株式会社フローディア

株式会社フローディアとは

名称の「株式会社」について(β版)

株式会社フローディアの基本情報

項目	内容
商号又は名称	株式会社フローディア
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	フローディア
法人番号	8012701010987
会社法人等番号	0127-01-010987
登記所	東京法務局田無出張所 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T8012701010987 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒187-0031 ※地方自治体コードは 13211
国内所在地（都道府県）都道府県	東京都 ※東京都の法人数は 1,319,020件
国内所在地（市区町村）市区町村	小平市 ※小平市の法人数は 5,707件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	小川東町1丁目30番9号
国内所在地（1行表示）1行表示	東京都小平市小川東町1丁目30番9号
国内所在地（読み仮名）読み仮名	トウキョウトコダイラシオガワヒガシチョウ1チョウメ
代表者	代表取締役 奥山 幸祐
設立日	2011年04月25日
更新年月日更新日	2024年09月30日
変更年月日変更日	2015年10月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	東京労働局 〒102-8305～〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階～14階
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	立川労働基準監督署 〒190-8516 東京都立川市緑町4-2立川地方合同庁舎3階

株式会社フローディアの場所

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株式会社フローディアの登録履歴

日付	内容
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「株式会社フローディア」で、「東京都小平市小川東町1丁目30番9号」に新規登録されました。

株式会社フローディアの法人活動情報

株式会社フローディアの調達情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2022年05月26日 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構	高効率・高速処理を可能とするAIチップ・次世代コンピューティングの技術開発次世代コンピューティング技術の開発ニューロモルフィックダイナミクスに基づく超低電力エッジAIチップの研究開発とその応用展開 248,556,000円

株式会社フローディアの補助金情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2017年09月29日 特許庁	中小企業等外国出願支援事業費補助金 中小企業知的財産活動支援事業費補助金 1,500,000円

株式会社フローディアの届出情報(1件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
- デジタル庁	代表者:代表取締役 奥山 幸祐 全省庁統一資格 / -

株式会社フローディアの特許情報(33件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2022年05月31日 特許庁 / 特許	不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/11582, FI分類-H01L 29/78 371
2020年02月04日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/16, FI分類-G11C 17/18, FI分類-H01L 27/10 431, FI分類-H01L 27/10 481
2018年08月02日 特許庁 / 特許	積和演算装置 FI分類-G06G 7/00, FI分類-G06G 7/60
2018年01月09日 特許庁 / 特許	固体撮像装置及びカメラシステム FI分類-H01L 27/1157, FI分類-H01L 27/11524, FI分類-H01L 27/11526, FI分類-H01L 27/11573, FI分類-H01L 27/146 A, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H04N 5/3745 200
2017年12月27日 特許庁 / 特許	不揮発性SRAMメモリセル及び不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/11, FI分類-H01L 27/11568, FI分類-H01L 29/78 371
2017年03月24日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 16/28, FI分類-H01L 27/11526, FI分類-H01L 27/11558, FI分類-G11C 16/04 140, FI分類-G11C 16/26 120, FI分類-G11C 16/30 100, FI分類-H01L 29/78 371
2016年08月24日 特許庁 / 特許	メモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 623 A
2016年04月20日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371
2016年04月20日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 F, FI分類-G11C 17/00 623 A
2015年12月18日 特許庁 / 特許	メモリセル、不揮発性半導体記憶装置、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 F, FI分類-G11C 17/00 621 Z, FI分類-G11C 17/00 623 A
2015年10月28日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 621 Z
2015年10月06日 特許庁 / 特許	半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2015年10月06日 特許庁 / 特許	半導体集積回路装置の製造方法、および半導体集積回路装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2015年10月06日 特許庁 / 特許	半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2015年10月01日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 621 A, FI分類-G11C 17/00 623 A
2015年08月13日 特許庁 / 特許	半導体集積回路装置の製造方法、および半導体集積回路装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 27/08 102 C, FI分類-H01L 27/08 102 H
2015年07月23日 特許庁 / 特許	メモリセル、半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2015年06月01日 特許庁 / 特許	メモリセルおよび不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371
2015年05月01日 特許庁 / 特許	半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2015年03月27日 特許庁 / 特許	不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-H01L 27/10 381, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 441, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2015年03月27日 特許庁 / 特許	不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/34 305, FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-H01L 27/10 381, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 441, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 623 A
2015年02月25日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 431
2015年01月26日 特許庁 / 特許	半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 27/08 102 C, FI分類-H01L 21/302 105 A
2014年12月26日 特許庁 / 特許	メモリセル、不揮発性半導体記憶装置およびメモリセルの書き込み方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 623 A
2014年12月15日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/00 613, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 611 F, FI分類-G11C 17/00 623 A
2014年10月31日 特許庁 / 特許	アンチヒューズメモリおよび半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/06 B, FI分類-G11C 17/06 301, FI分類-H01L 27/10 431
2014年10月31日 特許庁 / 特許	アンチヒューズメモリおよび半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/06 D, FI分類-G11C 17/06 Z, FI分類-H01L 27/10 431, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 633 D
2014年10月15日 特許庁 / 特許	メモリセルおよび不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 621 B, FI分類-G11C 17/00 623 A
2014年10月15日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371
2014年07月31日 特許庁 / 特許	不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-G11C 11/40 301, FI分類-G11C 13/00 150, FI分類-G11C 13/00 110 R
2014年06月20日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371
2014年04月18日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/34 345, FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-H01L 27/10 381, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371
2014年04月18日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 621 A, FI分類-G11C 17/00 623 Z

株式会社フローディアの商標情報(10件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2017年10月16日 特許庁 / 商標	§FLOadiA 09類, 42類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	§FLOadiA 09類, 42類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	フローディア 09類, 42類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	Floadia 09類, 42類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	LEE Flash 09類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	LEE Fuse 09類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	ZT＼LEE Flash 09類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	ZA＼LEE Fuse 09類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	G1＼LEE Flash 09類
2015年06月09日 特許庁 / 商標	G2＼LEE Flash 09類

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