法人番号:7130001011423
日新イオン機器株式会社
情報更新日:2024年08月31日
日新イオン機器株式会社とは
日新イオン機器株式会社(ニッシンイオンキキ)は、法人番号:7130001011423で京都府京都市南区久世殿城町575番地に所在する法人として京都地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役長井宣夫。設立日は1993年02月22日。従業員数は268人。登録情報として、調達情報が1件、表彰情報が1件、届出情報が1件、特許情報が66件、商標情報が5件、意匠情報が5件、職場情報が1件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2019年07月09日です。
インボイス番号:T7130001011423については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は京都労働局。京都下労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
日新イオン機器株式会社の基本情報
項目 | 内容 |
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商号又は名称 | 日新イオン機器株式会社 |
商号又は名称(読み仮名)フリガナ | ニッシンイオンキキ |
法人番号 | 7130001011423 |
会社法人等番号 | 1300-01-011423 |
登記所 | 京都地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T7130001011423 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
法人種別 | 株式会社 |
郵便番号 | 〒601-8205 ※地方自治体コードは 26107 |
国内所在地(都道府県)都道府県 | 京都府 ※京都府の法人数は 112,065件 |
国内所在地(市区町村)市区町村 | 京都市南区 ※京都市南区の法人数は 6,389件 |
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 | 久世殿城町575番地 |
国内所在地(1行表示)1行表示 | 京都府京都市南区久世殿城町575番地 |
国内所在地(読み仮名)読み仮名 | キョウトフキョウトシミナミククゼトノシロチョウ |
代表者 | 代表取締役 長井 宣夫 |
設立日 | 1993年02月22日 |
従業員数 | 268人 |
電話番号TEL | 075-922-4611 |
ホームページHP | http://www.nissin-ion.co.jp/ |
更新年月日更新日 | 2019年07月09日 |
変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
管轄の労働局労働局 | 京都労働局 〒604-0846 京都府京都市中京区両替町通御池上ル金吹町451 |
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 京都下労働基準監督署 〒600-8009 京都府京都市下京区四条通室町東入 函谷鉾町101 アーバンネット四条烏丸ビル5階 |
日新イオン機器株式会社の場所
日新イオン機器株式会社の登録履歴
日付 | 内容 |
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2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「日新イオン機器株式会社」で、「京都府京都市南区久世殿城町575番地」に新規登録されました。 |
日新イオン機器株式会社の関連情報
項目 | 内容 |
---|---|
情報名 | 日新イオン機器株式会社 |
情報名 読み | ニッシンイオンキキ |
住所 | 京都府京都市南区久世殿城町575 |
電話番号 | 075-922-4611 |
日新イオン機器株式会社の法人活動情報
日新イオン機器株式会社の調達情報(1件)
期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
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2021年07月28日 | 省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業半導体製造装置の高度化に向けた開発低エネルギー大電流イオンビームによる表面改質装置の開発 円 |
日新イオン機器株式会社の表彰情報(1件)
日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
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2017年12月04日 | 両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表 |
日新イオン機器株式会社の届出情報(1件)
日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
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- | 代表者:代表取締役 長井 宣夫 全省庁統一資格 / - |
日新イオン機器株式会社の特許情報(66件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2021年09月30日 特許庁 / 特許 | イオン源移動装置およびイオン注入装置 FI分類-H01J 3/38, FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 Z |
2021年09月06日 特許庁 / 特許 | 基板移送装置 FI分類-B25J 5/02 A, FI分類-F16H 19/04 H, FI分類-F16H 25/22 A, FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/317 B |
2021年07月12日 特許庁 / 特許 | 水素供給装置およびこれを備えたイオンビーム照射装置 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 Z |
2021年05月06日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 37/20 G, FI分類-H01J 37/317 Z |
2021年04月27日 特許庁 / 特許 | ウエハ搬送装置 FI分類-B65G 49/07 G, FI分類-H01L 21/68 A |
2020年12月23日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置の運転方法、イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 A |
2020年12月14日 特許庁 / 特許 | イオン注入装置 FI分類-H01J 37/317 B |
2020年09月24日 特許庁 / 特許 | 搬送装置 FI分類-H01L 21/68 A |
2020年09月23日 特許庁 / 特許 | イオン注入装置 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C, FI分類-H01L 21/265 603 D |
2020年09月15日 特許庁 / 特許 | 基板保持装置およびイオン注入装置 FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/20 B, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 D |
2020年06月15日 特許庁 / 特許 | ウエハ離脱装置及びウエハ離脱方法 FI分類-B25J 15/00 Z, FI分類-H01L 21/68 A |
2020年06月11日 特許庁 / 特許 | イオン源 FI分類-H01J 27/20, FI分類-H01J 37/08 |
2020年06月09日 特許庁 / 特許 | 除電装置およびフラットパネルディスプレイ製造装置 FI分類-H05F 3/04 Z, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-G02F 1/13 101 |
2020年03月24日 特許庁 / 特許 | 基板冷却装置 FI分類-F25D 1/00 Z, FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/265 603 D |
2020年01月30日 特許庁 / 特許 | イオン注入装置およびイオン注入方法 FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C |
2019年10月28日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射装置用プログラム FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 T |
2019年09月24日 特許庁 / 特許 | 基板冷却装置および基板冷却方法 FI分類-H01L 21/68 N |
2019年09月20日 特許庁 / 特許 | 基板処理装置 FI分類-H05F 3/04, FI分類-C23C 16/54, FI分類-C23C 14/56 F, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/265 603 C |
2019年09月05日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置のクリーニング方法 FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 W, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/302 201 B |
2019年08月02日 特許庁 / 特許 | ビームプロファイルの判定方法およびイオンビーム照射装置 FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C, FI分類-H01L 21/265 603 Z |
2019年06月28日 特許庁 / 特許 | 加熱装置 FI分類-H05B 3/02 A, FI分類-H01L 21/26 J, FI分類-H01L 21/265 602 B, FI分類-H01L 21/265 603 D |
2019年03月27日 特許庁 / 特許 | 質量分離器 FI分類-H01J 49/30, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 603 B |
2019年03月01日 特許庁 / 特許 | イオン源およびそのクリーニング方法 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08 |
2018年12月27日 特許庁 / 特許 | 基板保持装置 FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 D |
2018年11月21日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 37/317 C |
2018年08月09日 特許庁 / 特許 | イオンビーム中和方法と装置 FI分類-G21K 1/14, FI分類-H01J 37/04 A, FI分類-H01J 37/30 A, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 603 B |
2018年05月18日 特許庁 / 特許 | イオン源 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01L 21/265 603 A |
2018年04月12日 特許庁 / 特許 | イオン源、イオンビーム照射装置及びイオン源の運転方法 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 |
2018年03月23日 特許庁 / 特許 | イオン源、イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08 |
2018年02月09日 特許庁 / 特許 | イオン源、イオン注入装置 FI分類-H01J 27/20, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 |
2017年12月18日 特許庁 / 特許 | 静電チャック FI分類-H01L 21/68 R |
2017年11月22日 特許庁 / 特許 | フラットパネルディスプレイ製造装置 FI分類-H05F 3/06, FI分類-H01L 21/68 A |
2017年10月27日 特許庁 / 特許 | イオン源及びイオン注入機 FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 Z |
2017年09月27日 特許庁 / 特許 | イオン源、イオン源の運転方法 FI分類-H01J 27/20, FI分類-H01J 37/08 |
2017年09月26日 特許庁 / 特許 | 半導体製造方法 FI分類-H01L 21/265 M, FI分類-H01L 21/265 V, FI分類-H01L 27/092 E, FI分類-H01L 29/78 613 A, FI分類-H01L 29/78 627 Z |
2017年09月20日 特許庁 / 特許 | イオン源支持台 FI分類-H01J 3/38, FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08, FI分類-G21K 5/04 A |
2017年09月05日 特許庁 / 特許 | パーティクル診断方法及びパーティクル診断装置 FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 603 C |
2017年08月31日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 37/317 C |
2017年08月18日 特許庁 / 特許 | イオン源 FI分類-H05H 1/24, FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08 |
2017年06月23日 特許庁 / 特許 | プラズマ源 FI分類-H01J 27/16, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/077, FI分類-H05H 1/46 B |
2017年05月23日 特許庁 / 特許 | プラズマ源 FI分類-H01J 27/18, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H05H 1/46 B |
2017年03月24日 特許庁 / 特許 | 加熱装置、半導体製造装置 FI分類-B65G 49/07 C, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H05B 3/00 345, FI分類-H01L 21/265 603 D, FI分類-H01L 21/265 603 Z |
2017年03月24日 特許庁 / 特許 | 加熱装置、半導体製造装置 FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01L 21/68 N |
2017年03月09日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置、イオン源の着脱方法 FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/248 Z |
2017年02月03日 特許庁 / 特許 | ビーム電流計測器、荷電粒子ビーム照射装置 FI分類-H01J 37/04 A, FI分類-H01J 37/305 A, FI分類-H01J 37/305 B, FI分類-H01J 37/317 C |
2016年11月21日 特許庁 / 特許 | 半導体製造装置、基板支持装置の冷却方法 FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/68 A |
2016年09月15日 特許庁 / 特許 | イオン源 FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/04 Z |
2016年08月03日 特許庁 / 特許 | イオン注入システム FI分類-H01J 37/147 D, FI分類-H01J 37/317 A |
2016年07月05日 特許庁 / 特許 | ビーム調整装置及びイオン注入装置 FI分類-H01J 37/10, FI分類-H01J 37/317 C |
2016年04月28日 特許庁 / 特許 | イオンビームエッチング装置 FI分類-H01J 37/305, FI分類-H01J 37/20 Z, FI分類-H01L 21/302 101 |
2016年04月26日 特許庁 / 特許 | 磁気偏向システム、イオン注入システム、イオンビームを走査する方法 FI分類-H01J 37/147 D |
2016年04月25日 特許庁 / 特許 | イオン源 FI分類-H01J 27/14, FI分類-H01J 37/08 |
2016年02月22日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01J 37/317 Z, FI分類-H01L 21/265 603 A, FI分類-H01L 21/265 603 B |
2015年11月11日 特許庁 / 特許 | 絶縁スペーサ、電極体、荷電粒子源および荷電粒子ビーム照射装置 FI分類-H01J 37/04 Z |
2015年07月15日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置 FI分類-H01J 37/20 A, FI分類-H01J 37/20 B, FI分類-H01J 37/317 B |
2015年06月16日 特許庁 / 特許 | 真空チャンバ及び質量分析電磁石 FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 603 B |
2015年05月08日 特許庁 / 特許 | 基板保持装置 FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01J 37/317 B |
2015年03月11日 特許庁 / 特許 | 部材交換器 FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08 |
2014年12月05日 特許庁 / 特許 | イオン源、支持台、吊下機構、イオン源搬送システム及びイオン源搬送方法 FI分類-H01J 3/38, FI分類-H01J 27/02, FI分類-H01J 37/08 |
2014年11月18日 特許庁 / 特許 | イオンビーム照射装置及びこれに用いられるプログラム FI分類-H01J 27/08, FI分類-H01J 37/08, FI分類-H01J 37/317 C, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 T |
2014年11月04日 特許庁 / 特許 | 質量分析電磁石 FI分類-H01J 37/317 Z |
2014年10月03日 特許庁 / 特許 | イオン源 FI分類-H01J 27/14 |
2014年10月03日 特許庁 / 特許 | イオン源の運転方法 FI分類-H01J 27/14 |
2014年09月19日 特許庁 / 特許 | 基板処理装置 FI分類-C23C 14/56 G, FI分類-H01J 37/20 B, FI分類-H01L 21/68 A, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 C, FI分類-H01L 21/265 603 D |
2014年04月28日 特許庁 / 特許 | 真空処理システム、真空処理装置、潤滑剤供給装置および潤滑剤供給方法 FI分類-F16N 7/14, FI分類-F16C 29/06, FI分類-H01L 21/68 A |
2014年04月15日 特許庁 / 特許 | イオン注入装置 FI分類-C23C 14/48 Z, FI分類-C23C 14/50 D, FI分類-H01L 21/68 R, FI分類-H01J 37/317 B, FI分類-H01L 21/265 603 D |
日新イオン機器株式会社の商標情報(5件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2023年07月28日 特許庁 / 商標 | KYOKA 07類 |
2019年06月17日 特許庁 / 商標 | 日新イオン機器株式会社 37類 |
2019年06月17日 特許庁 / 商標 | NISSIN ION EQUIPMENT CO.,LTD. 37類 |
2015年11月10日 特許庁 / 商標 | LUXiON 07類 |
2014年11月25日 特許庁 / 商標 | BeyEX 07類 |
日新イオン機器株式会社の意匠情報(5件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2023年04月24日 特許庁 / 意匠 | 電子銃用電極 意匠新分類-K0790 |
2023年03月24日 特許庁 / 意匠 | アノード電極 意匠新分類-K0790 |
2022年06月08日 特許庁 / 意匠 | プラズマ生成チャンバ 意匠新分類-K0790 |
2020年10月21日 特許庁 / 意匠 | イオン源用カソード 意匠新分類-K0790 |
2019年12月06日 特許庁 / 意匠 | イオンビーム引出電極 意匠新分類-K6400 |
日新イオン機器株式会社の職場情報
項目 | データ |
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事業概要 | 半導体製造用イオン注入装置及びフラットパネルディスプレイ製造用イオン注入装置の開発・設計・製造・販売 及び 保守 |
企業規模 | 268人 男性 248人 / 女性 35人 |
女性労働者の割合 範囲 正社員 | 10.0% |
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