法人番号:9030001068752
株式会社高純度化学研究所
情報更新日:2024年08月31日
株式会社高純度化学研究所とは
株式会社高純度化学研究所（コウジュンドカガクケンキュウジョ）は、法人番号:9030001068752で埼玉県坂戸市千代田5丁目1番28号に所在する法人としてさいたま地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、代表取締役宝地戸道雄。設立日は1962年09月07日。登録情報として、調達情報が1件、補助金情報が2件、届出情報が2件、特許情報が19件、商標情報が2件が登録されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2018年06月11日です。
インボイス番号:T9030001068752については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は埼玉労働局。川越労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
名称の「株式会社」について(β版)
株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。
株式会社高純度化学研究所の基本情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 商号又は名称 | 株式会社高純度化学研究所 |
| 商号又は名称（読み仮名）フリガナ | コウジュンドカガクケンキュウジョ |
| 法人番号 | 9030001068752 |
| 会社法人等番号 | 0300-01-068752 |
| 登記所 | さいたま地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。 |
| インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号 |
T9030001068752 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在) |
| 法人種別 | 株式会社 |
| 郵便番号 | 〒350-0214 ※地方自治体コードは 11239 |
| 国内所在地（都道府県）都道府県 | 埼玉県 ※埼玉県の法人数は 261,988件 |
| 国内所在地（市区町村）市区町村 | 坂戸市 ※坂戸市の法人数は 3,255件 |
| 国内所在地（丁目番地等）丁目番地 | 千代田5丁目1番28号 |
| 国内所在地（1行表示）1行表示 | 埼玉県坂戸市千代田5丁目1番28号 |
| 国内所在地（読み仮名）読み仮名 | サイタマケンサカドシチヨダ5チョウメ |
| 代表者 | 代表取締役 宝地戸 道雄 |
| 設立日 | 1962年09月07日 |
| 電話番号TEL | 049-284-1511 |
| FAX番号FAX | 049-284-1351 |
| ホームページHP | https://www.kojundo.co.jp/ |
| 更新年月日更新日 | 2018年06月11日 |
| 変更年月日変更日 | 2015年10月05日 |
| 法人番号指定年月日指定日 | 2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。 |
| 管轄の労働局労働局 | 埼玉労働局 〒330-6016 埼玉県さいたま市中央区新都心11番地2 明治安田生命さいたま新都心ビル ランド・アクシス・タワー 14F(安定)・15F(総務・基準・安定)・16F(総務・雇均) |
| 管轄の労働基準監督署労働基準監督署 | 川越労働基準監督署 〒350-1118 埼玉県川越市豊田本1-19-8川越地方合同庁舎 |
株式会社高純度化学研究所の場所
株式会社高純度化学研究所の登録履歴
| 日付 | 内容 |
|---|---|
| 2015年10月05日 | 【新規登録】 名称が「株式会社高純度化学研究所」で、「埼玉県坂戸市千代田5丁目1番28号」に新規登録されました。 |
株式会社高純度化学研究所の関連情報
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 情報名 | 株式会社高純度化学研究所 |
| 情報名 読み | コウジュンドカガクケンキュウショ |
| 住所 | 埼玉県坂戸市千代田5丁目1-28 |
| 電話番号 | 049-284-1511 |
株式会社高純度化学研究所の法人活動情報
株式会社高純度化学研究所の調達情報(1件)
| 期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
|---|---|
2021年12月03日 | 強誘電体テスター 6,699,000円 |
株式会社高純度化学研究所の補助金情報(2件)
| 期間 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 / 金額 |
|---|---|
2011年01月01日 | 地域イノベーション・基盤高度化促進委託費 携帯電話などの情報処理の高速化、ディスプレイの大型化、カメラ内蔵等の高機能化により消費電力がますます増加しており、高効率な電力変換を可能にする高性能なパワーインダクタが必要とされている。このようなデバイスに応用するため積層チップパワーインダクタの高機能化の研究開発が必要とされている。この課題を解決するため、ナノフェライト粒子の量産製造技術の開発と応用展開を行うもの。 6,599,250円 |
2010年01月01日 | 地域イノベーション・基盤高度化促進委託費 携帯電話などの情報処理の高速化、ディスプレイの大型化、カメラ内蔵等の高機能化により消費電力がますます増加しており、高効率な電力変換を可能にする高性能なパワーインダクタが必要とされている。このようなデバイスに応用するため積層チップパワーインダクタの高機能化の研究開発が必要とされている。この課題を解決するため、ナノフェライト粒子の量産製造技術の開発と応用展開を行うものである。 4,819,500円 |
株式会社高純度化学研究所の届出情報(2件)
| 日付 公表組織 |
活動名称 / 活動対象 |
|---|---|
2017年11月29日 | 支店:株式会社高純度化学研究所 本社工場 PRTR届出データ / PRTR - 化学工業(経済産業大臣) |
- | 代表者:代表取締役 宝地戸 道雄 全省庁統一資格 / - |
株式会社高純度化学研究所の特許情報(19件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2022年07月05日 特許庁 / 特許 | 蒸発原料用容器及び固体気化供給システム FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/31 F |
2019年10月30日 特許庁 / 特許 | VO2焼結体の製造方法およびVO2焼結体スパッタリングターゲット FI分類-C09K 5/02, FI分類-C04B 35/495, FI分類-C23C 14/34 A |
2019年03月15日 特許庁 / 特許 | MgO-TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 FI分類-C04B 35/465, FI分類-C23C 14/34 A |
2019年03月07日 特許庁 / 特許 | 二酸化バナジウム薄膜の製造方法 FI分類-C01G 31/00, FI分類-C01G 31/02 |
2019年02月07日 特許庁 / 特許 | 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム FI分類-C23C 16/448, FI分類-C25F 3/16 D, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/31 F |
2019年02月07日 特許庁 / 特許 | 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。 FI分類-C23C 16/448, FI分類-C25F 3/16 D, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01L 21/31 F |
2018年12月06日 特許庁 / 特許 | ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法 FI分類-C23C 16/18, FI分類-H01L 21/285 C, FI分類-H01L 21/288 M, FI分類-C07F 17/00 CSP |
2018年07月20日 特許庁 / 特許 | 負熱膨張性マンガン窒化物微粒子群の製造方法およびマンガン窒化物微粒子群 FI分類-B02C 17/08, FI分類-C01G 45/00, FI分類-B02C 17/00 D, FI分類-C01B 21/06 Z |
2018年07月13日 特許庁 / 特許 | 金属薄膜の原子層堆積方法 FI分類-C23C 16/18, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/285 C, FI分類-H01L 21/285 301 |
2018年06月25日 特許庁 / 特許 | 蒸発原料用容器の製造方法 FI分類-C23C 16/448, FI分類-H01L 21/31 F |
2018年06月04日 特許庁 / 特許 | 化学蒸着用原料、ならびに、化学蒸着用原料入り遮光容器およびその製造方法 FI分類-C07F 17/00, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C07F 5/00 J |
2017年09月20日 特許庁 / 特許 | ガリウムを含有する薄膜の原子層堆積方法 FI分類-C23C 16/40, FI分類-H01L 21/205 |
2017年09月15日 特許庁 / 特許 | ニオブ酸カリウムナトリウム単結晶の製造方法 FI分類-C30B 11/02, FI分類-C30B 11/00 C, FI分類-C30B 29/30 A |
2017年02月28日 特許庁 / 特許 | セラミックス製スパッタリングターゲット及びその製造方法 FI分類-C04B 35/04, FI分類-C23C 14/34 A |
2016年12月02日 特許庁 / 特許 | 化学蒸着用原料及びその製造方法、並びに該化学蒸着用原料を用いて形成されるインジウムを含有する酸化物の膜の製造方法 FI分類-C23C 16/18, FI分類-C23C 16/40, FI分類-C30B 29/16, FI分類-H01B 13/00 503 B |
2015年09月08日 特許庁 / 特許 | スパッタリングターゲット FI分類-C04B 35/04 Z, FI分類-C23C 14/08 K, FI分類-C23C 14/34 A |
2015年08月18日 特許庁 / 特許 | 直流スパッタ用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 FI分類-H01B 1/02 Z, FI分類-C23C 14/34 A |
2015年08月11日 特許庁 / 特許 | 強誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 FI分類-C04B 35/00 P, FI分類-C04B 35/00 R, FI分類-C04B 35/46 K, FI分類-C04B 35/49 A, FI分類-C04B 35/64 E, FI分類-C23C 14/34 A, FI分類-H01L 21/316 Y |
2015年06月09日 特許庁 / 特許 | スパッタリングターゲット組立体 FI分類-C23C 14/34 C, FI分類-H01L 21/285 S |
株式会社高純度化学研究所の商標情報(2件)
| 日付 公表組織 / 種類 |
活動対象 / 分類等 |
|---|---|
2018年10月18日 特許庁 / 商標 | AcroStar 07類 |
2017年09月07日 特許庁 / 商標 | 日本テスコ 11類 |
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