法人番号:8012701010987
株式会社フローディア
情報更新日:2024年09月30日
株式会社フローディアとは
株式会社フローディア(フローディア)は、法人番号:8012701010987で東京都小平市小川東町1丁目30番9号に所在する法人として東京法務局田無出張所で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役奥山幸祐。設立日は2011年04月25日。登録情報として、調達情報が1件、補助金情報が1件、届出情報が1件、特許情報が33件、商標情報が10件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2024年09月30日です。
インボイス番号:T8012701010987については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は東京労働局。立川労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社フローディアの基本情報
項目 | 内容 |
---|---|
商号又は名称 | 株式会社フローディア |
商号又は名称(読み仮名)フリガナ | フローディア |
法人番号 | 8012701010987 |
会社法人等番号 | 0127-01-010987 |
登記所 | 東京法務局田無出張所 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T8012701010987 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
法人種別 | 株式会社 |
郵便番号 | 〒187-0031 ※地方自治体コードは 13211 |
国内所在地(都道府県)都道府県 | 東京都 ※東京都の法人数は 1,319,020件 |
国内所在地(市区町村)市区町村 | 小平市 ※小平市の法人数は 5,707件 |
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 | 小川東町1丁目30番9号 |
国内所在地(1行表示)1行表示 | 東京都小平市小川東町1丁目30番9号 |
国内所在地(読み仮名)読み仮名 | トウキョウトコダイラシオガワヒガシチョウ1チョウメ |
代表者 | 代表取締役 奥山 幸祐 |
設立日 | 2011年04月25日 |
更新年月日更新日 | 2024年09月30日 |
変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
管轄の労働局労働局 | 東京労働局 〒102-8305~〒102-8307 東京都千代田区九段南1丁目2番1号 九段第3合同庁舎12階~14階 |
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 立川労働基準監督署 〒190-8516 東京都立川市緑町4-2立川地方合同庁舎3階 |
株式会社フローディアの場所
株式会社フローディアの登録履歴
日付 | 内容 |
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2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「株式会社フローディア」で、「東京都小平市小川東町1丁目30番9号」に新規登録されました。 |
株式会社フローディアの法人活動情報
株式会社フローディアの調達情報(1件)
期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
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2022年05月26日 | 高効率・高速処理を可能とするAIチップ・次世代コンピューティングの技術開発次世代コンピューティング技術の開発ニューロモルフィックダイナミクスに基づく超低電力エッジAIチップの研究開発とその応用展開 248,556,000円 |
株式会社フローディアの補助金情報(1件)
期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
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2017年09月29日 | 中小企業等外国出願支援事業費補助金 中小企業知的財産活動支援事業費補助金 1,500,000円 |
株式会社フローディアの届出情報(1件)
日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
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- | 代表者:代表取締役 奥山 幸祐 全省庁統一資格 / - |
株式会社フローディアの特許情報(33件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2022年05月31日 特許庁 / 特許 | 不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/11582, FI分類-H01L 29/78 371 |
2020年02月04日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/16, FI分類-G11C 17/18, FI分類-H01L 27/10 431, FI分類-H01L 27/10 481 |
2018年08月02日 特許庁 / 特許 | 積和演算装置 FI分類-G06G 7/00, FI分類-G06G 7/60 |
2018年01月09日 特許庁 / 特許 | 固体撮像装置及びカメラシステム FI分類-H01L 27/1157, FI分類-H01L 27/11524, FI分類-H01L 27/11526, FI分類-H01L 27/11573, FI分類-H01L 27/146 A, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H04N 5/3745 200 |
2017年12月27日 特許庁 / 特許 | 不揮発性SRAMメモリセル及び不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/11, FI分類-H01L 27/11568, FI分類-H01L 29/78 371 |
2017年03月24日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 16/28, FI分類-H01L 27/11526, FI分類-H01L 27/11558, FI分類-G11C 16/04 140, FI分類-G11C 16/26 120, FI分類-G11C 16/30 100, FI分類-H01L 29/78 371 |
2016年08月24日 特許庁 / 特許 | メモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2016年04月20日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371 |
2016年04月20日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 F, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2015年12月18日 特許庁 / 特許 | メモリセル、不揮発性半導体記憶装置、および不揮発性半導体記憶装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 F, FI分類-G11C 17/00 621 Z, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2015年10月28日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 621 Z |
2015年10月06日 特許庁 / 特許 | 半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年10月06日 特許庁 / 特許 | 半導体集積回路装置の製造方法、および半導体集積回路装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年10月06日 特許庁 / 特許 | 半導体装置およびその製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年10月01日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 621 A, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2015年08月13日 特許庁 / 特許 | 半導体集積回路装置の製造方法、および半導体集積回路装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 27/08 102 C, FI分類-H01L 27/08 102 H |
2015年07月23日 特許庁 / 特許 | メモリセル、半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年06月01日 特許庁 / 特許 | メモリセルおよび不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年05月01日 特許庁 / 特許 | 半導体集積回路装置、および半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年03月27日 特許庁 / 特許 | 不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-H01L 27/10 381, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 441, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2015年03月27日 特許庁 / 特許 | 不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/34 305, FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-H01L 27/10 381, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 441, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2015年02月25日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 431 |
2015年01月26日 特許庁 / 特許 | 半導体集積回路装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-H01L 27/08 102 C, FI分類-H01L 21/302 105 A |
2014年12月26日 特許庁 / 特許 | メモリセル、不揮発性半導体記憶装置およびメモリセルの書き込み方法 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2014年12月15日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/00 613, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 611 F, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2014年10月31日 特許庁 / 特許 | アンチヒューズメモリおよび半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/06 B, FI分類-G11C 17/06 301, FI分類-H01L 27/10 431 |
2014年10月31日 特許庁 / 特許 | アンチヒューズメモリおよび半導体記憶装置 FI分類-G11C 17/06 D, FI分類-G11C 17/06 Z, FI分類-H01L 27/10 431, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 633 D |
2014年10月15日 特許庁 / 特許 | メモリセルおよび不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 621 B, FI分類-G11C 17/00 623 A |
2014年10月15日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371 |
2014年07月31日 特許庁 / 特許 | 不揮発性SRAMメモリセル、および不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-G11C 11/40 301, FI分類-G11C 13/00 150, FI分類-G11C 13/00 110 R |
2014年06月20日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371 |
2014年04月18日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/34 345, FI分類-G11C 11/40 101, FI分類-H01L 27/10 381, FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 29/78 371 |
2014年04月18日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置 FI分類-H01L 27/10 434, FI分類-H01L 29/78 371, FI分類-G11C 17/00 611 E, FI分類-G11C 17/00 621 A, FI分類-G11C 17/00 623 Z |
株式会社フローディアの商標情報(10件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2017年10月16日 特許庁 / 商標 | §FLOadiA 09類, 42類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | §FLOadiA 09類, 42類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | フローディア 09類, 42類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | Floadia 09類, 42類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | LEE Flash 09類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | LEE Fuse 09類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | ZT\LEE Flash 09類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | ZA\LEE Fuse 09類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | G1\LEE Flash 09類 |
2015年06月09日 特許庁 / 商標 | G2\LEE Flash 09類 |
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