法人番号:9020001135553
RAMXEED株式会社
情報更新日:2025年04月14日
RAMXEED株式会社とは
RAMXEED株式会社(ラムシード)は、法人番号:9020001135553で神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目9番1号に所在する法人として横浜地方法務局で法人登録され、2020年04月03日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役社長曲渕景昌。従業員数は160人。登録情報として、特許情報が35件、商標情報が1件、職場情報が1件が登録されています。なお、2025年03月31日に法人番号公表サイトでは登録情報が変更されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2025年04月14日です。
インボイス番号:T9020001135553については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は神奈川労働局。横浜北労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
RAMXEED株式会社の基本情報
項目 | 内容 |
---|---|
商号又は名称 | RAMXEED株式会社 |
商号又は名称(読み仮名)フリガナ | ラムシード |
法人番号 | 9020001135553 |
会社法人等番号 | 0200-01-135553 |
登記所 | 横浜地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T9020001135553 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
法人種別 | 株式会社 |
郵便番号 | 〒222-0033 ※地方自治体コードは 14109 |
国内所在地(都道府県)都道府県 | 神奈川県 ※神奈川県の法人数は 366,515件 |
国内所在地(市区町村)市区町村 | 横浜市港北区 ※横浜市港北区の法人数は 16,047件 |
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 | 新横浜3丁目9番1号 |
国内所在地(1行表示)1行表示 | 神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目9番1号 |
国内所在地(読み仮名)読み仮名 | - |
代表者 | 代表取締役社長 曲渕 景昌 |
従業員数 | 160人 |
更新年月日更新日 | 2025年04月14日 |
変更年月日変更日 | 2025年03月31日 |
法人番号指定年月日指定日 | 2020年04月03日 |
管轄の労働局労働局 | 神奈川労働局 〒231-8434 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地横浜第2合同庁舎 |
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 横浜北労働基準監督署 〒222-0033 神奈川県神奈川県横浜市港北区新横浜2-4-1日本生命新横浜ビル3・4階 |
RAMXEED株式会社の場所
RAMXEED株式会社の登録履歴
日付 | 内容 |
---|---|
2025年03月31日 | 【吸収合併】 令和7年3月31日東京都千代田区大手町一丁目1番1号FMホールディングス株式会社(6010001226158)を合併 |
2025年01月06日 | 【名称変更】 名称が「RAMXEED株式会社」に変更されました。 |
2020年04月03日 | 【新規登録】 名称が「富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社」で、「神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目9番1号」に新規登録されました。 |
RAMXEED株式会社の法人活動情報
RAMXEED株式会社の特許情報(35件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2020年06月26日 特許庁 / 特許 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/88 S, FI分類-H01L 21/88 Z, FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H01L 27/11507, FI分類-H01L 27/11512 |
2020年05月14日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の試験方法 FI分類-G11C 7/06, FI分類-G11C 7/14, FI分類-G11C 11/22 232, FI分類-G11C 11/22 234, FI分類-G11C 29/50 120 |
2020年02月26日 特許庁 / 特許 | 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの書換方法 FI分類-G11C 11/56 500, FI分類-G11C 13/00 215, FI分類-G11C 13/00 312, FI分類-G11C 13/00 270 J |
2019年10月17日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/22 110, FI分類-G11C 11/22 212, FI分類-G11C 11/22 230, FI分類-G11C 11/22 232, FI分類-G11C 11/22 234 |
2019年05月24日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置 FI分類-G11C 29/00 426, FI分類-G11C 29/02 170, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/105 448 |
2019年05月09日 特許庁 / 特許 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/11509 |
2019年02月01日 特許庁 / 特許 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 21/318 A, FI分類-H01L 21/318 B, FI分類-H01L 21/318 C, FI分類-H01L 21/318 M, FI分類-H01L 27/11502 |
2019年01月09日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 27/11507 |
2018年12月05日 特許庁 / 特許 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 FI分類-H01L 21/90 M, FI分類-H01L 27/11504, FI分類-H01L 27/11507 |
2018年07月25日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の読み出し方法 FI分類-G11C 7/14, FI分類-G11C 7/06 120, FI分類-G11C 11/22 212, FI分類-G11C 11/22 218, FI分類-G11C 11/22 232, FI分類-G11C 11/22 234 |
2018年07月03日 特許庁 / 特許 | 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの制御方法 FI分類-G11C 13/00 460, FI分類-G11C 13/00 400 G, FI分類-G11C 13/00 400 H, FI分類-G11C 13/00 400 Z, FI分類-G11C 13/00 480 C |
2018年01月31日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/318 M, FI分類-H01L 27/11507 |
2017年07月28日 特許庁 / 特許 | 無線通信機能を備えた半導体記憶装置及びアプリケーション制御方法 FI分類-G06K 7/10 100, FI分類-G06K 19/07 090, FI分類-G06K 19/07 190, FI分類-G06K 19/07 230 |
2017年07月28日 特許庁 / 特許 | 無線通信機能を備えた半導体記憶装置及び書き込み制御方法 FI分類-G06F 3/08 H, FI分類-G06K 19/073, FI分類-G06F 11/10 652, FI分類-G06K 19/07 090, FI分類-G06K 19/07 230, FI分類-G06F 3/06 301 J |
2017年06月29日 特許庁 / 特許 | 記憶回路及び半導体装置 FI分類-G11C 11/22 110, FI分類-G11C 11/22 230 |
2017年06月27日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/11504, FI分類-H01L 27/11507, FI分類-H01L 27/11512 |
2017年05月18日 特許庁 / 特許 | 半導体記憶装置 FI分類-G06F 11/10 612, FI分類-G11C 29/00 603 L, FI分類-G11C 29/00 671 T |
2017年04月03日 特許庁 / 特許 | 降圧回路及び半導体集積回路 FI分類-H01L 27/04 B, FI分類-G05F 1/56 310 X |
2017年03月29日 特許庁 / 特許 | 整流回路および電子装置 FI分類-H02M 7/12 C, FI分類-H02M 7/12 F |
2016年08月29日 特許庁 / 特許 | 3次元積層チェーン型メモリ装置の製造方法 FI分類-H01L 45/00 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/10 444 Z, FI分類-H01L 29/78 613 B, FI分類-H01L 29/78 626 A |
2016年06月30日 特許庁 / 特許 | レギュレータ回路および半導体集積回路装置 FI分類-G05F 1/56 310 A, FI分類-G05F 1/56 310 K |
2016年06月21日 特許庁 / 特許 | 強誘電体メモリ装置 FI分類-H01L 27/10 444 B |
2016年03月28日 特許庁 / 特許 | 認証システム FI分類-G06F 21/44, FI分類-H02J 7/10 A, FI分類-B41J 29/00 Z, FI分類-B41J 29/38 Z, FI分類-B41J 2/175 167, FI分類-H04L 9/00 673 B |
2015年09月17日 特許庁 / 特許 | 不揮発性データ記憶回路及び不揮発性データ記憶回路の制御方法 FI分類-G11C 11/22 501 A, FI分類-G11C 11/22 501 L, FI分類-H01L 27/10 444 Z |
2015年08月04日 特許庁 / 特許 | 検出方法、検出装置及び検出プログラム FI分類-G06T 1/00 305 C, FI分類-G06T 7/00 300 D |
2015年06月25日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/10 615, FI分類-H01L 27/10 444 B |
2015年03月24日 特許庁 / 特許 | 復調回路及びこれを用いた無線タグ装置 FI分類-H03D 1/10, FI分類-H04B 5/02 |
2015年01月20日 特許庁 / 特許 | 半導体装置とその製造方法 FI分類-H01L 21/316 Y, FI分類-H01L 27/10 444 B |
2014年11月17日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及び半導体装置の制御方法 FI分類-G11C 11/34 A, FI分類-H01L 27/04 F, FI分類-G11C 11/34 303, FI分類-G11C 11/22 501 D, FI分類-G11C 11/34 354 B |
2014年08月25日 特許庁 / 特許 | 半導体装置 FI分類-H04B 5/02, FI分類-G06K 19/00 H, FI分類-H02J 17/00 B |
2014年08月07日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/10 651, FI分類-H01L 27/10 444 B, FI分類-H01L 27/10 621 Z |
2014年06月27日 特許庁 / 特許 | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 FI分類-G11C 17/00 611 A, FI分類-G11C 17/00 612 B, FI分類-G11C 17/00 633 B, FI分類-G11C 17/00 634 E |
2014年04月18日 特許庁 / 特許 | 電源切り替え回路、半導体集積回路、無線装置、無線システム及び電源切り替え方法 FI分類-H02J 1/00 304 E, FI分類-H02J 9/06 502 C |
2014年03月13日 特許庁 / 特許 | 情報生成回路、半導体集積回路、及び認証システム FI分類-H04L 9/00 601 A, FI分類-H04L 9/00 621 Z |
2014年02月03日 特許庁 / 特許 | 半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 21/316 C, FI分類-H01L 27/10 651, FI分類-H01L 27/10 444 B, FI分類-H01L 27/10 621 Z |
RAMXEED株式会社の商標情報(1件)
日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
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2022年10月19日 特許庁 / 商標 | RAMXEED 09類 |
RAMXEED株式会社の職場情報
項目 | データ |
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企業規模 | 160人 |
平均勤続年数 範囲 正社員 | 男性 25.4年 / 女性 25.3年 |
女性労働者の割合 範囲 正社員 | 15.0% |
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