20飯田橋合同庁舎6・7階

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の場所

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技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の登録履歴

日付 内容
2015年10月05日
【新規登録】
名称が「技術研究組合光電子融合基盤技術研究所」で、「東京都文京区関口1丁目20番10号」に新規登録されました。

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の法人活動情報

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の調達情報(3件)

期間
公表組織
活動名称 / 活動対象 / 金額
2021年08月23日
高効率・高速処理を可能とするAIチップ・次世代コンピューティングの技術開発次世代コンピューティング技術の開発異種材料集積光エレクトロニクスを用いた高効率・高速処理分散コンピューティングシステム技術開発
3,999,605,400円
2018年11月05日
高効率・高速処理を可能とするAIチップ・次世代コンピューティングの技術開発次世代コンピューティング技術の開発ディスアグリゲーション型次世代データセンサに適用する光電ハイブリッドスイッチを用いた高速低電力データ伝送システムの研究開発
1,484,060,160円
2018年04月24日
超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発
2,559,999,840円

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の特許情報(19件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2021年03月29日
特許庁 / 特許
光半導体素子及びその製造方法
FI分類-H01L 31/10 A
2019年09月30日
特許庁 / 特許
光導波路素子及び光軸調整方法
FI分類-G02B 6/30, FI分類-G02B 6/124, FI分類-G02B 6/12 331, FI分類-G02B 6/122 311
2019年02月27日
特許庁 / 特許
光回路集積ウェハ用光電融合プローブ及び測定方法
FI分類-G02B 6/26, FI分類-G02B 6/30, FI分類-G02B 6/32, FI分類-G02B 6/42, FI分類-G01R 1/073 F
2017年09月26日
特許庁 / 特許
変調光源
FI分類-H01S 5/14, FI分類-G02F 1/025, FI分類-H01S 5/065, FI分類-H01S 5/125
2017年09月08日
特許庁 / 特許
光変調器及びその製造方法
FI分類-G02F 1/025
2017年03月31日
特許庁 / 特許
電気光学変調器
FI分類-G02F 1/025
2017年01月31日
特許庁 / 特許
光ファイバ実装構造及び光モジュール
FI分類-G02B 6/30, FI分類-G02B 6/32
2017年01月06日
特許庁 / 特許
光モジュール、及びこれを用いた電子機器
FI分類-G02B 6/30
2016年10月26日
特許庁 / 特許
ネットワークシステム
FI分類-H04B 10/40, FI分類-H01L 31/02 B, FI分類-G02F 1/015 505, FI分類-H04J 14/02 101
2016年09月14日
特許庁 / 特許
グレーティングカプラ
FI分類-G02B 6/122
2016年09月08日
特許庁 / 特許
光モジュール
FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01S 5/022, FI分類-G02B 6/12 301
2016年09月07日
特許庁 / 特許
光ファイバ搭載光集積回路装置
FI分類-G02B 6/30, FI分類-G02B 6/122
2016年07月28日
特許庁 / 特許
光配線モジュール、光トランシーバ、及び光接続方法
FI分類-G02B 6/30, FI分類-G02B 6/122
2016年07月11日
特許庁 / 特許
光素子
FI分類-G02F 1/025, FI分類-H01S 5/50 630
2016年06月02日
特許庁 / 特許
光回路デバイスとこれを用いた光トランシーバ
FI分類-G02B 6/42, FI分類-G02B 6/122, FI分類-H01S 5/022, FI分類-G02B 6/12 301, FI分類-G02B 6/125 301, FI分類-H01S 5/026 618
2016年03月30日
特許庁 / 特許
SiGeフォトダイオード
FI分類-H01L 31/10 A
2016年02月17日
特許庁 / 特許
電気光学装置
FI分類-G02F 1/025
2015年07月30日
特許庁 / 特許
光デバイス
FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-H01L 31/10 C
2015年03月31日
特許庁 / 特許
光集積回路、および光集積回路の制御方法
FI分類-H01S 5/02, FI分類-G02B 6/122, FI分類-G02F 1/295, FI分類-G02B 6/125 301

技術研究組合光電子融合基盤技術研究所の商標情報(2件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2014年02月28日
特許庁 / 商標
PeXT
09類
2014年02月28日
特許庁 / 商標
PeXT\ペクスト
09類

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