日新イオン機器株式会社とは

日新イオン機器株式会社(ニッシンイオンキキ)は、法人番号:7130001011423で京都府京都市南区久世殿城町575番地に所在する法人として京都地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役長井宣夫。設立日は1993年02月22日。従業員数は268人。登録情報として、調達情報が1件表彰情報が1件届出情報が1件特許情報が66件商標情報が5件意匠情報が5件職場情報が1件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2019年07月09日です。
インボイス番号:T7130001011423については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は京都労働局。京都下労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
 

名称の「株式会社」について(β版)

株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。

日新イオン機器株式会社の基本情報

項目 内容
商号又は名称 日新イオン機器株式会社
商号又は名称(読み仮名)フリガナ ニッシンイオンキキ
法人番号 7130001011423
会社法人等番号 1300-01-011423
登記所 京都地方法務局
※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号
※2024年08月31日更新
インボイス番号
T7130001011423
※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。
(2024年08月31日現在)
法人種別 株式会社
郵便番号 〒601-8205
※地方自治体コードは 26107
国内所在地(都道府県)都道府県 京都府
※京都府の法人数は 112,065件
国内所在地(市区町村)市区町村 京都市南区
※京都市南区の法人数は 6,389件
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 久世殿城町575番地
国内所在地(1行表示)1行表示 京都府京都市南区久世殿城町575番地
国内所在地(読み仮名)読み仮名 キョウトフキョウトシミナミククゼトノシロチョウ
代表者 代表取締役 長井 宣夫
設立日 1993年02月22日
従業員数 268人
電話番号TEL 075-922-4611
ホームページHP http://www.nissin-ion.co.jp/
更新年月日更新日 2019年07月09日
変更年月日変更日 2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日 2015年10月05日
※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局 京都労働局
〒604-0846 京都府京都市中京区両替町通御池上ル金吹町451
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 京都下労働基準監督署
〒600-8009 京都府京都市下京区四条通室町東入 函谷鉾町101 アーバンネット四条烏丸ビル5階

日新イオン機器株式会社の場所

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日新イオン機器株式会社の登録履歴

日付 内容
2015年10月05日
【新規登録】
名称が「日新イオン機器株式会社」で、「京都府京都市南区久世殿城町575番地」に新規登録されました。

日新イオン機器株式会社の関連情報

項目内容
情報名日新イオン機器株式会社
情報名 読みニッシンイオンキキ
住所京都府京都市南区久世殿城町575
電話番号075-922-4611

日新イオン機器株式会社の法人活動情報

日新イオン機器株式会社の調達情報(1件)

期間
公表組織
活動名称 / 活動対象 / 金額
2021年07月28日
省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業半導体製造装置の高度化に向けた開発低エネルギー大電流イオンビームによる表面改質装置の開発

日新イオン機器株式会社の表彰情報(1件)

日付
公表組織
活動名称 / 活動対象
2017年12月04日
両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

日新イオン機器株式会社の届出情報(1件)

日付
公表組織
活動名称 / 活動対象
-
代表者:代表取締役 長井 宣夫
全省庁統一資格 / -

日新イオン機器株式会社の特許情報(66件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2021年09月30日
特許庁 / 特許
イオン源移動装置およびイオン注入装置
FI分類-H01J 3/38, FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 Z
2021年09月06日
特許庁 / 特許
基板移送装置
FI分類-B25J 5/02 A, FI分類-F16H 19/04 H, FI分類-F16H 25/22 A, FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/317 B
2021年07月12日
特許庁 / 特許
水素供給装置およびこれを備えたイオンビーム照射装置
FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 Z
2021年05月06日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 37/20 G, FI分類-H01J 37/317 Z
2021年04月27日
特許庁 / 特許
ウエハ搬送装置
FI分類-B65G 49/07 G, FI分類-H01L 21/68 A
2020年12月23日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置の運転方法、イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 A
2020年12月14日
特許庁 / 特許
イオン注入装置
FI分類-H01J 37/317 B
2020年09月24日
特許庁 / 特許
搬送装置
FI分類-H01L 21/68 A
2020年09月23日
特許庁 / 特許
イオン注入装置
FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C, FI分類-H01L 21/265 603 D
2020年09月15日
特許庁 / 特許
基板保持装置およびイオン注入装置
FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/20 B, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 D
2020年06月15日
特許庁 / 特許
ウエハ離脱装置及びウエハ離脱方法
FI分類-B25J 15/00 Z, FI分類-H01L 21/68 A
2020年06月11日
特許庁 / 特許
イオン源
FI分類-H01J 27/20, FI分類-H01J 37/08
2020年06月09日
特許庁 / 特許
除電装置およびフラットパネルディスプレイ製造装置
FI分類-H05F 3/04 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-G02F 1/13 101
2020年03月24日
特許庁 / 特許
基板冷却装置
FI分類-F25D 1/00 Z, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/265 603 D
2020年01月30日
特許庁 / 特許
イオン注入装置およびイオン注入方法
FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C
2019年10月28日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射装置用プログラム
FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 T
2019年09月24日
特許庁 / 特許
基板冷却装置および基板冷却方法
FI分類-H01L 21/68 N
2019年09月20日
特許庁 / 特許
基板処理装置
FI分類-H05F 3/04, FI分類-C23C 16/54, FI分類-C23C 14/56 F, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/265 603 C
2019年09月05日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置のクリーニング方法
FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 W, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/302 201 B
2019年08月02日
特許庁 / 特許
ビームプロファイルの判定方法およびイオンビーム照射装置
FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C, FI分類-H01L 21/265 603 Z
2019年06月28日
特許庁 / 特許
加熱装置
FI分類-H05B 3/02 A, FI分類-H01L 21/26 J, FI分類-H01L 21/265 602 B, FI分類-H01L 21/265 603 D
2019年03月27日
特許庁 / 特許
質量分離器
FI分類-H01J 49/30, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 603 B
2019年03月01日
特許庁 / 特許
イオン源およびそのクリーニング方法
FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08
2018年12月27日
特許庁 / 特許
基板保持装置
FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 D
2018年11月21日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 37/317 C
2018年08月09日
特許庁 / 特許
イオンビーム中和方法と装置
FI分類-G21K 1/14, FI分類-H01J 37/04 A, FI分類-H01J 37/30 A, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 603 B
2018年05月18日
特許庁 / 特許
イオン源
FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01L 21/265 603 A
2018年04月12日
特許庁 / 特許
イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法
FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317
2018年03月23日
特許庁 / 特許
イオン源、イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08
2018年02月09日
特許庁 / 特許
イオン源、イオン注入装置
FI分類-H01J 27/20, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317
2017年12月18日
特許庁 / 特許
静電チャック
FI分類-H01L 21/68 R
2017年11月22日
特許庁 / 特許
フラットパネルディスプレイ製造装置
FI分類-H05F 3/06, FI分類-H01L 21/68 A
2017年10月27日
特許庁 / 特許
イオン源及びイオン注入機
FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 Z
2017年09月27日
特許庁 / 特許
イオン源、イオン源の運転方法
FI分類-H01J 27/20, FI分類-H01J 37/08
2017年09月26日
特許庁 / 特許
半導体製造方法
FI分類-H01L 21/265 M, FI分類-H01L 21/265 V, FI分類-H01L 27/092 E, FI分類-H01L 29/78 613 A, FI分類-H01L 29/78 627 Z
2017年09月20日
特許庁 / 特許
イオン源支持台
FI分類-H01J 3/38, FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-G21K 5/04 A
2017年09月05日
特許庁 / 特許
パーティクル診断方法及びパーティクル診断装置
FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C
2017年08月31日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 37/317 C
2017年08月18日
特許庁 / 特許
イオン源
FI分類-H05H 1/24, FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08
2017年06月23日
特許庁 / 特許
プラズマ源
FI分類-H01J 27/16, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/077, FI分類-H05H 1/46 B
2017年05月23日
特許庁 / 特許
プラズマ源
FI分類-H01J 27/18, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H05H 1/46 B
2017年03月24日
特許庁 / 特許
加熱装置、半導体製造装置
FI分類-B65G 49/07 C, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H05B 3/00 345, FI分類-H01L 21/265 603 D, FI分類-H01L 21/265 603 Z
2017年03月24日
特許庁 / 特許
加熱装置、半導体製造装置
FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N
2017年03月09日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置、イオン源の着脱方法
FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/248 Z
2017年02月03日
特許庁 / 特許
ビーム電流計測器、荷電粒子ビーム照射装置
FI分類-H01J 37/04 A, FI分類-H01J 37/305 A, FI分類-H01J 37/305 B, FI分類-H01J 37/317 C
2016年11月21日
特許庁 / 特許
半導体製造装置、基板支持装置の冷却方法
FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 A
2016年09月15日
特許庁 / 特許
イオン源
FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/04 Z
2016年08月03日
特許庁 / 特許
イオン注入システム
FI分類-H01J 37/147 D, FI分類-H01J 37/317 A
2016年07月05日
特許庁 / 特許
ビーム調整装置及びイオン注入装置
FI分類-H01J 37/10, FI分類-H01J 37/317 C
2016年04月28日
特許庁 / 特許
イオンビームエッチング装置
FI分類-H01J 37/305, FI分類-H01J 37/20 Z, FI分類-H01L 21/302 101
2016年04月26日
特許庁 / 特許
磁気偏向システム、イオン注入システム、イオンビームを走査する方法
FI分類-H01J 37/147 D
2016年04月25日
特許庁 / 特許
イオン源
FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08
2016年02月22日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 603 A, FI分類-H01L 21/265 603 B
2015年11月11日
特許庁 / 特許
絶縁スペーサ、電極体、荷電粒子源および荷電粒子ビーム照射装置
FI分類-H01J 37/04 Z
2015年07月15日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置
FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/20 B, FI分類-H01J 37/317 B
2015年06月16日
特許庁 / 特許
真空チャンバ及び質量分析電磁石
FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 603 B
2015年05月08日
特許庁 / 特許
基板保持装置
FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B
2015年03月11日
特許庁 / 特許
部材交換器
FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08
2014年12月05日
特許庁 / 特許
イオン源、支持台、吊下機構、イオン源搬送システム及びイオン源搬送方法
FI分類-H01J 3/38, FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08
2014年11月18日
特許庁 / 特許
イオンビーム照射装置及びこれに用いられるプログラム
FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 T
2014年11月04日
特許庁 / 特許
質量分析電磁石
FI分類-H01J 37/317 Z
2014年10月03日
特許庁 / 特許
イオン源
FI分類-H01J 27/14
2014年10月03日
特許庁 / 特許
イオン源の運転方法
FI分類-H01J 27/14
2014年09月19日
特許庁 / 特許
基板処理装置
FI分類-C23C 14/56 G, FI分類-H01J 37/20 B, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 C, FI分類-H01L 21/265 603 D
2014年04月28日
特許庁 / 特許
真空処理システム、真空処理装置、潤滑剤供給装置および潤滑剤供給方法
FI分類-F16N 7/14, FI分類-F16C 29/06, FI分類-H01L 21/68 A
2014年04月15日
特許庁 / 特許
イオン注入装置
FI分類-C23C 14/48 Z, FI分類-C23C 14/50 D, FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 D

日新イオン機器株式会社の商標情報(5件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2023年07月28日
特許庁 / 商標
KYOKA
07類
2019年06月17日
特許庁 / 商標
日新イオン機器株式会社
37類
2019年06月17日
特許庁 / 商標
NISSIN ION EQUIPMENT CO.,LTD.
37類
2015年11月10日
特許庁 / 商標
LUXiON
07類
2014年11月25日
特許庁 / 商標
BeyEX
07類

日新イオン機器株式会社の意匠情報(5件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2023年04月24日
特許庁 / 意匠
電子銃用電極
意匠新分類-K0790
2023年03月24日
特許庁 / 意匠
アノード電極
意匠新分類-K0790
2022年06月08日
特許庁 / 意匠
プラズマ生成チャンバ
意匠新分類-K0790
2020年10月21日
特許庁 / 意匠
イオン源用カソード
意匠新分類-K0790
2019年12月06日
特許庁 / 意匠
イオンビーム引出電極
意匠新分類-K6400

日新イオン機器株式会社の職場情報

項目 データ
事業概要
半導体製造用イオン注入装置及びフラットパネルディスプレイ製造用イオン注入装置の開発・設計・製造・販売 及び 保守
企業規模
268人
男性 248人 / 女性 35人
女性労働者の割合
範囲 正社員
10.0%

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