RAMXEED株式会社

RAMXEED株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

RAMXEED株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	RAMXEED株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	ラムシード
法人番号	9020001135553
会社法人等番号	0200-01-135553
登記所	横浜地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T9020001135553 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒222-0033 ※地方自治体コードは 14109
国内所在地（都道府県）都道府県	神奈川県 ※神奈川県の法人数は 366,717件
国内所在地（市区町村）市区町村	横浜市港北区 ※横浜市港北区の法人数は 16,059件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	新横浜3丁目9番1号
国内所在地（1行表示）1行表示	神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目9番1号
国内所在地（読み仮名）読み仮名	-
代表者	代表取締役社長 曲渕 景昌
従業員数	160人
更新年月日更新日	2025年04月14日
変更年月日変更日	2025年03月31日
法人番号指定年月日指定日	2020年04月03日
管轄の労働局労働局	神奈川労働局 〒231-8434 神奈川県横浜市中区北仲通5丁目57番地横浜第2合同庁舎
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	横浜北労働基準監督署 〒222-0033 神奈川県神奈川県横浜市港北区新横浜2-4-1日本生命新横浜ビル3・4階

RAMXEED株式会社の場所

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RAMXEED株式会社の登録履歴

日付	内容
2025年03月31日	【吸収合併】 令和7年3月31日東京都千代田区大手町一丁目1番1号FMホールディングス株式会社(6010001226158)を合併
2025年01月06日	【名称変更】 名称が「RAMXEED株式会社」に変更されました。
2020年04月03日	【新規登録】 名称が「富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社」で、「神奈川県横浜市港北区新横浜3丁目9番1号」に新規登録されました。

RAMXEED株式会社の法人活動情報

RAMXEED株式会社の特許情報(35件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年06月26日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 21/88 S, FI分類-H01L 21/88 Z, FI分類-H01L 27/04 H, FI分類-H01L 27/11507, FI分類-H01L 27/11512
2020年05月14日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置及び半導体記憶装置の試験方法 FI分類-G11C 7/06, FI分類-G11C 7/14, FI分類-G11C 11/22 232, FI分類-G11C 11/22 234, FI分類-G11C 29/50 120
2020年02月26日 特許庁 / 特許	抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの書換方法 FI分類-G11C 11/56 500, FI分類-G11C 13/00 215, FI分類-G11C 13/00 312, FI分類-G11C 13/00 270 J
2019年10月17日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置 FI分類-G11C 11/22 110, FI分類-G11C 11/22 212, FI分類-G11C 11/22 230, FI分類-G11C 11/22 232, FI分類-G11C 11/22 234
2019年05月24日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置 FI分類-G11C 29/00 426, FI分類-G11C 29/02 170, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/105 448
2019年05月09日 特許庁 / 特許	半導体装置および半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/11509
2019年02月01日 特許庁 / 特許	半導体装置の製造方法及び半導体装置 FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/316 X, FI分類-H01L 21/318 A, FI分類-H01L 21/318 B, FI分類-H01L 21/318 C, FI分類-H01L 21/318 M, FI分類-H01L 27/11502
2019年01月09日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 27/11507
2018年12月05日 特許庁 / 特許	半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置 FI分類-H01L 21/90 M, FI分類-H01L 27/11504, FI分類-H01L 27/11507
2018年07月25日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置及び半導体記憶装置の読み出し方法 FI分類-G11C 7/14, FI分類-G11C 7/06 120, FI分類-G11C 11/22 212, FI分類-G11C 11/22 218, FI分類-G11C 11/22 232, FI分類-G11C 11/22 234
2018年07月03日 特許庁 / 特許	抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの制御方法 FI分類-G11C 13/00 460, FI分類-G11C 13/00 400 G, FI分類-G11C 13/00 400 H, FI分類-G11C 13/00 400 Z, FI分類-G11C 13/00 480 C
2018年01月31日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 21/316 M, FI分類-H01L 21/318 M, FI分類-H01L 27/11507
2017年07月28日 特許庁 / 特許	無線通信機能を備えた半導体記憶装置及びアプリケーション制御方法 FI分類-G06K 7/10 100, FI分類-G06K 19/07 090, FI分類-G06K 19/07 190, FI分類-G06K 19/07 230
2017年07月28日 特許庁 / 特許	無線通信機能を備えた半導体記憶装置及び書き込み制御方法 FI分類-G06F 3/08 H, FI分類-G06K 19/073, FI分類-G06F 11/10 652, FI分類-G06K 19/07 090, FI分類-G06K 19/07 230, FI分類-G06F 3/06 301 J
2017年06月29日 特許庁 / 特許	記憶回路及び半導体装置 FI分類-G11C 11/22 110, FI分類-G11C 11/22 230
2017年06月27日 特許庁 / 特許	半導体装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/11504, FI分類-H01L 27/11507, FI分類-H01L 27/11512
2017年05月18日 特許庁 / 特許	半導体記憶装置 FI分類-G06F 11/10 612, FI分類-G11C 29/00 603 L, FI分類-G11C 29/00 671 T
2017年04月03日 特許庁 / 特許	降圧回路及び半導体集積回路 FI分類-H01L 27/04 B, FI分類-G05F 1/56 310 X
2017年03月29日 特許庁 / 特許	整流回路および電子装置 FI分類-H02M 7/12 C, FI分類-H02M 7/12 F
2016年08月29日 特許庁 / 特許	3次元積層チェーン型メモリ装置の製造方法 FI分類-H01L 45/00 A, FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/10 444 Z, FI分類-H01L 29/78 613 B, FI分類-H01L 29/78 626 A
2016年06月30日 特許庁 / 特許	レギュレータ回路および半導体集積回路装置 FI分類-G05F 1/56 310 A, FI分類-G05F 1/56 310 K
2016年06月21日 特許庁 / 特許	強誘電体メモリ装置 FI分類-H01L 27/10 444 B
2016年03月28日 特許庁 / 特許	認証システム FI分類-G06F 21/44, FI分類-H02J 7/10 A, FI分類-B41J 29/00 Z, FI分類-B41J 29/38 Z, FI分類-B41J 2/175 167, FI分類-H04L 9/00 673 B
2015年09月17日 特許庁 / 特許	不揮発性データ記憶回路及び不揮発性データ記憶回路の制御方法 FI分類-G11C 11/22 501 A, FI分類-G11C 11/22 501 L, FI分類-H01L 27/10 444 Z
2015年08月04日 特許庁 / 特許	検出方法、検出装置及び検出プログラム FI分類-G06T 1/00 305 C, FI分類-G06T 7/00 300 D
2015年06月25日 特許庁 / 特許	半導体装置及び半導体装置の製造方法 FI分類-H01L 27/10 448, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/10 615, FI分類-H01L 27/10 444 B
2015年03月24日 特許庁 / 特許	復調回路及びこれを用いた無線タグ装置 FI分類-H03D 1/10, FI分類-H04B 5/02
2015年01月20日 特許庁 / 特許	半導体装置とその製造方法 FI分類-H01L 21/316 Y, FI分類-H01L 27/10 444 B
2014年11月17日 特許庁 / 特許	半導体装置及び半導体装置の制御方法 FI分類-G11C 11/34 A, FI分類-H01L 27/04 F, FI分類-G11C 11/34 303, FI分類-G11C 11/22 501 D, FI分類-G11C 11/34 354 B
2014年08月25日 特許庁 / 特許	半導体装置 FI分類-H04B 5/02, FI分類-G06K 19/00 H, FI分類-H02J 17/00 B
2014年08月07日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/10 481, FI分類-H01L 27/10 651, FI分類-H01L 27/10 444 B, FI分類-H01L 27/10 621 Z
2014年06月27日 特許庁 / 特許	不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 FI分類-G11C 17/00 611 A, FI分類-G11C 17/00 612 B, FI分類-G11C 17/00 633 B, FI分類-G11C 17/00 634 E
2014年04月18日 特許庁 / 特許	電源切り替え回路、半導体集積回路、無線装置、無線システム及び電源切り替え方法 FI分類-H02J 1/00 304 E, FI分類-H02J 9/06 502 C
2014年03月13日 特許庁 / 特許	情報生成回路、半導体集積回路、及び認証システム FI分類-H04L 9/00 601 A, FI分類-H04L 9/00 621 Z
2014年02月03日 特許庁 / 特許	半導体装置及びその製造方法 FI分類-H01L 21/316 C, FI分類-H01L 27/10 651, FI分類-H01L 27/10 444 B, FI分類-H01L 27/10 621 Z

RAMXEED株式会社の商標情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2022年10月19日 特許庁 / 商標	RAMXEED 09類

RAMXEED株式会社の職場情報

項目	データ
企業規模	160人
平均勤続年数 範囲 正社員	男性 25.4年 / 女性 25.3年
女性労働者の割合 範囲 正社員	15.0%

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