グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社とは

名称の「株式会社」について(β版)

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の基本情報

項目	内容
商号又は名称	グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
商号又は名称（読み仮名）フリガナ	グローバルウェーハズジャパン
法人番号	9110001012818
会社法人等番号	1100-01-012818
登記所	新潟地方法務局 ※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号 ※2024年08月31日更新 インボイス番号	T9110001012818 ※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。 (2024年08月31日現在)
法人種別	株式会社
郵便番号	〒957-0101 ※地方自治体コードは 15307
国内所在地（都道府県）都道府県	新潟県 ※新潟県の法人数は 75,662件
国内所在地（市区町村）市区町村	北蒲原郡聖籠町 ※北蒲原郡聖籠町の法人数は 401件
国内所在地（丁目番地等）丁目番地	東港6丁目861番地5
国内所在地（1行表示）1行表示	新潟県北蒲原郡聖籠町東港6丁目861番地5
国内所在地（読み仮名）読み仮名	ニイガタケンキタカンバラグンセイロウマチヒガシコウ6チョウメ
代表者	代表取締役社長 神足 勝昭
従業員数	1,242人
電話番号TEL	025-256-3200
ホームページHP	https://www.sas-globalwafers.co.jp/
更新年月日更新日	2018年04月17日
変更年月日変更日	2018年01月05日
法人番号指定年月日指定日	2015年10月05日 ※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局	新潟労働局 〒950-8625 新潟県新潟市中央区美咲町1-2-1 新潟美咲合同庁舎2号館
管轄の労働基準監督署労働基準監督署	新発田労働基準監督署 〒957-8506 新潟県新発田市日渡96新発田地方合同庁舎

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の場所

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グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の登録履歴

日付	内容
2018年01月05日	【吸収合併】 平成30年1月1日新潟県北蒲原郡聖籠町東港六丁目861番地5GWafers合同会社(7011303001644)を合併
2015年10月05日	【新規登録】 名称が「グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社」で、「新潟県北蒲原郡聖籠町東港6丁目861番地5」に新規登録されました。

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の関連情報

項目	内容
情報名	グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
情報名 読み	グローバルウェーハズジャパン
住所	新潟県北蒲原郡聖籠町東港6丁目861-5
電話番号	025-256-3200

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の法人活動情報

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の調達情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2023年07月03日 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構	NEDO先導研究プログラム新産業・革新技術創出に向けた先導研究プログラム半導体プロセスメタファクトリーの基盤技術開発 29,161,000円

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の補助金情報(1件)

期間 公表組織	活動名称 / 活動対象 / 金額
2019年08月30日 資源エネルギー庁	電力需要の低減に資する設備投資支援事業費補助金 855,000円

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の表彰情報(2件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2024年09月16日 厚生労働省	えるぼし-認定
2017年12月04日 厚生労働省	両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の届出情報(4件)

日付 公表組織	活動名称 / 活動対象
2017年11月29日 経済産業省	支店:グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 徳山工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日 経済産業省	支店:グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社関川工場 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日 経済産業省	支店:グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日 経済産業省	支店:グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 小国結晶センター PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の特許情報(51件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2020年06月24日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 X
2020年05月28日 特許庁 / 特許	原料シリコンの充填方法 FI分類-C30B 15/02, FI分類-C30B 29/06 502 A
2020年03月12日 特許庁 / 特許	シリコン原料の洗浄装置 FI分類-C01B 33/037, FI分類-C01B 33/02 Z, FI分類-C30B 29/06 502 Z
2020年01月10日 特許庁 / 特許	エピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 25/20, FI分類-C30B 29/06 504 Z
2020年01月10日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/20, FI分類-C30B 29/06 502 Z
2019年12月27日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの研磨方法 FI分類-B24B 37/32, FI分類-B24B 55/06, FI分類-H01L 21/304 622 G, FI分類-H01L 21/304 622 N
2019年12月05日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F
2019年12月05日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハ及びその熱処理方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F
2019年11月06日 特許庁 / 特許	単結晶引上方法及び単結晶引上装置 FI分類-C30B 15/04, FI分類-C30B 29/06 502 H
2019年08月28日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 G
2019年07月31日 特許庁 / 特許	貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法 FI分類-B24B 7/22 Z, FI分類-H01L 21/02 B, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 601 B
2019年03月25日 特許庁 / 特許	電気特性測定装置及び電気特性測定方法 FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/66 Q
2019年03月25日 特許庁 / 特許	ギャップ制御方法及び電気特性測定方法 FI分類-G01R 27/26 C, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 21/66 Q
2019年01月18日 特許庁 / 特許	DLTS測定用電極の作製方法 FI分類-H01L 21/28 A, FI分類-H01L 21/28 B, FI分類-H01L 21/66 E, FI分類-H01L 29/48 M, FI分類-H01L 29/48 P
2018年12月17日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの極低酸素濃度測定方法 FI分類-G01N 21/35, FI分類-G01N 21/3563, FI分類-H01L 21/66 N
2018年10月15日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/324 X
2018年09月20日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 A
2018年09月06日 特許庁 / 特許	シリコン結晶の分析用試料の調製方法およびシリコン結晶中の微量不純物の定量方法 FI分類-G01N 31/02, FI分類-G01N 31/00 A, FI分類-G01N 31/00 Y
2018年08月30日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-C30B 29/06 502 B
2018年07月30日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/22 P, FI分類-H01L 21/225 Q, FI分類-H01L 21/225 R
2018年07月17日 特許庁 / 特許	三次元構造体の製造方法、縦型トランジスタの製造方法、および縦型トランジスタ用基板 FI分類-H01L 21/316 S, FI分類-H01L 29/78 301 X, FI分類-H01L 29/78 301 Y
2018年06月25日 特許庁 / 特許	エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 FI分類-C23C 16/24, FI分類-C30B 25/14, FI分類-C30B 25/16, FI分類-C23C 16/455, FI分類-H01L 21/205, FI分類-C30B 29/06 504 C
2018年04月26日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/324 X
2018年01月19日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 29/06 502 Z
2017年12月25日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの評価方法 FI分類-G01N 21/88 H, FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-G01N 21/956 A
2017年12月22日 特許庁 / 特許	金属汚染評価方法 FI分類-H01L 21/66 M
2017年11月08日 特許庁 / 特許	誘電体膜の電気伝導率測定装置 FI分類-G01N 27/00 Z, FI分類-G01R 31/26 B, FI分類-G01R 31/26 Z, FI分類-H01L 21/66 C, FI分類-H01L 21/66 Q
2017年11月08日 特許庁 / 特許	界面準位密度測定装置 FI分類-H01L 21/66 Q
2017年07月26日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの抵抗率測定方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/66 L
2017年05月10日 特許庁 / 特許	半導体ウェハの製造方法及び半導体ウェハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/324 X
2017年04月26日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶の製造方法 FI分類-C30B 15/22, FI分類-C30B 29/06 502 E, FI分類-C30B 29/06 502 J, FI分類-C30B 29/06 502 K
2017年02月27日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの平坦化処理方法 FI分類-C25F 3/30, FI分類-H01L 21/306 L, FI分類-H01L 21/306 M
2017年02月20日 特許庁 / 特許	スクラブ洗浄方法およびスクラブ洗浄装置 FI分類-H01L 21/304 644 B, FI分類-H01L 21/304 644 C
2017年02月10日 特許庁 / 特許	検量線の作成方法、炭素濃度測定方法及びシリコンウェハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 L
2017年01月11日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 Q
2017年01月11日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハ FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-H01L 21/322 Y, FI分類-H01L 21/324 Q, FI分類-H01L 21/324 X, FI分類-C30B 29/06 502 Z
2016年09月08日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶の製造方法及び改質処理後のシリコン単結晶製造用石英ルツボ FI分類-C30B 15/10, FI分類-C03B 20/00 H, FI分類-C30B 29/06 502 B
2016年06月01日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-H01L 21/26 F, FI分類-H01L 21/322 Y
2016年04月27日 特許庁 / 特許	金属汚染濃度分析方法 FI分類-G01N 27/04 Z, FI分類-H01L 21/66 C, FI分類-H01L 21/66 N
2016年04月27日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハ FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-H01L 21/322 Y
2016年04月26日 特許庁 / 特許	低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法 FI分類-H01L 21/66 N, FI分類-H01L 21/308 B
2016年04月04日 特許庁 / 特許	半導体基板の保護膜形成方法 FI分類-H01L 21/304 622 G, FI分類-H01L 21/304 622 P
2015年04月01日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの製造方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y
2015年01月05日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハ及びその製造方法 FI分類-C30B 31/08, FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 502 H
2014年12月26日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハ熱処理用支持治具 FI分類-H01L 21/26 Q, FI分類-H01L 21/68 N
2014年10月02日 特許庁 / 特許	サセプタの洗浄方法 FI分類-H01L 21/205, FI分類-C23C 16/44 J, FI分類-H01L 21/302 101 H
2014年09月05日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶製造方法 FI分類-C30B 15/00 Z, FI分類-C30B 29/06 502 K
2014年08月26日 特許庁 / 特許	シリコン単結晶 FI分類-C30B 29/06 A, FI分類-C30B 29/06 502 H
2014年05月23日 特許庁 / 特許	検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法 FI分類-H01L 21/66 L
2014年04月11日 特許庁 / 特許	シリコンウェーハの熱処理方法 FI分類-C30B 33/02, FI分類-C30B 29/06 B, FI分類-H01L 21/322 Y
2014年03月07日 特許庁 / 特許	飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法 FI分類-G01N 21/64 Z, FI分類-H01L 21/66 L, FI分類-H01L 29/78 655 Z, FI分類-H01L 29/78 658 L

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の商標情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2017年02月21日 特許庁 / 商標	GW∞GlobalWafers Co.,Ltd.＼環球晶圓股▲ふん▼有限公司 01類, 09類, 40類

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の意匠情報(1件)

日付 公表組織 / 種類	活動対象 / 分類等
2023年04月06日 特許庁 / 意匠	縦型ウエハボート用ガス整流器 意匠新分類-K0790

グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社の職場情報

項目	データ
企業規模	1,242人
平均勤続年数 範囲 その他	男性 19.4年 / 女性 16.6年

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