法人番号:7040001101167
I‐PEX Piezo Solutions株式会社
情報更新日:2024年08月31日
I‐PEX Piezo Solutions株式会社とは
I‐PEX Piezo Solutions株式会社（アイペックスピエゾソリューションズ）は、法人番号:7040001101167で山口県宇部市あすとぴあ2丁目1番地17に所在する法人として千葉地方法務局で法人登録され、2017年07月27日に法人番号が指定されました。登録情報として、特許情報が20件が登録されています。なお、2023年01月05日に法人番号公表サイトでは登録情報が変更されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2023年01月16日です。
インボイス番号:T7040001101167については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は山口労働局。宇部労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
I‐PEX Piezo Solutions株式会社の基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | I‐PEX Piezo Solutions株式会社 |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | アイペックスピエゾソリューションズ |
| 法人番号 | 7040001101167 |
| 会社法人等番号 | 0400-01-101167 |
| 登記所 | 千葉地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T7040001101167 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒755-0152 ※地方自治体コードは 35202 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 山口県 ※山口県の法人数は 42,496件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 宇部市 ※宇部市の法人数は 5,185件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | あすとぴあ2丁目1番地17 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 山口県宇部市あすとぴあ2丁目1番地17 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | ヤマグチケンウベシアストピア2チョウメ |
| 更新年月日更新日 | 2023年01月16日 |
| 変更年月日変更日 | 2023年01月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2017年07月27日 |
| 管轄の労働局労働局 | 山口労働局 〒753-8510 山口県山口市中河原町6番16号山口地方合同庁舎2号館 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 宇部労働基準監督署 〒755-0044 山口県宇部市新町10-33宇部地方合同庁舎4階 |
I‐PEX Piezo Solutions株式会社の場所
I‐PEX Piezo Solutions株式会社の登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2023年01月05日 | 【吸収合併】 令和5年1月1日山口県宇部市あすとぴあ二丁目1番地17MicroInnovators Laboratory株式会社(1250001019047)を合併 |
| 2023年01月05日 | 【名称変更】 名称が「I‐PEX Piezo Solutions株式会社」に変更されました。 |
| 2018年04月18日 | 【名称変更】 名称が「KRYSTAL株式会社」に変更されました。 |
| 2018年04月09日 | 【名称変更】 名称が「クリスタル株式会社」に変更されました。 |
| 2018年03月14日 | 【住所変更】 国内所在地が「山口県宇部市あすとぴあ2丁目1番地17」に変更されました。 |
| 2017年07月27日 | 【新規登録】 名称が「ニュージャパンメムス株式会社」で、「千葉県流山市南流山2丁目8番地12サンヨーフィエルテ303」に新規登録されました。 |
I‐PEX Piezo Solutions株式会社の法人活動情報
I‐PEX Piezo Solutions株式会社の特許情報(20件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2018年06月13日 特許庁 / 特許 | 膜構造体及びその製造方法 FI分類-C01G 25/00, FI分類-C01G 25/02, FI分類-H01L 41/29, FI分類-C04B 35/486, FI分類-C04B 35/491, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/113, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C23C 14/06 N, FI分類-C23C 14/08 F, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-C23C 14/14 D |
2017年05月31日 特許庁 / 特許 | 膜構造体及びその製造方法 FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-C23C 14/14 D, FI分類-H01L 21/316 G, FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/316 Y |
2017年05月26日 特許庁 / 特許 | 膜構造体及びその製造方法 FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319 |
2016年11月15日 特許庁 / 特許 | 膜構造体及びその製造方法 FI分類-H01L 41/29, FI分類-H01L 41/43, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C23C 14/06 N, FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/316 X |
2016年11月15日 特許庁 / 特許 | 膜構造体の製造方法 FI分類-H01L 41/29, FI分類-H01L 41/43, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C23C 14/08 N, FI分類-H01L 21/316 X |
2016年08月12日 特許庁 / 特許 | モータ FI分類-H02N 2/12, FI分類-H01L 41/09, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/187, FI分類-C23C 14/06 N, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-H02K 21/14 M |
2016年06月20日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 FI分類-H01L 41/29, FI分類-H01L 41/43, FI分類-C04B 35/491, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C23C 14/08 K |
2016年06月07日 特許庁 / 特許 | スパッタリング装置、膜の製造方法、SrRuO3-δ膜、強誘電体セラミックス及びその製造方法 FI分類-C04B 35/01, FI分類-C04B 35/462, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-C23C 14/34 N, FI分類-C23C 14/34 R |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | 膜構造体、アクチュエータ、モータ及び膜構造体の製造方法 FI分類-H01F 10/14, FI分類-H01F 10/16, FI分類-H01F 10/30, FI分類-H01F 41/18, FI分類-H01F 41/20, FI分類-H01L 41/09, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H02K 1/02 Z, FI分類-H02K 1/22 A, FI分類-H02N 2/00 B, FI分類-H02N 2/00 C, FI分類-H02K 11/00 B |
2015年11月19日 特許庁 / 特許 | 加圧式ランプアニール装置、強誘電体膜及びその製造方法 FI分類-C01B 13/36, FI分類-H01L 41/43, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319, FI分類-H01L 21/26 G, FI分類-H01L 21/316 G, FI分類-H01L 27/11507 |
2015年09月18日 特許庁 / 特許 | 強誘電体メモリ及びその製造方法、強誘電体膜及びその製造方法 FI分類-H01L 41/43, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/317, FI分類-H01L 41/319, FI分類-H01L 21/316 G, FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 27/10 444 A |
2015年06月18日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス、強誘電体メモリ及びその製造方法 FI分類-H01L 41/09, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C04B 35/49 A, FI分類-C23C 14/06 N, FI分類-H01L 27/10 444 A |
2015年04月27日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 FI分類-H01L 41/43, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/318, FI分類-H01L 41/319 |
2014年12月26日 特許庁 / 特許 | 圧電膜及び圧電セラミックス FI分類-C01G 25/00, FI分類-C01G 55/00, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C04B 35/46 Z, FI分類-C04B 35/48 D, FI分類-C04B 35/49 A, FI分類-C23C 14/08 F |
2014年10月23日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス、電子部品及び強誘電体セラミックスの製造方法 FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C04B 35/49 A, FI分類-C23C 14/08 K |
2014年08月14日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-C23C 14/06 N, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-H01L 21/316 C, FI分類-H01L 21/316 P, FI分類-H01L 21/316 Y |
2014年06月24日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス FI分類-H01L 41/04, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C04B 41/87 F, FI分類-C23C 14/08 K |
2014年02月18日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス及びその製造方法 FI分類-H01L 41/29, FI分類-B32B 9/00 A, FI分類-H01L 41/047, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/318, FI分類-B32B 18/00 Z, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-C23C 14/34 A |
2014年02月18日 特許庁 / 特許 | 強誘電体膜及びその製造方法 FI分類-H01L 41/43, FI分類-H01L 41/187, FI分類-H01L 41/316, FI分類-H01L 41/318, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-H01L 21/316 G, FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/316 Y, FI分類-H01L 27/10 444 C |
2014年02月18日 特許庁 / 特許 | 強誘電体セラミックス FI分類-H01L 41/29, FI分類-H01L 41/319, FI分類-C23C 14/06 N |
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