法人番号:8010001018611
信越半導体株式会社
情報更新日:2024年08月31日
信越半導体株式会社とは
信越半導体株式会社（シンエツハンドウタイ）は、法人番号:8010001018611で東京都千代田区大手町2丁目2番1号に所在する法人として東京法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。従業員数は1,383人。登録情報として、表彰情報が2件、届出情報が2件、特許情報が621件、職場情報が1件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2018年07月03日です。
インボイス番号:T8010001018611については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は東京労働局。中央労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
信越半導体株式会社の基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 信越半導体株式会社 |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | シンエツハンドウタイ |
| 法人番号 | 8010001018611 |
| 会社法人等番号 | 0100-01-018611 |
| 登記所 | 東京法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T8010001018611 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒100-0004 ※地方自治体コードは 13101 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 東京都 ※東京都の法人数は 1,319,160件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 千代田区 ※千代田区の法人数は 98,852件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 大手町2丁目2番1号 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 東京都千代田区大手町2丁目2番1号 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | トウキョウトチヨダクオオテマチ2チョウメ |
| 従業員数 | 1,383人 |
| 更新年月日更新日 | 2018年07月03日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 東京労働局 〒102-8305～〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階～14階 |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 中央労働基準監督署 〒112-8573 東京都文京区後楽1-9-20飯田橋合同庁舎6・7階 |
信越半導体株式会社の場所
信越半導体株式会社の登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「信越半導体株式会社」で、「東京都千代田区大手町2丁目2番1号」に新規登録されました。 |
信越半導体株式会社の関連情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 情報名 | 信越半導体株式会社 |
| 情報名 読み | シンエツハンドウタイ |
| 住所 | 東京都千代田区大手町2丁目2-1 |
| 電話番号 | 03-3243-1500 |
信越半導体株式会社の法人活動情報
信越半導体株式会社の表彰情報(2件)
| 日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
|---|---|
2017年12月04日 | 女性の活躍推進企業 |
2017年12月04日 | 両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表 |
信越半導体株式会社の届出情報(2件)
| 日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
|---|---|
2017年11月29日 | 支店:信越半導体株式会社 武生工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
2017年11月29日 | 支店:信越半導体株式会社 磯部工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣) |
信越半導体株式会社の特許情報(621件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2023年06月28日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2022年11月10日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2022年10月24日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 B, FI分類-C30B 29/06 504 G |
2022年09月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/46, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2022年09月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/322 G, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2022年09月27日 特許庁 / 特許 | 接合型ウェーハの剥離方法 FI分類-B23K 26/57, FI分類-H01L 21/02 C, FI分類-H01L 21/68 N |
2022年08月22日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 C, FI分類-C30B 29/38 D |
2022年06月27日 特許庁 / 特許 | 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 33/00 Z |
2022年06月14日 特許庁 / 特許 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/36 A |
2022年06月14日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 E |
2022年05月13日 特許庁 / 特許 | 洗浄液、及びウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2022年04月27日 特許庁 / 特許 | 発光素子及びその製造方法 FI分類-H01L 33/20 |
2022年04月26日 特許庁 / 特許 | 研磨用組成物、シリコンウェーハの研磨方法、及び研磨装置 FI分類-C09G 1/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2022年04月20日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/24 C, FI分類-B24B 53/12 Z, FI分類-B24B 53/017 A, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 M, FI分類-H01L 21/304 622 N |
2022年04月14日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置及び両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/013, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-G01B 11/06 101 G, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2022年03月30日 特許庁 / 特許 | 発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/30, FI分類-H01L 21/302 105 A |
2022年03月10日 特許庁 / 特許 | III族窒化物半導体ウエーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/365 |
2022年03月03日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 FI分類-H01L 21/20 |
2022年02月15日 特許庁 / 特許 | シリコン基板上へのダイヤモンド成長方法、及びシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法 FI分類-C01B 32/25, FI分類-C23C 16/27, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/04 G, FI分類-H01L 21/31 B, FI分類-H01L 21/314 A |
2022年02月03日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2022年02月01日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2022年01月27日 特許庁 / 特許 | 端面部測定装置および端面部測定方法 FI分類-G01B 11/24 Z, FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-G01N 21/956 A |
2022年01月24日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/26, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/013, FI分類-B24B 37/12 A, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2022年01月12日 特許庁 / 特許 | マイクロLED構造体を有するウェーハ、マイクロLED構造体を有するウェーハの製造方法およびマイクロLED構造体を有する接合型半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/20 |
2022年01月06日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置、半導体シリコンウェーハの両面研磨方法及び両面研磨シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/24 C, FI分類-B24B 37/24 E, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2021年12月23日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板の製造方法 FI分類-H01L 21/20 |
2021年12月06日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 F, FI分類-C30B 29/06 504 G |
2021年12月03日 特許庁 / 特許 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 33/20, FI分類-H01L 33/30, FI分類-H01L 33/48, FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 21/02 B |
2021年12月03日 特許庁 / 特許 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 33/02, FI分類-H01L 33/22 |
2021年11月30日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/38 D |
2021年11月25日 特許庁 / 特許 | テンプレートアセンブリ、研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/30 C, FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/32 Z, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2021年10月18日 特許庁 / 特許 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 33/20, FI分類-H01L 21/02 B |
2021年10月01日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体ウェーハの製造方法、及び窒化物半導体ウェーハ FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 C, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/263 E, FI分類-H01L 21/324 X |
2021年09月21日 特許庁 / 特許 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/36 A |
2021年09月01日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法 FI分類-H01L 21/306 D, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 C, FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 648 F |
2021年07月29日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2021年06月17日 特許庁 / 特許 | 洗浄工程及び乾燥工程の評価方法 FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2021年06月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2021年05月28日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2021年05月13日 特許庁 / 特許 | シリコンウエーハの強度の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2021年05月12日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 FI分類-C30B 25/02, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 N |
2021年05月11日 特許庁 / 特許 | ウェーハ形状測定器の評価方法 FI分類-H01L 21/66 P |
2021年04月30日 特許庁 / 特許 | 環境雰囲気中のアルカリイオン濃度の評価方法 FI分類-G01N 21/17 B, FI分類-G01N 30/02 B, FI分類-G01N 30/88 A |
2021年04月26日 特許庁 / 特許 | 単結晶ダイヤモンド基板の製造方法 FI分類-C01B 32/26, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/04 G, FI分類-H01L 21/314 A |
2021年04月21日 特許庁 / 特許 | ウェーハの洗浄方法 FI分類-B08B 1/00, FI分類-B08B 3/04 A, FI分類-B08B 3/08 A, FI分類-B08B 5/02 A, FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 644 C, FI分類-H01L 21/304 644 G, FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 651 B, FI分類-H01L 21/304 651 J |
2021年04月21日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 A |
2021年04月14日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/306 R |
2021年04月13日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの洗浄方法及び自然酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2021年04月08日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体ウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 C, FI分類-C30B 29/38 D |
2021年04月08日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体ウェーハの製造方法及び窒化物半導体ウェーハ FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 21/304 631 |
2021年03月22日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2021年03月04日 特許庁 / 特許 | 紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法、紫外線発光素子用基板の製造方法及び紫外線発光素子用エピタキシャルウェーハ FI分類-H01L 33/06, FI分類-H01L 33/32 |
2021年02月22日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2021年02月18日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの欠陥パターン検出システムおよび検出方法 FI分類-G01N 21/956 A |
2021年02月08日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/265 601 H, FI分類-H01L 21/265 601 Z, FI分類-H01L 21/265 602 A |
2021年02月05日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体基板及びその製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D |
2021年01月25日 特許庁 / 特許 | 洗浄後の多結晶シリコン原料の保管容器、保管装置、及び保管方法 FI分類-C30B 35/00, FI分類-C30B 29/06 Z |
2021年01月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2021年01月12日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 E, FI分類-B24B 27/06 R, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2020年12月17日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの欠陥評価方法 FI分類-C30B 25/02, FI分類-C30B 29/08, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/66 L |
2020年12月10日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2020年11月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/28, FI分類-C30B 30/04, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2020年11月18日 特許庁 / 特許 | 検査装置及び検査方法 FI分類-G01N 21/88 Z, FI分類-H01L 21/68 T |
2020年11月17日 特許庁 / 特許 | 研磨パッド、両面研磨装置及びウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/22, FI分類-H01L 21/304 611 A, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2020年11月11日 特許庁 / 特許 | シールガスケットの取り付け方法 FI分類-H01L 21/68 T |
2020年11月11日 特許庁 / 特許 | 環境大気中の金属不純物の捕集方法、環境大気中の金属不純物の評価方法、及び金属不純物の捕集装置 FI分類-G01N 1/02 A, FI分類-G01N 1/28 X |
2020年10月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの洗浄方法 FI分類-C23C 16/56, FI分類-C30B 25/20, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 504 K, FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 644 C, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2020年10月21日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ FI分類-H01L 27/12 B |
2020年10月08日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 27/12 E, FI分類-H01L 21/318 A |
2020年10月07日 特許庁 / 特許 | N型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 C, FI分類-H01L 21/304 611 |
2020年09月30日 特許庁 / 特許 | 紫外線発光素子用金属貼り合わせ基板の製造方法、及び紫外線発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/32, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 25/02 Z, FI分類-C30B 29/38 C |
2020年09月29日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの反りの測定方法及び測定装置 FI分類-G01B 11/24 M |
2020年09月11日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2020年09月08日 特許庁 / 特許 | ウェーハのノッチの加工方法及び砥石 FI分類-B24D 3/22, FI分類-B24D 5/14, FI分類-B24D 3/06 Z, FI分類-B24D 5/00 P, FI分類-B24D 5/00 Z, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2020年09月07日 特許庁 / 特許 | ウェーハの表面形状調整方法 FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2020年09月04日 特許庁 / 特許 | 研磨用組成物及びウェーハの加工方法 FI分類-H01L 21/304 622 D |
2020年08月28日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法 FI分類-H01L 21/316 S |
2020年08月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板の製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 31/06, FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 33/10, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y |
2020年08月21日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の熱酸化膜形成方法 FI分類-H01L 21/316 S |
2020年08月18日 特許庁 / 特許 | 半導体基板のドライエッチング方法及びシリコン酸化膜のドライエッチング方法 FI分類-H01L 21/302 105 A |
2020年08月17日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板中の水素濃度の評価方法 FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2020年07月31日 特許庁 / 特許 | FZ用シリコン原料結晶の製造方法及びFZ用シリコン原料結晶の製造システム FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2020年07月29日 特許庁 / 特許 | 窒化物半導体ウェーハおよび窒化物半導体ウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 29/38, FI分類-H01L 21/20, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 29/80 H |
2020年07月29日 特許庁 / 特許 | 量子コンピュータ用半導体装置の製造方法 FI分類-B82Y 40/00, FI分類-H01L 21/322 L |
2020年07月21日 特許庁 / 特許 | シリコンウエーハ中の酸素の拡散係数の算出方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年07月14日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの抵抗率測定方法 FI分類-G01R 27/02 R, FI分類-H01L 21/66 L |
2020年07月13日 特許庁 / 特許 | 片面研磨装置及び片面研磨方法、並びに研磨パッド FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/22, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 37/24 A, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2020年07月10日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長条件の設定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 D |
2020年07月07日 特許庁 / 特許 | 半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 23/14 S, FI分類-H01L 23/32 D |
2020年07月03日 特許庁 / 特許 | 接合型半導体素子及び接合型半導体素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 29/80 B, FI分類-H01L 31/04 280 |
2020年07月03日 特許庁 / 特許 | 接合型半導体受光素子及び接合型半導体受光素子の製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 31/10 A |
2020年07月01日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウエーハ及びその製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-C30B 31/22, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/265 W, FI分類-C30B 29/06 504 K, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2020年06月15日 特許庁 / 特許 | シリコン試料中の酸素濃度測定方法 FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 N |
2020年06月09日 特許庁 / 特許 | SOI基板及びSOI基板の製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 29/78 626 C |
2020年06月05日 特許庁 / 特許 | 高周波半導体装置の製造方法及び高周波半導体装置 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/263 E, FI分類-H01L 21/322 L |
2020年06月05日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッド及びウェーハの片面研磨方法 FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/32 A, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2020年05月27日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのエッチング方法 FI分類-H01L 21/306 B |
2020年05月21日 特許庁 / 特許 | 基板ウェーハの製造方法、及び基板ウェーハ FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 37/005 B, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年05月19日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年05月14日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長前処理条件の評価方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C30B 33/00, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2020年05月13日 特許庁 / 特許 | 両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年05月12日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の製造方法及びSOIウェーハの製造方法 FI分類-C30B 1/02, FI分類-C23C 16/42, FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/36 A, FI分類-H01L 27/12 D, FI分類-H01L 27/12 R |
2020年05月11日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/306 R |
2020年05月08日 特許庁 / 特許 | 平面研削方法 FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 7/00 A, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2020年04月30日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶を製造する方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2020年04月28日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 644, FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2020年04月28日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハのベースウェーハの抵抗率測定方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 27/12 T |
2020年04月28日 特許庁 / 特許 | ウェーハの欠陥領域の判定方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2020年04月23日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置及び半導体単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2020年04月21日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置のリークチェック方法及び単結晶製造方法 FI分類-C30B 13/00, FI分類-C30B 15/00 Z |
2020年04月17日 特許庁 / 特許 | 気相成長用のシリコン単結晶基板、気相成長基板及びこれらの製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C30B 13/00, FI分類-C30B 25/18, FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 33/10, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2020年04月17日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 Y |
2020年04月09日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 49/04 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2020年04月08日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのDIC欠陥の形状測定方法及び研磨方法 FI分類-G01B 11/02 G, FI分類-G01B 11/22 G, FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/304 622 N |
2020年04月06日 特許庁 / 特許 | ロボットハンド FI分類-B25J 15/00 F, FI分類-H01L 21/68 A |
2020年04月02日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/265 W, FI分類-H01L 21/265 602 A |
2020年03月30日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q |
2020年03月25日 特許庁 / 特許 | 接合ウェーハの製造方法及び接合ウェーハ FI分類-H01L 21/02 B |
2020年03月24日 特許庁 / 特許 | 配管接続方法及び半導体ウェーハ熱処理装置 FI分類-F16L 13/02, FI分類-F27D 7/02 Z, FI分類-H01L 21/205 |
2020年03月16日 特許庁 / 特許 | 電子デバイスの製造方法 FI分類-H01L 31/04 460 |
2020年03月09日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハ製造用サセプタの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/42, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 Z, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2020年03月02日 特許庁 / 特許 | 化合物半導体エピタキシャルウェーハ及びその製造方法 FI分類-H01L 33/30, FI分類-H01L 21/205 |
2020年02月19日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年02月19日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2020年02月18日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2020年02月06日 特許庁 / 特許 | 半導体基板表面に付着した有機物の評価方法 FI分類-G01N 23/203 |
2020年02月05日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2020年01月28日 特許庁 / 特許 | シリコン試料の酸素濃度評価方法 FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 N |
2020年01月14日 特許庁 / 特許 | 化学処理液の評価方法 FI分類-G01N 21/552, FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2020年01月10日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2020年01月10日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205 |
2020年01月09日 特許庁 / 特許 | ラッピング装置の洗浄装置 FI分類-B05B 1/02, FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 55/06, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 P |
2019年12月23日 特許庁 / 特許 | 固体撮像素子用のシリコン単結晶基板及びシリコンエピタキシャルウェーハ、並びに固体撮像素子 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 15/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 31/10 A, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2019年12月23日 特許庁 / 特許 | 標準サンプルおよびその作製方法、ならびにEBSD測定装置の管理方法 FI分類-G01N 1/28 F, FI分類-G01N 23/20008, FI分類-G01N 23/20058, FI分類-G01N 1/00 102 B |
2019年12月23日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205 |
2019年12月19日 特許庁 / 特許 | デバイスの電気特性の評価方法 FI分類-H01L 21/00, FI分類-H01L 29/00, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/322 Y |
2019年12月16日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの欠陥評価方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/322 Y |
2019年12月12日 特許庁 / 特許 | シリコン基板表面の金属不純物評価方法 FI分類-G01N 23/223, FI分類-G01N 23/2202 |
2019年12月10日 特許庁 / 特許 | ワイヤソーの運転再開方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 53/00 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年11月25日 特許庁 / 特許 | 不純物分析方法及びシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2019年11月20日 特許庁 / 特許 | 気相成膜装置 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 C |
2019年11月15日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205 |
2019年11月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2019年11月05日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の欠陥領域判定方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年10月31日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハの選別方法及びデバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-H01L 21/304 621, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 622 Z |
2019年10月18日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウエーハの窒素濃度の測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 N |
2019年10月11日 特許庁 / 特許 | ウェーハ形状の測定方法 FI分類-G01B 11/16 Z, FI分類-G01B 11/24 A, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01B 11/30 101 |
2019年10月03日 特許庁 / 特許 | 薄膜付ウェーハの膜厚分布の測定方法 FI分類-G01B 11/06 Z, FI分類-H01L 21/66 J |
2019年09月24日 特許庁 / 特許 | ウェーハ検査装置の管理方法 FI分類-G01N 21/93, FI分類-B05D 3/00 D, FI分類-B05D 3/06 Z, FI分類-B05D 7/00 C, FI分類-B05D 7/00 K, FI分類-G01N 15/02 A, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A, FI分類-B05D 7/24 301 E, FI分類-B05D 7/24 303 B |
2019年09月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハのスリップ検出方法 FI分類-G01N 23/207, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2019年09月19日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置および単結晶引上げ方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2019年09月11日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/306 Q |
2019年09月03日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2019年09月03日 特許庁 / 特許 | シリコン基板表面の不純物分析方法 FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-G01N 23/223, FI分類-G01N 23/2202, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年08月16日 特許庁 / 特許 | 窒素濃度の測定方法 FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年08月15日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205 |
2019年08月06日 特許庁 / 特許 | 電子デバイス用基板およびその製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年07月22日 特許庁 / 特許 | 抵抗率測定装置の管理方法 FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年07月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法 FI分類-C30B 13/00, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2019年07月11日 特許庁 / 特許 | 電子デバイス用基板およびその製造方法 FI分類-C30B 25/02, FI分類-C30B 29/38 |
2019年07月02日 特許庁 / 特許 | 炭素ドープシリコン単結晶ウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F |
2019年07月02日 特許庁 / 特許 | 炭素ドープシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F |
2019年06月27日 特許庁 / 特許 | スエード研磨パッドの立ち上げ方法、及びウエーハの仕上げ研磨方法 FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/24 B, FI分類-B24B 53/017 Z, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2019年06月24日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法および評価用半導体基板 FI分類-H01L 21/66 Y, FI分類-H01L 27/146 Z |
2019年06月14日 特許庁 / 特許 | 搬送システム FI分類-H01L 21/68 A |
2019年06月13日 特許庁 / 特許 | 電子デバイス及びその製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 31/04 460, FI分類-H01L 31/04 522 |
2019年06月04日 特許庁 / 特許 | 抵抗率測定装置の管理方法 FI分類-G01R 27/02 R, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年05月29日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/316 P, FI分類-H01L 21/316 U, FI分類-H01L 21/324 Z |
2019年05月29日 特許庁 / 特許 | インゴットの切断方法 FI分類-B28D 1/08, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 F, FI分類-B24B 49/03 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年05月27日 特許庁 / 特許 | ウェーハ外周歪みの評価方法 FI分類-G01B 11/16 Z, FI分類-H01L 21/66 P |
2019年05月16日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及びワイヤソー FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 55/02 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年05月16日 特許庁 / 特許 | 測定装置および研磨ヘッドの選定方法ならびにウエーハの研磨方法 FI分類-B24B 49/10, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/30 Z, FI分類-B24B 37/32 Z, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2019年05月14日 特許庁 / 特許 | ナノトポロジー測定機の選定方法及び調整方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/66 Z, FI分類-G01B 11/30 101 |
2019年05月14日 特許庁 / 特許 | 被覆物の厚さ測定方法及び研削方法 FI分類-B24B 37/30 D, FI分類-G01B 11/06 G, FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-H01L 21/304 622 N |
2019年05月09日 特許庁 / 特許 | 片面研磨方法 FI分類-B24B 49/14, FI分類-B24B 37/015, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2019年05月08日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 FI分類-C30B 15/00 Z |
2019年05月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2019年04月17日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのエッチング方法 FI分類-H01L 21/306 B |
2019年04月15日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのエッチング方法 FI分類-H01L 21/306 B |
2019年04月15日 特許庁 / 特許 | ウェーハのフラットネス測定機の選定方法及び測定方法 FI分類-H01L 21/66 K, FI分類-G01B 11/30 101 |
2019年04月11日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/14, FI分類-B24B 37/12 B, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-B24B 37/005 B, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 K, FI分類-H01L 21/304 622 M |
2019年04月09日 特許庁 / 特許 | 解析用データの生成方法及び半導体基板の判定方法 FI分類-G06F 17/16 Z, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A, FI分類-G06T 7/00 350 B, FI分類-G06T 7/00 610 B |
2019年04月08日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の気相分解方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/306 D |
2019年03月25日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコンウェーハの製造工程管理方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-G01N 23/2251, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/66 Q |
2019年03月20日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 30/04, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2019年03月18日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2019年03月13日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2019年03月06日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の抵抗率測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年03月06日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶インゴットの研削方法 FI分類-B24B 5/04, FI分類-B24B 19/02, FI分類-B24B 49/02 Z, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/304 601 B |
2019年03月01日 特許庁 / 特許 | ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年02月28日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成装置及び単結晶育成方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 30/04, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2019年02月26日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの故意汚染方法 FI分類-H01L 21/66 Y |
2019年02月22日 特許庁 / 特許 | CV測定に用いるための抵抗率校正用半導体ウェーハ及びその作製方法 FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-G01N 27/22 C, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年02月21日 特許庁 / 特許 | CZシリコン単結晶製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2019年02月18日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶引上装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2019年02月13日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及びワークの切断装置 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B28D 5/04 Z, FI分類-B24B 27/06 Q, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年01月29日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 7/22 Z, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 622 Y |
2019年01月21日 特許庁 / 特許 | ウェーハの評価方法 FI分類-G01N 3/42 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2019年01月15日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及びワイヤソー FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24D 3/00 320 A, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2019年01月11日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年12月21日 特許庁 / 特許 | ウェーハの平坦度の評価方法及び評価装置 FI分類-H01L 21/66 J |
2018年11月29日 特許庁 / 特許 | 炭素濃度測定方法 FI分類-G01N 21/66, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-H01L 21/66 L |
2018年11月29日 特許庁 / 特許 | 酸素濃度測定方法 FI分類-C30B 33/04, FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年11月16日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのエッチング方法、エッチング装置及び不純物分析方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/302 201 A |
2018年11月13日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年11月13日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/324 W |
2018年11月01日 特許庁 / 特許 | ウェーハ収納容器の洗浄方法およびその洗浄装置 FI分類-H01L 21/304 648 E |
2018年10月11日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置および洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 642 B, FI分類-H01L 21/304 642 D, FI分類-H01L 21/304 642 E, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2018年09月28日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 N |
2018年09月26日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法、エピタキシャル成長用シリコン系基板及びエピタキシャルウェーハ FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D |
2018年09月20日 特許庁 / 特許 | 給排気制御装置、ウェーハ処理装置、及びウェーハ処理方法 FI分類-C23C 16/54, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-H01L 21/302 101 G |
2018年09月05日 特許庁 / 特許 | ウェーハ形状データ化方法 FI分類-H01L 21/66 P, FI分類-H01L 21/304 601 Z |
2018年08月29日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年08月29日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年08月17日 特許庁 / 特許 | ウェーハの金属汚染の評価方法およびウェーハの製造工程の管理方法 FI分類-H01L 21/66 N |
2018年08月08日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 1/00 A, FI分類-H01L 21/302 105 B, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 P |
2018年08月02日 特許庁 / 特許 | 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/34, FI分類-B24B 37/12 D, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2018年07月03日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法 FI分類-G01N 21/66, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 L |
2018年07月02日 特許庁 / 特許 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びFZシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年06月29日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の酸素縞平坦化製造条件の決定方法、及び、それを用いたシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年06月20日 特許庁 / 特許 | 炭化珪素単結晶成長装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/36 A |
2018年06月14日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法及び貼り合わせSOIウェーハ FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 W |
2018年06月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板中の欠陥密度の制御方法 FI分類-C30B 29/06, FI分類-C30B 31/00, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 L |
2018年06月08日 特許庁 / 特許 | ゲッタリング層の形成方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 E |
2018年06月07日 特許庁 / 特許 | 発光素子及びその製造方法 FI分類-H01L 33/30, FI分類-H01L 33/38 |
2018年06月06日 特許庁 / 特許 | 陽極酸化装置、陽極酸化方法及び陽極酸化装置の陰極の製造方法 FI分類-C01B 33/02 Z, FI分類-C25D 17/00 A, FI分類-C25D 17/10 D |
2018年05月31日 特許庁 / 特許 | 原料結晶棒の固定方法、半導体単結晶の製造方法及び原料結晶棒用包装材 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 13/32, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年05月29日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの洗浄方法 FI分類-C11D 7/18, FI分類-C11D 7/54, FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2018年05月29日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年05月25日 特許庁 / 特許 | 評価方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-H01L 21/304 622 X |
2018年05月23日 特許庁 / 特許 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びFZシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年05月23日 特許庁 / 特許 | CZ法により製造された原料結晶の抵抗率の測定方法及びFZシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 D, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2018年05月22日 特許庁 / 特許 | 発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/48, FI分類-H01L 21/78 M, FI分類-H01L 21/78 Q, FI分類-H01L 21/78 W |
2018年05月17日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-G01N 23/223, FI分類-H01L 21/66 N |
2018年05月17日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/324 X |
2018年05月15日 特許庁 / 特許 | インゴットの切断方法及びワイヤーソー FI分類-B28D 7/02, FI分類-B24B 57/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年05月15日 特許庁 / 特許 | サンプル作製方法、欠陥観察方法 FI分類-G01N 23/04, FI分類-G01N 1/28 F, FI分類-G01N 1/28 G, FI分類-G01N 1/32 B, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/302 105 A |
2018年05月11日 特許庁 / 特許 | シリコンウエハの評価方法及びそのエッチング液 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/308 B |
2018年05月10日 特許庁 / 特許 | 不純物濃度の測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-H01L 21/66 N |
2018年05月08日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用キャリアの保管方法及びウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2018年05月01日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコンウェーハの金属不純物除去方法 FI分類-H01L 21/304 641, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2018年04月26日 特許庁 / 特許 | DZ層の測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2018年04月25日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板の選別方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 33/04, FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-H01L 21/322 L |
2018年04月18日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法 FI分類-G01N 23/225, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2018年04月13日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 Z |
2018年04月12日 特許庁 / 特許 | 発光素子の配光特性の調整方法及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22 |
2018年04月05日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/30 C, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2018年03月27日 特許庁 / 特許 | 試料分析方法、試料導入装置 FI分類-H05H 1/30, FI分類-H01J 49/04, FI分類-G01N 27/62 F, FI分類-G01N 27/62 G |
2018年03月20日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及び接合部材 FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 41/06 Z, FI分類-B24B 53/00 J, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年03月16日 特許庁 / 特許 | 炭素濃度評価方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 Z |
2018年03月16日 特許庁 / 特許 | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 FI分類-C30B 29/36 A |
2018年03月15日 特許庁 / 特許 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2018年03月13日 特許庁 / 特許 | 炭化珪素単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/36 A |
2018年03月13日 特許庁 / 特許 | ウェーハの処理装置及び処理方法 FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/304 643 A |
2018年03月09日 特許庁 / 特許 | 酸素濃度評価方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-H01L 21/66 L |
2018年03月08日 特許庁 / 特許 | 炭化珪素単結晶の製造方法 FI分類-C30B 23/02, FI分類-C23C 14/06 B, FI分類-C30B 29/36 A |
2018年02月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 T, FI分類-H01L 21/324 X |
2018年02月07日 特許庁 / 特許 | シリコン結晶中の炭素濃度測定方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2018年02月06日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2018年02月02日 特許庁 / 特許 | ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 648 L |
2018年01月25日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及びワイヤソー FI分類-B28D 7/04, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年01月24日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 Z |
2018年01月23日 特許庁 / 特許 | 高周波用SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/324 X |
2018年01月22日 特許庁 / 特許 | ワーク切断方法及びワイヤソー FI分類-B28D 7/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 55/02 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2018年01月18日 特許庁 / 特許 | キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B23K 26/382, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2018年01月15日 特許庁 / 特許 | 半導体装置の評価装置 FI分類-G01R 31/28 J, FI分類-H01L 21/66 B, FI分類-H01L 21/68 N |
2018年01月09日 特許庁 / 特許 | 研磨装置および研磨方法 FI分類-B24B 37/10, FI分類-H01L 21/304 621 D |
2018年01月09日 特許庁 / 特許 | 研磨装置および研磨方法 FI分類-B24B 37/10, FI分類-B24B 37/30 Z, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2018年01月04日 特許庁 / 特許 | ウェーハ処理装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2017年12月28日 特許庁 / 特許 | 再結合ライフタイムの制御方法 FI分類-C30B 13/00, FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-H01L 21/322 L, FI分類-C30B 29/06 501 A, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 655 A |
2017年12月27日 特許庁 / 特許 | 炭化珪素単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/36 A |
2017年12月25日 特許庁 / 特許 | ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2017年12月18日 特許庁 / 特許 | FZ用シリコン原料棒の製造方法およびFZシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/00, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年12月04日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの加工方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/24 B, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 P, FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 647 Z |
2017年11月27日 特許庁 / 特許 | 発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/02, FI分類-B23K 26/364, FI分類-B23K 26/00 H, FI分類-H01L 21/78 B, FI分類-H01L 21/78 L |
2017年11月22日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板の選別方法及びシリコン単結晶基板 FI分類-C30B 13/00, FI分類-C30B 31/22, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-H01L 21/322 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年11月17日 特許庁 / 特許 | サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2017年11月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶育成装置及びシリコン単結晶製造方法 FI分類-C30B 13/20, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年11月10日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2017年11月09日 特許庁 / 特許 | 半導体型蛍光体 FI分類-C09K 11/70 |
2017年11月06日 特許庁 / 特許 | 薄膜SOI層を有するSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2017年10月27日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205 |
2017年10月26日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの金属不純物分析方法 FI分類-G01N 23/223, FI分類-H01L 21/66 N |
2017年10月19日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウエーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/31 B, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X |
2017年10月11日 特許庁 / 特許 | シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法 FI分類-H01L 21/66 P |
2017年09月21日 特許庁 / 特許 | 欠陥サイズ分布の測定方法 FI分類-G01B 11/30 A, FI分類-G01N 21/956 A |
2017年09月15日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2017年09月12日 特許庁 / 特許 | シリコン中の炭素測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 N |
2017年09月08日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板中の炭素濃度評価方法、及び半導体デバイスの製造方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2017年09月06日 特許庁 / 特許 | 点欠陥の評価方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年08月22日 特許庁 / 特許 | 再結合ライフタイムの制御方法 FI分類-C30B 13/10, FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-H01L 21/322 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年08月18日 特許庁 / 特許 | 炭素濃度測定方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 501 A, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年08月18日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 648 G, FI分類-H01L 21/304 651 B |
2017年08月15日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用キャリア FI分類-B24B 37/28, FI分類-H01L 21/304 621 E, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2017年07月14日 特許庁 / 特許 | 研磨方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 B, FI分類-H01L 21/304 622 P |
2017年07月14日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 14/48 Z, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-C30B 29/06 504 A, FI分類-H01L 21/304 648 H |
2017年07月07日 特許庁 / 特許 | リチャージ管及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2017年07月07日 特許庁 / 特許 | ウェーハ評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205 |
2017年07月06日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置 FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205 |
2017年07月06日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205 |
2017年06月30日 特許庁 / 特許 | ワイヤソー装置及びワークの切断方法 FI分類-B28D 7/00, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 R, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2017年06月23日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/324 Z |
2017年06月22日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2017年06月15日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/18, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 A, FI分類-C30B 29/06 504 A |
2017年06月12日 特許庁 / 特許 | 研磨方法及び研磨装置 FI分類-B24B 37/005 A, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2017年05月25日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/24, FI分類-C30B 13/30, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2017年05月15日 特許庁 / 特許 | シリコンウエーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/24, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2017年04月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年04月25日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q |
2017年04月24日 特許庁 / 特許 | シリコンウエーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/015, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2017年04月24日 特許庁 / 特許 | ロードポート及びウェーハ搬送方法 FI分類-H01L 21/68 A |
2017年04月20日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 49/12, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2017年04月04日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 53/00 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2017年03月29日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 642 B, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2017年03月24日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶基板の結晶欠陥検出方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A, FI分類-G01N 23/225 310 |
2017年03月21日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2017年03月21日 特許庁 / 特許 | インゴットの切断方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24B 55/02 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2017年03月16日 特許庁 / 特許 | シリコン中の炭素検出方法 FI分類-H01L 21/66 N |
2017年03月13日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 37/00 Z, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 611 A |
2017年03月10日 特許庁 / 特許 | シリコン結晶の窒素濃度測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2017年03月07日 特許庁 / 特許 | 発光素子及びその製造方法 FI分類-H01L 33/20, FI分類-H01L 21/205 |
2017年03月06日 特許庁 / 特許 | ウェーハの製造方法 FI分類-B23K 26/53, FI分類-B28D 5/00 Z, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2017年03月06日 特許庁 / 特許 | 単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法 FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2017年02月27日 特許庁 / 特許 | 炭素濃度測定方法 FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-H01L 21/66 L |
2017年02月21日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年02月01日 特許庁 / 特許 | 両面研磨方法及び両面研磨装置 FI分類-B24B 37/08, FI分類-B24B 37/20, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2017年01月27日 特許庁 / 特許 | 結晶育成方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年01月25日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2017年01月23日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2017年01月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶育成方法、シリコン単結晶及びシリコン単結晶ウェーハ FI分類-C30B 29/06 502 J |
2017年01月20日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2017年01月18日 特許庁 / 特許 | インゴット切断装置 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B28D 5/02 A, FI分類-H01L 21/304 611 B |
2017年01月06日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2016年12月19日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2016年12月16日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2016年12月15日 特許庁 / 特許 | シリコン結晶の炭素濃度測定方法 FI分類-C30B 29/06 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2016年12月13日 特許庁 / 特許 | ポリマーの保護性評価方法 FI分類-G01N 21/47 B |
2016年12月13日 特許庁 / 特許 | 質量スペクトルのデータの処理方法及び質量分析装置 FI分類-H01J 49/30, FI分類-G01N 27/62 D |
2016年12月12日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 B |
2016年12月09日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2016年12月09日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 G |
2016年12月08日 特許庁 / 特許 | 抵抗率測定方法 FI分類-G01R 27/02 R, FI分類-H01L 21/66 L |
2016年12月01日 特許庁 / 特許 | リチャージ管及びシリコン単結晶の製造方法 FI分類-F27B 14/16, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2016年11月17日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 D, FI分類-C30B 29/06 502, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2016年11月17日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/04, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2016年11月15日 特許庁 / 特許 | デバイス形成方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/265 Z, FI分類-H01L 21/265 602 C |
2016年11月10日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板の酸素濃度測定方法及びシリコン単結晶基板の製造方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2016年11月01日 特許庁 / 特許 | 残湯吸引器のノズル位置の設定方法 FI分類-F27B 14/18, FI分類-F27B 14/20, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年11月01日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2016年10月27日 特許庁 / 特許 | ボックスの管理方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 D, FI分類-H01L 21/304 648 E |
2016年10月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶引上装置 FI分類-F27B 14/08, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2016年10月25日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 FI分類-B24B 55/06, FI分類-B24B 37/32 Z, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2016年10月18日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-B23K 26/00 B, FI分類-H01L 21/306 M, FI分類-H01L 21/304 643 A |
2016年10月12日 特許庁 / 特許 | 発光素子及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22, FI分類-C03C 15/00 B |
2016年10月07日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/304 642 Z |
2016年10月05日 特許庁 / 特許 | 抵抗率測定方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2016年09月27日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2016年09月26日 特許庁 / 特許 | 石英ルツボ嵌合部材及びこれを用いた石英ルツボの改質方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2016年09月15日 特許庁 / 特許 | 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、及び、半導体デバイス用基板の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H |
2016年09月13日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/322 Y |
2016年09月07日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205 |
2016年09月07日 特許庁 / 特許 | 結晶欠陥評価方法 FI分類-C30B 33/12, FI分類-H01L 21/66 L |
2016年09月07日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせ用基板の表面欠陥の評価方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2016年09月06日 特許庁 / 特許 | 枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2016年08月29日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205 |
2016年08月29日 特許庁 / 特許 | 発光素子の実装方法 FI分類-H01L 33/12, FI分類-H01L 33/48 |
2016年08月25日 特許庁 / 特許 | 抵抗率標準サンプルの製造方法及びエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法 FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-G01N 27/22 C, FI分類-H01L 21/66 L |
2016年08月24日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/30, FI分類-B24B 37/30 E, FI分類-B24B 37/30 Z, FI分類-H01L 21/304 622 K, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2016年08月19日 特許庁 / 特許 | 発光素子及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 33/44 |
2016年08月02日 特許庁 / 特許 | 直径制御装置及びFZ単結晶の直径測定方法 FI分類-C30B 13/30 |
2016年07月26日 特許庁 / 特許 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の評価方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 R, FI分類-H01L 29/78 301 X, FI分類-H01L 29/78 301 Z, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2016年07月06日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 Q |
2016年07月06日 特許庁 / 特許 | 発光素子及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 21/205 |
2016年07月06日 特許庁 / 特許 | パーティクルカウンタ校正用ウェーハの作製方法 FI分類-H01L 21/66 D |
2016年06月24日 特許庁 / 特許 | 発光素子の製造方法及び発光素子 FI分類-H01L 33/16, FI分類-H01L 33/30, FI分類-H01L 21/205 |
2016年06月23日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 27/12 B |
2016年06月15日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 27/12 T |
2016年06月14日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q |
2016年06月13日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの搬送・保管方法 FI分類-H01L 21/68 N |
2016年06月08日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの高感度欠陥評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A, FI分類-H01L 21/322 Z, FI分類-H01L 21/324 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年06月07日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコンウェーハの表面欠陥検査方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2016年06月06日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2016年05月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶インゴットの切断方法 FI分類-B24B 5/50 Z, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年05月19日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/302 102 |
2016年05月17日 特許庁 / 特許 | 単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2016年05月17日 特許庁 / 特許 | フッ素樹脂成形品の製造方法 FI分類-B08B 3/04 Z, FI分類-C08J 7/00 301, FI分類-C08J 7/00 CEW |
2016年05月16日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2016年05月13日 特許庁 / 特許 | テンプレートアセンブリの選別方法及びワークの研磨方法並びにテンプレートアセンブリ FI分類-B24B 37/04 V, FI分類-G01B 11/02 Z, FI分類-G01B 11/24 A, FI分類-H01L 21/304 622 H |
2016年05月11日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/14, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2016年05月09日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 P |
2016年04月21日 特許庁 / 特許 | ワイヤソー装置の製造方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 Q, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2016年04月20日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205 |
2016年04月07日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶ウェーハの製造方法 FI分類-C30B 13/30, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2016年04月05日 特許庁 / 特許 | 膜厚分布測定方法 FI分類-G01B 11/06 Z, FI分類-H01L 21/66 P |
2016年04月01日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2016年03月23日 特許庁 / 特許 | 検出装置及び検出方法 FI分類-H01L 21/66 D, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の加工方法 FI分類-B24B 5/04, FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 33/00, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | 気相エッチング方法及びエピタキシャル基板の製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/302 201 |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 642 B, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/66 Q |
2016年03月18日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 L |
2016年03月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウエハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 Q |
2016年03月15日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 K, FI分類-H01L 21/66 L |
2016年03月14日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/56, FI分類-H01L 21/205 |
2016年03月04日 特許庁 / 特許 | 研磨用組成物 FI分類-C09G 1/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2016年02月26日 特許庁 / 特許 | 半導体基体及び半導体装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H |
2016年02月24日 特許庁 / 特許 | 単結晶ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 N |
2016年02月19日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの熱処理方法 FI分類-H01L 21/26 Q, FI分類-H01L 21/68 N |
2016年02月09日 特許庁 / 特許 | 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄処理方法 FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 648 L |
2016年02月05日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/322 G |
2016年01月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置及び保持部材 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 N |
2016年01月08日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/28, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2016年01月05日 特許庁 / 特許 | リチャージ管ストッカー FI分類-C30B 15/02, FI分類-B65G 1/00 531, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年12月28日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/302 101 M |
2015年12月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 504 E |
2015年12月25日 特許庁 / 特許 | バンドソー切断装置及びバンドソー切断装置によるシリコン結晶の切断方法 FI分類-B28D 1/08, FI分類-B23D 55/06, FI分類-B28D 5/04 A, FI分類-B24B 27/06 Z, FI分類-H01L 21/304 611 Z |
2015年12月25日 特許庁 / 特許 | バンドソー切断装置及びシリコン結晶の切断方法 FI分類-B28D 1/08, FI分類-B23D 55/06, FI分類-B28D 5/04 A, FI分類-B24B 27/06 Z, FI分類-H01L 21/304 611 Z |
2015年12月22日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年12月16日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長装置 FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2015年12月14日 特許庁 / 特許 | シリコン結晶の金属不純物分析方法及び評価方法 FI分類-G01N 33/20 K, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年12月11日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 Z, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G, FI分類-H01L 21/304 622 N |
2015年12月10日 特許庁 / 特許 | 研磨方法 FI分類-B24B 49/14, FI分類-B24B 37/00 J, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2015年12月10日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッドの評価方法及びウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/04 Z, FI分類-B24B 49/02 Z, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2015年12月08日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶棒の製造装置 FI分類-C30B 13/16 |
2015年12月03日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 F |
2015年12月03日 特許庁 / 特許 | フォトルミネッセンス測定治具及びこれを用いたフォトルミネッセンス測定方法 FI分類-G01N 21/01 B, FI分類-G01N 21/64 Z |
2015年11月19日 特許庁 / 特許 | シリコン原料洗浄装置 FI分類-B08B 3/04 A, FI分類-C01B 33/02 Z, FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 D |
2015年11月17日 特許庁 / 特許 | 欠陥領域の判定方法 FI分類-H01L 21/66 C, FI分類-H01L 21/66 N |
2015年11月13日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 15/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年11月12日 特許庁 / 特許 | 研磨剤及び研磨方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D |
2015年11月06日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2015年11月06日 特許庁 / 特許 | テンプレートアセンブリの製造方法及びこのテンプレートアセンブリを用いた研磨方法並びにテンプレートアセンブリ FI分類-B24B 37/04 H, FI分類-B24B 9/00 602 J, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 H |
2015年10月30日 特許庁 / 特許 | 不純物分析方法及びシリコン単結晶製造方法 FI分類-G01N 33/00 B, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年10月28日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/324 X |
2015年10月27日 特許庁 / 特許 | 発光素子及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22 |
2015年10月20日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及びワイヤソー FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2015年10月19日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A |
2015年10月15日 特許庁 / 特許 | 発光素子及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 33/30 |
2015年10月14日 特許庁 / 特許 | 単結晶製造装置及び融液面位置の制御方法 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年10月07日 特許庁 / 特許 | テンプレートの測定方法及び評価方法 FI分類-G01B 21/18, FI分類-B24B 37/04 V, FI分類-G01B 21/30 101 F |
2015年10月01日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板の評価方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-G01N 27/02 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年10月01日 特許庁 / 特許 | 研磨パッドのコンディショニング方法及び研磨装置 FI分類-B24B 37/00 A, FI分類-B24B 53/00 Z, FI分類-H01L 21/304 622 M |
2015年09月30日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 N |
2015年09月30日 特許庁 / 特許 | 半導体基体及び半導体装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/78 301 B |
2015年09月28日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2015年09月18日 特許庁 / 特許 | 単結晶引き上げ装置、及び単結晶引き上げ方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2015年09月09日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶の再溶融方法 FI分類-C30B 15/28, FI分類-C30B 29/06 502 F |
2015年09月03日 特許庁 / 特許 | 研磨方法及び研磨装置 FI分類-B24B 37/00 J, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2015年09月03日 特許庁 / 特許 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 FI分類-G01N 23/207 |
2015年09月02日 特許庁 / 特許 | 発光素子の製造方法 FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 33/00 172, FI分類-H01L 33/00 184 |
2015年09月02日 特許庁 / 特許 | 発光素子 FI分類-H01L 33/22, FI分類-H01L 33/38, FI分類-H01L 33/44 |
2015年08月25日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 C |
2015年08月21日 特許庁 / 特許 | 研磨装置 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2015年08月07日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 611 W, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 N |
2015年08月05日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 E, FI分類-C30B 29/06 504 F |
2015年08月04日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/10, FI分類-C30B 29/06 502 B |
2015年07月29日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶育成装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2015年07月29日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 K |
2015年07月27日 特許庁 / 特許 | ワークホルダー及びワークの切断方法 FI分類-B28D 7/04, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2015年07月24日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 504 C |
2015年07月17日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/322 R, FI分類-H01L 21/322 Y |
2015年07月16日 特許庁 / 特許 | 半導体装置の作製方法 FI分類-H01L 21/22 E, FI分類-H01L 29/78 301 G, FI分類-H01L 21/302 101 B |
2015年07月03日 特許庁 / 特許 | 再結合ライフタイム測定の前処理方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2015年07月01日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 FI分類-H01L 21/316 P, FI分類-H01L 21/322 Z, FI分類-H01L 29/78 301 F |
2015年06月29日 特許庁 / 特許 | 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 29/207, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/78 301 B |
2015年06月22日 特許庁 / 特許 | 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法 FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/04 D, FI分類-B24B 37/04 K, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2015年06月19日 特許庁 / 特許 | 面取り加工方法及び面取り加工装置 FI分類-B05B 1/06, FI分類-B23Q 11/00 L, FI分類-B23Q 11/10 A, FI分類-B24B 55/02 Z, FI分類-B05B 1/20 101, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 601 B, FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 643 C |
2015年06月19日 特許庁 / 特許 | 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法 FI分類-H01L 21/304 648 L, FI分類-H01L 21/304 651 B |
2015年06月18日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/306 J, FI分類-H01L 21/304 642 B, FI分類-H01L 21/304 647 Z, FI分類-H01L 21/304 648 A, FI分類-H01L 21/304 648 G |
2015年06月15日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2015年06月15日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2015年06月12日 特許庁 / 特許 | ワークの加工装置 FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2015年06月11日 特許庁 / 特許 | ウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/00 A, FI分類-B24B 53/00 Z, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 M, FI分類-H01L 21/304 622 S |
2015年06月09日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B |
2015年06月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205 |
2015年06月05日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 T, FI分類-H01L 21/322 J |
2015年06月04日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコン結晶の不純物分析のための前処理方法、及び半導体シリコン結晶の不純物分析方法 FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-G01N 1/32 B, FI分類-G01N 27/62 V |
2015年06月02日 特許庁 / 特許 | 不純物分析方法及びシリコン結晶の評価方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-G01N 33/20 G, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年06月02日 特許庁 / 特許 | 半導体シリコンウェーハの洗浄処理装置、及び半導体シリコンウェーハの洗浄方法 FI分類-H01L 21/30 572 B, FI分類-H01L 21/304 643 A, FI分類-H01L 21/304 648 J |
2015年05月28日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20 |
2015年05月27日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 J |
2015年05月21日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年05月20日 特許庁 / 特許 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び評価方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 C, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-C30B 29/06 501 B |
2015年05月14日 特許庁 / 特許 | 研磨パッド及びその製造方法 FI分類-B24B 37/22, FI分類-B24B 37/24 C, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2015年05月13日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2015年05月13日 特許庁 / 特許 | ヘイズの評価方法 FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/47 B, FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年05月12日 特許庁 / 特許 | 欠陥検査方法 FI分類-H01L 21/66 J, FI分類-G01N 21/956 A |
2015年05月12日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法、半導体基板の製造方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2015年05月11日 特許庁 / 特許 | 研削用砥石 FI分類-B24D 3/14, FI分類-B24D 7/06, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2015年05月08日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/56, FI分類-H01L 21/205 |
2015年05月08日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2015年05月01日 特許庁 / 特許 | X線結晶方位測定装置及びX線結晶方位測定方法 FI分類-G01N 23/207 |
2015年05月01日 特許庁 / 特許 | ワイヤソー装置 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-B24B 55/02 Z, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2015年04月30日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/10, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2015年04月30日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 H |
2015年04月29日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 A |
2015年04月22日 特許庁 / 特許 | ワイヤソー装置 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2015年04月20日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/00 P, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-H01L 21/306 M, FI分類-C30B 29/06 504 F, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2015年04月17日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 G |
2015年04月16日 特許庁 / 特許 | 研磨ヘッドの製造方法及び研磨ヘッド、並びに研磨装置 FI分類-B24B 37/04 N, FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/304 622 K |
2015年04月15日 特許庁 / 特許 | 半導体装置の評価方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/265 V, FI分類-H01L 29/78 301 Q, FI分類-H01L 29/78 301 T, FI分類-H01L 29/78 301 X, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2015年04月13日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2015年04月06日 特許庁 / 特許 | 研磨装置 FI分類-B24B 37/04 Z, FI分類-H01L 21/304 622 Q, FI分類-H01L 21/304 644 A |
2015年04月06日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年04月03日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/265 F, FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/322 R |
2015年03月30日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/322 R |
2015年03月25日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/306 M |
2015年03月24日 特許庁 / 特許 | アルゴンガスの精製方法及びアルゴンガスの回収精製装置 FI分類-C01B 23/00 L, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2015年03月12日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及び気相成長装置に用いるリフレクタ FI分類-C23C 16/46, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 B |
2015年03月06日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせ半導体ウェーハ及び貼り合わせ半導体ウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/322 P |
2015年02月26日 特許庁 / 特許 | ウェーハ載置用サセプタの製造方法及びウェーハ載置用サセプタ FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N, FI分類-C04B 35/56 101 P |
2015年02月20日 特許庁 / 特許 | 結晶育成方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 30/04, FI分類-C30B 29/06 502 A, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2015年02月19日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/12, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/322 Y |
2015年02月17日 特許庁 / 特許 | カソードルミネッセンス測定用治具及びカソードルミネッセンスの測定方法 FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-G01N 23/225 314 |
2015年02月04日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/16 |
2015年02月04日 特許庁 / 特許 | 研磨布立ち上げ方法及び研磨方法 FI分類-B24B 37/00 A, FI分類-B24B 37/00 P, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 M |
2015年02月04日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 H, FI分類-C30B 29/06 502 J |
2015年01月23日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/304 622 W |
2015年01月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 G |
2015年01月09日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/16, FI分類-H01L 21/205 |
2015年01月09日 特許庁 / 特許 | 発光素子及び発光素子の製造方法 FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 33/00 172, FI分類-H01L 33/00 184 |
2015年01月08日 特許庁 / 特許 | 電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/78 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 F |
2015年01月07日 特許庁 / 特許 | シリコン基板の選別方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2014年12月19日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 G |
2014年12月19日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2014年12月18日 特許庁 / 特許 | 回収器具の製造方法、金属不純物の回収方法、及び金属不純物の分析方法 FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-H01L 21/66 D |
2014年12月15日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2014年12月10日 特許庁 / 特許 | 単結晶引上げ装置 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2014年12月02日 特許庁 / 特許 | シリコン結晶の炭素濃度測定方法、シリコン結晶の炭素関連準位測定方法 FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年12月02日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの評価方法 FI分類-G01N 3/42 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/324 X |
2014年11月27日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/66 V |
2014年11月26日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y |
2014年11月25日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハ、半導体素子、エピタキシャルウェーハの製造方法、並びに、半導体素子の製造方法 FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/38 D, FI分類-H01L 29/80 H |
2014年11月21日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の温度の推定方法及びシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 G, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
2014年11月21日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C23C 16/52, FI分類-H01L 21/205 |
2014年11月18日 特許庁 / 特許 | ワークの加工装置 FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2014年11月17日 特許庁 / 特許 | 評価方法及び測定方法 FI分類-G01B 11/00 A, FI分類-G01B 11/06 G, FI分類-H01L 21/66 P |
2014年10月30日 特許庁 / 特許 | 研磨装置 FI分類-B24B 49/12, FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-H01L 21/304 622 R |
2014年10月22日 特許庁 / 特許 | 定盤運搬台車 FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-H01L 21/304 621 B |
2014年10月21日 特許庁 / 特許 | 電極の形成方法 FI分類-H01L 21/66 E, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/48 P |
2014年10月21日 特許庁 / 特許 | 研磨装置及びウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 53/02, FI分類-B24B 37/00 A, FI分類-B24B 37/04 Z, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 M |
2014年10月08日 特許庁 / 特許 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及びシリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 C |
2014年10月08日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2014年10月01日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせ不良部の検出方法及び検査システム FI分類-G01N 21/958, FI分類-H01L 33/00 K |
2014年09月29日 特許庁 / 特許 | インゴットの切断方法 FI分類-B24B 27/06 R |
2014年09月26日 特許庁 / 特許 | SOI基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 27/12 T |
2014年09月26日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q |
2014年09月24日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/306 B, FI分類-H01L 21/306 D |
2014年09月18日 特許庁 / 特許 | 抵抗率制御方法及び追加ドーパント投入装置 FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年09月11日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの加工方法、貼り合わせウェーハの製造方法、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-B24B 9/00 601 H, FI分類-H01L 21/304 621 E |
2014年09月10日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/265 T |
2014年09月09日 特許庁 / 特許 | ラッピング方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2014年09月08日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の製造方法 FI分類-C30B 25/14, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 A |
2014年09月08日 特許庁 / 特許 | 半導体製造装置、半導体基板の製造方法及び搬送ロボット FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 F, FI分類-H01L 21/68 A |
2014年09月05日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置 FI分類-C23C 16/46, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/31 F, FI分類-C30B 29/06 504 D, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2014年09月05日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶棒の製造装置及び製造方法 FI分類-C30B 13/32 |
2014年08月29日 特許庁 / 特許 | 抵抗率制御方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年08月27日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置及び被処理基板の支持構造 FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/68 N |
2014年08月26日 特許庁 / 特許 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法、シリコン基板の再結合ライフタイム測定方法、及びシリコン基板のパッシベーション処理方法 FI分類-H01L 21/66 M |
2014年08月20日 特許庁 / 特許 | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 FI分類-G01N 1/28 X, FI分類-G01N 27/62 G, FI分類-G01N 35/06 A, FI分類-G01N 1/00 101 G |
2014年08月19日 特許庁 / 特許 | 単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶育成方法 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年08月05日 特許庁 / 特許 | 単結晶基板の抵抗率保証方法 FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2014年08月05日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの仕上げ研磨方法 FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 K, FI分類-C09K 3/14 550 M, FI分類-H01L 21/304 621 D, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 F |
2014年08月05日 特許庁 / 特許 | 研磨布の評価方法 FI分類-B24B 37/00 A, FI分類-B24B 37/00 C, FI分類-H01L 21/304 622 F, FI分類-H01L 21/304 622 M |
2014年07月28日 特許庁 / 特許 | ゲルマニウムウェーハの研磨方法 FI分類-C09G 1/02, FI分類-B24B 37/00 H, FI分類-C09K 3/14 550 D, FI分類-C09K 3/14 550 Z, FI分類-H01L 21/304 622 D, FI分類-H01L 21/304 622 W |
2014年07月17日 特許庁 / 特許 | ウェーハ保持用キャリア並びにそれを用いたウェーハの両面研磨方法 FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2014年07月17日 特許庁 / 特許 | ウェーハ保持用キャリアの設計方法 FI分類-B24B 37/28, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 621 A, FI分類-H01L 21/304 622 G |
2014年07月03日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y |
2014年07月03日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及びワーク保持治具 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2014年07月03日 特許庁 / 特許 | 点欠陥濃度計算方法、Grown-in欠陥計算方法、Grown-in欠陥面内分布計算方法及びこれらを用いたシリコン単結晶製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年06月25日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の欠陥領域の評価方法 FI分類-C30B 33/00, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/66 V |
2014年06月17日 特許庁 / 特許 | SOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2014年06月16日 特許庁 / 特許 | 自動ハンドリング装置 FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-B24B 41/06 A, FI分類-H01L 21/304 622 L |
2014年06月12日 特許庁 / 特許 | 研磨パッドの洗浄方法及びウェーハの研磨方法 FI分類-C11D 7/32, FI分類-C11D 17/08, FI分類-B08B 3/04 Z, FI分類-B08B 3/08 A, FI分類-B08B 3/10 Z, FI分類-B24B 53/007, FI分類-B24B 37/00 A, FI分類-B24B 37/00 J, FI分類-H01L 21/304 622 M |
2014年06月12日 特許庁 / 特許 | ウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B24B 37/00 K, FI分類-H01L 21/304 622 E |
2014年05月28日 特許庁 / 特許 | 固定砥粒ワイヤ及びワイヤソー並びにワークの切断方法 FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 H, FI分類-B24D 11/00 G, FI分類-B24D 3/00 320 B, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2014年05月15日 特許庁 / 特許 | 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 FI分類-C30B 13/20, FI分類-C30B 13/30, FI分類-C30B 13/32 |
2014年05月15日 特許庁 / 特許 | 汚染評価方法 FI分類-G01N 23/04, FI分類-G01N 23/225, FI分類-H01L 21/66 N |
2014年05月14日 特許庁 / 特許 | SOI基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 27/12 T |
2014年05月13日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-H01L 21/66 L |
2014年05月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の育成方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年05月02日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置 FI分類-C30B 25/12, FI分類-C23C 16/458, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 L |
2014年05月02日 特許庁 / 特許 | ウェーハの加工方法 FI分類-B24B 7/04 A, FI分類-B24B 37/04 J, FI分類-H01L 21/304 622 J, FI分類-H01L 21/304 622 W |
2014年05月01日 特許庁 / 特許 | ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法 FI分類-G01B 21/20 A, FI分類-H01L 21/30 514 E |
2014年05月01日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205 |
2014年04月24日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 27/12 B |
2014年04月24日 特許庁 / 特許 | エピタキシャル成長装置の汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2014年04月24日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2014年04月23日 特許庁 / 特許 | ウェーハのへき開方法及びウェーハの評価方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/304 601 H |
2014年04月18日 特許庁 / 特許 | 半導体基板及び半導体素子 FI分類-H01L 29/80 H |
2014年04月11日 特許庁 / 特許 | シリコンウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/322 J, FI分類-H01L 21/265 602 A |
2014年04月10日 特許庁 / 特許 | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/12, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/66 P |
2014年04月09日 特許庁 / 特許 | 半導体基板及び半導体素子 FI分類-H01L 29/80 H |
2014年04月09日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の製造方法、及び半導体素子の製造方法 FI分類-H01L 29/80 H |
2014年04月03日 特許庁 / 特許 | ワークの切断方法及び加工液 FI分類-B24B 57/02, FI分類-B28D 5/04 C, FI分類-B24B 27/06 D, FI分類-H01L 21/304 611 W |
2014年04月01日 特許庁 / 特許 | 再結合ライフタイムの制御方法及びシリコン基板の製造方法 FI分類-H01L 21/66 M, FI分類-H01L 29/91 J, FI分類-H01L 29/78 658 H |
2014年03月31日 特許庁 / 特許 | 植物育成用照明装置及び植物育成方法 FI分類-A01G 7/00 601 C, FI分類-A01G 7/00 604 B |
2014年03月28日 特許庁 / 特許 | 誘導結合プラズマ質量分析方法 FI分類-G01N 27/62 F, FI分類-G01N 27/62 G, FI分類-G01N 27/62 V |
2014年03月19日 特許庁 / 特許 | ワーク保持装置 FI分類-B24B 41/06 L, FI分類-H01L 21/68 B, FI分類-H01L 21/304 622 L |
2014年03月18日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 27/12 B, FI分類-H01L 21/265 Q, FI分類-H01L 21/324 X |
2014年03月17日 特許庁 / 特許 | 半導体基板の評価方法 FI分類-G01N 23/225, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/26 T, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2014年03月14日 特許庁 / 特許 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨方法 FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-B24B 37/04 U, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2014年03月10日 特許庁 / 特許 | 貼り合わせSOIウェーハの製造方法 FI分類-H01L 27/12 B |
2014年03月05日 特許庁 / 特許 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 16/56, FI分類-H01L 21/20, FI分類-H01L 21/205 |
2014年03月04日 特許庁 / 特許 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ FI分類-C23C 16/02, FI分類-C23C 16/34, FI分類-H01L 21/205 |
2014年02月28日 特許庁 / 特許 | 半導体単結晶の製造方法 FI分類-C30B 13/04, FI分類-C30B 29/06 501 A |
2014年02月26日 特許庁 / 特許 | アニール基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/26 J, FI分類-H01L 21/265 602 B |
2014年02月20日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶中の炭素濃度評価方法及び半導体デバイスの製造方法 FI分類-C30B 31/22, FI分類-G01N 21/00 B, FI分類-G01N 21/62 A, FI分類-G01N 21/63 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/265 W |
2014年02月20日 特許庁 / 特許 | ワークの両頭研削方法 FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2014年02月19日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の品質評価方法 FI分類-G01N 17/00, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-H01L 21/324 Z |
2014年02月12日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造装置 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 E |
2014年02月04日 特許庁 / 特許 | 常圧気相成長装置又は常圧気相成長装置の配管 FI分類-C23C 16/52, FI分類-C30B 25/14, FI分類-H01L 21/205 |
2014年01月31日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶棒の製造方法 FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年01月29日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶製造装置からのアルゴンガス回収精製方法及びアルゴンガス回収精製装置 FI分類-B01D 53/28, FI分類-B01D 53/04 B, FI分類-C01B 23/00 L |
2014年01月29日 特許庁 / 特許 | ワークの加工装置およびワークの加工方法 FI分類-B24B 7/17 Z, FI分類-B24B 37/00 X, FI分類-B24B 37/04 F, FI分類-H01L 21/304 621 A |
2014年01月27日 特許庁 / 特許 | 半導体ウェーハの洗浄槽及び貼り合わせウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/02 Z, FI分類-H01L 21/306 J |
2014年01月23日 特許庁 / 特許 | 気相成長装置の清掃又は点検方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J |
2014年01月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/324 X |
2014年01月16日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-C30B 29/06 502 H |
2014年01月07日 特許庁 / 特許 | シリコン単結晶の直径検出用カメラのカメラ位置の調整方法及びカメラ位置調整治具 FI分類-C30B 15/26, FI分類-C30B 29/06 502 Z |
信越半導体株式会社の職場情報
| 項目 | データ |
|---|---|
事業概要 | 半導体シリコンの製造 |
企業規模 | 1,383人 男性 1,275人 / 女性 73人 |
平均勤続年数 範囲 対象とする労働者すべて | 男性 23.4年 / 女性 19.2年 |
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