ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社とは

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社(ヌヴォトンテクノロジージャパン)は、法人番号:9130001052770で京都府長岡京市神足焼町1番地に所在する法人として京都地方法務局で法人登録され、2015年10月05日に法人番号が指定されました。代表者は、取締役社長小山一弘。従業員数は1,648人。登録情報として、調達情報が2件補助金情報が2件表彰情報が2件届出情報が4件特許情報が183件商標情報が4件意匠情報が1件職場情報が1件が登録されています。なお、2020年09月02日に法人番号公表サイトでは登録情報が変更されています。法人番号公表サイトでの最終更新日は2024年07月18日です。
インボイス番号:T9130001052770については、2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されています。
この地域の労働局は京都労働局。京都下労働基準監督署が所轄の労働基準監督署です。
 

名称の「株式会社」について(β版)

株式会社は、法人格を持つ組織形態の一つであり、株主が出資することによって設立されます。株式会社は、株主の出資額に応じた株式を発行し、経営を行います。株主は株式を所有することで、会社の経営に参加する権利を持ちます。また、株式会社は独立した法的存在であり、株主の責任は出資額に限定されます。株式会社は、経営の安定性や資金調達の容易さなどの利点を持ち、多くの企業がこの形態を選択しています。

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の基本情報

項目 内容
商号又は名称 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社
商号又は名称(読み仮名)フリガナ ヌヴォトンテクノロジージャパン
法人番号 9130001052770
会社法人等番号 1300-01-052770
登記所 京都地方法務局
※法人設立時に登記が提出された登記所を表示しています。
インボイス登録番号
※2025年07月31日更新
インボイス番号
T9130001052770
※2023年10月01日に適格請求書発行事業者として登録されました。
(2025年07月31日現在)
法人種別 株式会社
郵便番号 〒617-0833
※地方自治体コードは 26209
国内所在地(都道府県)都道府県 京都府
※京都府の法人数は 112,535件
国内所在地(市区町村)市区町村 長岡京市
※長岡京市の法人数は 1,974件
国内所在地(丁目番地等)丁目番地 神足焼町1番地
国内所在地(1行表示)1行表示 京都府長岡京市神足焼町1番地
国内所在地(読み仮名)読み仮名 -
代表者 取締役社長 小山 一弘
従業員数 1,648人
ホームページHP https://www.nuvoton.co.jp/
更新年月日更新日 2024年07月18日
変更年月日変更日 2020年09月02日
法人番号指定年月日指定日 2015年10月05日
※2015年10月05日以前に設立された法人は、全て2015年10月05日で表示されます。
管轄の労働局労働局 京都労働局
〒604-0846 京都府京都市中京区両替町通御池上ル金吹町451
管轄の労働基準監督署労働基準監督署 京都下労働基準監督署
〒600-8009 京都府京都市下京区四条通室町東入 函谷鉾町101 アーバンネット四条烏丸ビル5階

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の場所

GoogleMapで見る

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の登録履歴

日付 内容
2020年09月02日
【名称変更】
名称が「ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社」に変更されました。
2015年10月05日
【新規登録】
名称が「パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社」で、「京都府長岡京市神足焼町1番地」に新規登録されました。

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の法人活動情報

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の調達情報(2件)

期間
公表組織
活動名称 / 活動対象 / 金額
2020年10月01日
超高圧水素インフラ本格普及技術研究開発事業/水素ステーションのコスト低減等に関連する技術開発/新型半導体メモリ方式による超低消費電力水素検知センサシステムの研究開発
91,647,600円
2017年07月28日
IoT推進のための横断技術開発プロジェクト複製不可能デバイスを活用したIoTハードウェアセキュリティ基盤の研究開発
118,779,480円

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の補助金情報(2件)

期間
公表組織
活動名称 / 活動対象 / 金額
2022年04月25日
令和3年度産業技術実用化開発事業費補助金(サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金)二次公募(ヌヴォトン2)
19,397,998円
2022年04月01日
令和3年度産業技術実用化開発事業費補助金(サプライチェーン上不可欠性の高い半導体の生産設備の脱炭素化・刷新事業費補助金)一次公募(ヌヴォトン)
112,918,896円

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の表彰情報(2件)

日付
公表組織
活動名称 / 活動対象
2017年12月04日
女性の活躍推進企業
2017年12月04日
両立支援のひろば 一般事業主行動計画公表

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の届出情報(4件)

日付
公表組織
活動名称 / 活動対象
2017年11月29日
支店:パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 亀岡事業場
PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日
支店:パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社 砺波地区
PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日
支店:パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 魚津地区
PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)
2017年11月29日
支店:パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社 新井地区
PRTR届出データ / PRTR - 電気機械器具製造業(経済産業大臣)

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の特許情報(183件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2023年07月10日
特許庁 / 特許
蓄電パック、半導体装置、および、半導体装置の製造方法
FI分類-H01G 17/00, FI分類-H01M 50/284, FI分類-H01L 25/00 B
2023年04月26日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 658 J
2023年02月15日
特許庁 / 特許
半導体装置および半導体装置の製造方法
FI分類-H01L 29/80 H
2023年02月10日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 J, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 658 G
2023年01月18日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 652 C, FI分類-H01L 29/78 652 N, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 658 B
2022年09月27日
特許庁 / 特許
製造方法および半導体装置
FI分類-H01L 29/90 D, FI分類-H01L 29/78 652 N, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 657 A, FI分類-H01L 29/78 658 F, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 29/78 658 Z
2022年07月21日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 N, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C
2022年07月21日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/58 Z, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 M, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 F
2022年07月21日
特許庁 / 特許
可変容量素子
FI分類-H01L 27/04 C, FI分類-H01L 27/04 V, FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/44 Y
2022年07月06日
特許庁 / 特許
半導体装置及びレーザマーキング方法
FI分類-B23K 26/00 B, FI分類-H01L 21/02 A, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A
2022年06月21日
特許庁 / 特許
物体検知装置および物体検知方法
FI分類-G01S 17/894
2022年06月08日
特許庁 / 特許
物体検知装置、物体検知方法およびプログラム
FI分類-G01S 17/894, FI分類-G01S 17/931, FI分類-G01S 7/4914, FI分類-G08G 1/16 C
2022年06月08日
特許庁 / 特許
測距装置および測距方法
FI分類-H04N 5/369, FI分類-G01S 17/894, FI分類-H04N 5/3728, FI分類-G01C 3/06 140, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2022年03月25日
特許庁 / 特許
半導体装置、電池保護回路、および、パワーマネージメント回路
FI分類-H02J 7/00 H, FI分類-H01M 10/42 P, FI分類-H01M 10/44 P, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 655 C, FI分類-H01L 29/78 655 G, FI分類-H01L 29/78 656 A
2022年03月25日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H02J 7/00 S, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 655 C, FI分類-H01L 29/78 655 G, FI分類-H01L 29/78 656 A
2022年02月17日
特許庁 / 特許
高周波電力増幅装置
FI分類-H03F 3/24, FI分類-H03F 1/02 188
2022年02月10日
特許庁 / 特許
半導体装置および半導体モジュール
FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A
2022年02月10日
特許庁 / 特許
半導体装置および半導体モジュール
FI分類-H01L 29/78 652 K, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A
2021年10月21日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 657 D
2021年09月17日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 652 D, FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A
2021年05月24日
特許庁 / 特許
半導体装置および半導体装置の製造方法
FI分類-H01L 29/44 P, FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/78 301 B
2021年05月12日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-G01R 31/389, FI分類-H01M 10/44 P, FI分類-H01M 10/48 P, FI分類-H02J 7/00 302 A, FI分類-H01L 27/06 102 A, FI分類-H01L 29/78 301 D
2021年05月12日
特許庁 / 特許
電力増幅用半導体装置
FI分類-H01L 29/44 S, FI分類-H01L 29/44 Y, FI分類-H01L 29/50 J, FI分類-H01L 29/80 F, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 21/28 301 B, FI分類-H01L 29/06 301 F
2021年04月09日
特許庁 / 特許
電力増幅装置
FI分類-H03F 1/30, FI分類-H03F 3/21, FI分類-H03F 1/02 188, FI分類-H01L 27/06 102 A
2021年03月26日
特許庁 / 特許
情報処理方法、プログラム、情報処理システム
FI分類-G01S 17/894
2021年02月17日
特許庁 / 特許
個片化方法
FI分類-H01L 21/78 B, FI分類-H01L 21/78 M
2020年12月28日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-G01S 7/484, FI分類-H01S 5/183, FI分類-G01S 7/481 Z, FI分類-H01S 5/026 650, FI分類-H01L 29/78 653 A
2020年11月12日
特許庁 / 特許
光照射装置
FI分類-H05B 45/10, FI分類-H05B 45/20, FI分類-B60Q 1/04 E, FI分類-B60Q 1/24 B, FI分類-F21W 102:13, FI分類-F21W 102:17, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-H05B 47/125, FI分類-H05B 47/155, FI分類-H05B 47/165, FI分類-F21W 131:103, FI分類-F21W 131:105, FI分類-F21V 23/00 115, FI分類-F21Y 115:10 500
2020年10月20日
特許庁 / 特許
個片化方法
FI分類-H01L 21/68 T, FI分類-H01L 21/78 B, FI分類-H01L 21/78 Q, FI分類-H01L 21/304 631, FI分類-H01L 21/304 645, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 21/304 643 A
2020年10月20日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 21/78 B, FI分類-H01L 21/78 F, FI分類-H01L 21/304 645, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 658 Z, FI分類-H01L 21/304 643 A
2020年09月30日
特許庁 / 特許
電磁弁駆動装置
FI分類-F02D 41/20, FI分類-H01F 7/18 D, FI分類-F02M 51/00 G, FI分類-F02M 51/06 M, FI分類-F16K 31/06 310 A, FI分類-F16K 31/06 385 A
2020年05月18日
特許庁 / 特許
照明パネル及び照明装置
FI分類-F21V 7/28, FI分類-G09F 9/33, FI分類-H01L 33/58, FI分類-F21Y 105:14, FI分類-F21Y 113:17, FI分類-F21S 2/00 482, FI分類-F21S 2/00 484, FI分類-F21S 8/02 410, FI分類-F21V 3/00 320, FI分類-F21V 3/00 530, FI分類-F21V 7/00 530, FI分類-F21V 7/28 210, FI分類-G09F 9/00 313, FI分類-F21Y 115:10 500
2020年05月14日
特許庁 / 特許
半導体発光装置
FI分類-H01L 33/36, FI分類-H01L 33/62
2020年05月14日
特許庁 / 特許
半導体発光素子及び半導体発光装置
FI分類-H01L 33/38, FI分類-H01L 33/62
2020年05月14日
特許庁 / 特許
測距撮像装置
FI分類-G01S 17/894
2020年03月31日
特許庁 / 特許
半導体レーザ素子
FI分類-H01S 5/16
2020年03月30日
特許庁 / 特許
発光装置
FI分類-F21V 9/30, FI分類-H01L 33/54, FI分類-H01L 33/58, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-H01L 23/28 D
2020年03月30日
特許庁 / 特許
発光装置
FI分類-H01L 33/50, FI分類-H01L 33/54, FI分類-H01L 33/60
2020年03月24日
特許庁 / 特許
抵抗素子及び電力増幅回路
FI分類-H03F 3/21, FI分類-H01L 27/095, FI分類-H01L 27/04 P, FI分類-H01L 27/04 R, FI分類-H01L 27/04 V, FI分類-H01L 27/06 F, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 R, FI分類-H01L 29/06 301 F
2020年03月24日
特許庁 / 特許
電力増幅装置
FI分類-H03F 3/213, FI分類-H01L 23/36 C, FI分類-H03F 1/30 210
2020年03月24日
特許庁 / 特許
モノリシック半導体装置およびハイブリッド半導体装置
FI分類-H01L 27/06 F
2020年03月10日
特許庁 / 特許
撮像装置及びバラつき情報算出方法
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01S 7/486
2020年02月17日
特許庁 / 特許
光源装置
FI分類-H01S 5/062, FI分類-H01S 5/068
2020年02月10日
特許庁 / 特許
撮像装置及び距離情報算出方法
FI分類-G01S 7/486
2020年01月28日
特許庁 / 特許
半導体レーザモジュール
FI分類-H01S 5/02255, FI分類-H01S 5/02325
2020年01月23日
特許庁 / 特許
気体センサの駆動方法及び気体検出装置
FI分類-G01N 27/12 A
2020年01月14日
特許庁 / 特許
気体センサとその製造方法、および燃料電池自動車
FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/04 H, FI分類-H01M 8/04 N, FI分類-H01M 8/04 Z, FI分類-G01N 27/12 B, FI分類-G01N 27/12 C
2019年12月25日
特許庁 / 特許
高周波増幅器
FI分類-H03F 1/42, FI分類-H03F 3/24, FI分類-H03F 3/60, FI分類-H03F 1/02 188
2019年12月24日
特許庁 / 特許
半導体発光素子
FI分類-H01S 5/20 610, FI分類-H01S 5/343 610
2019年12月17日
特許庁 / 特許
測距撮像装置
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01S 7/486, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2019年12月11日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 25/04 C, FI分類-H01L 29/90 S, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 N, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 657 B, FI分類-H01L 29/78 657 G
2019年12月11日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/90 S, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 657 E, FI分類-H01L 29/78 657 G
2019年11月29日
特許庁 / 特許
電池監視制御回路
FI分類-H02J 7/02 H, FI分類-G01R 19/00 B, FI分類-H01M 10/48 P
2019年11月25日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 33/38, FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 21/60 311 Q
2019年11月25日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 21/60 311 Q, FI分類-H01L 21/92 602 J
2019年11月25日
特許庁 / 特許
窒化物系半導体発光素子及びその製造方法、並びに、窒化物系半導体結晶の製造方法
FI分類-H01S 5/22, FI分類-C23C 16/34, FI分類-C23C 16/56, FI分類-H01L 33/32, FI分類-H01L 21/205, FI分類-H01S 5/343 610
2019年11月15日
特許庁 / 特許
半導体レーザ装置
FI分類-H01S 5/22, FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/042 612
2019年11月13日
特許庁 / 特許
窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
FI分類-H01S 5/22, FI分類-H01L 33/32, FI分類-H01S 5/343 610
2019年11月08日
特許庁 / 特許
光源ユニット、照明装置、加工装置及び偏向素子
FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01S 5/02, FI分類-H01S 5/40, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-G02B 5/00 C, FI分類-F21S 2/00 340
2019年09月06日
特許庁 / 特許
半導体発光装置
FI分類-H01L 33/38
2019年09月06日
特許庁 / 特許
測距撮像装置、及び固体撮像素子
FI分類-G01S 17/36, FI分類-H01L 27/146 A, FI分類-H01L 27/148 B
2019年08月27日
特許庁 / 特許
管理システム、及び、セル監視回路
FI分類-H02J 7/00 X, FI分類-H02J 7/02 H, FI分類-H02J 7/02 J, FI分類-H02J 13/00 B
2019年08月05日
特許庁 / 特許
半導体発光装置
FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01L 23/12 S
2019年07月31日
特許庁 / 特許
撮像装置、それに用いられる固体撮像素子及び撮像方法
FI分類-G01S 7/486
2019年07月19日
特許庁 / 特許
半導体レーザ素子、検査方法及び検査装置
FI分類-H01S 5/02, FI分類-H01S 5/16
2019年07月16日
特許庁 / 特許
半導体レーザ素子
FI分類-H01S 5/343
2019年07月05日
特許庁 / 特許
情報処理システム、センサシステム、情報処理方法及びプログラム
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01S 7/481 A
2019年06月18日
特許庁 / 特許
固体撮像装置および内視鏡カメラ
FI分類-H04N 5/369
2019年06月18日
特許庁 / 特許
距離測定装置および信頼性判定方法
FI分類-G02B 7/32, FI分類-G01S 7/497, FI分類-G03B 13/36, FI分類-H04N 5/225 600, FI分類-H04N 5/235 300
2019年06月11日
特許庁 / 特許
生体状態検出装置および生体状態検出方法
FI分類-A61B 5/08, FI分類-A61B 5/18, FI分類-A61B 5/11 120, FI分類-A61B 5/16 130, FI分類-A61B 5/02 310 B, FI分類-A61B 5/1171 200, FI分類-A61B 5/0245 100 B
2019年05月31日
特許庁 / 特許
マルチパス検出装置およびマルチパス検出方法
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01S 7/497, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2019年05月29日
特許庁 / 特許
白色発光装置
FI分類-H01L 33/50, FI分類-H05B 45/00, FI分類-F21S 41/125, FI分類-F21S 41/153, FI分類-F21W 102:20, FI分類-F21Y 115:10
2019年05月27日
特許庁 / 特許
集積回路、電池監視装置、及び、電池監視システム
FI分類-H02J 7/00 Q, FI分類-H01M 10/48 P, FI分類-G01R 19/00 ZHVB
2019年05月24日
特許庁 / 特許
半導体レーザモジュール及びレーザ加工装置
FI分類-G02B 6/42, FI分類-H01S 5/40, FI分類-H01S 5/022
2019年03月14日
特許庁 / 特許
距離情報取得装置、マルチパス検出装置およびマルチパス検出方法
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01S 7/497
2019年02月22日
特許庁 / 特許
試料分割方法、半導体素子の製造方法及び半導体素子
FI分類-H01S 5/02, FI分類-B23K 26/364, FI分類-H01L 21/78 V
2019年02月21日
特許庁 / 特許
電圧測定装置、電圧検出回路、及び電圧検出方法
FI分類-G01R 31/396
2019年02月21日
特許庁 / 特許
電圧測定装置、電圧検出回路、及びデバイスアドレス生成方法
FI分類-H02J 7/02 H, FI分類-G01R 19/00 B, FI分類-H01M 10/42 P, FI分類-H01M 10/48 P, FI分類-H02J 13/00 301 A
2019年02月20日
特許庁 / 特許
マトリクスコンバータ制御装置、及び、電力変換システム
FI分類-H02M 5/297, FI分類-H02M 5/293 Z
2019年01月28日
特許庁 / 特許
半導体発光素子
FI分類-H01S 5/323 610
2019年01月17日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-B23K 26/00 B, FI分類-H01L 21/78 F, FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 29/80 C, FI分類-H01L 29/80 H, FI分類-H01L 29/80 V, FI分類-H01L 27/088 B, FI分類-H01L 27/088 E, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 29/06 301 M, FI分類-H01L 29/06 301 V, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 T, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A
2019年01月17日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 29/50 M, FI分類-H01L 21/28 301 R, FI分類-H01L 21/92 602 A, FI分類-H01L 29/78 652 F, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 658 L
2018年12月26日
特許庁 / 特許
抵抗変化型不揮発性記憶素子及びそれを用いた抵抗変化型不揮発性記憶装置
FI分類-H01L 45/00 Z, FI分類-H01L 49/00 Z, FI分類-H01L 27/105 448
2018年12月25日
特許庁 / 特許
高周波電力増幅器
FI分類-H03F 1/30, FI分類-H03F 3/24
2018年12月20日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 33/38, FI分類-H01L 33/40, FI分類-H01L 33/48, FI分類-C04B 35/581, FI分類-H01L 21/88 R, FI分類-H01L 21/88 T, FI分類-H01L 21/288 E, FI分類-H01L 21/60 311 S, FI分類-H01L 21/92 602 D
2018年12月20日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 33/36, FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 21/92 602 D, FI分類-H01L 21/92 602 H
2018年12月14日
特許庁 / 特許
燃料噴射弁駆動装置
FI分類-F02D 41/34 E, FI分類-F02M 51/00 F, FI分類-F02M 51/06 M, FI分類-F02D 41/20 330, FI分類-F02M 65/00 306 A
2018年12月11日
特許庁 / 特許
半導体集積回路
FI分類-H03K 3/3562, FI分類-G01R 31/28 G, FI分類-G01R 31/28 V, FI分類-H03K 3/037 B
2018年12月10日
特許庁 / 特許
半導体装置及び半導体装置の製造方法
FI分類-H01L 23/28 D, FI分類-H01L 25/04 Z
2018年11月09日
特許庁 / 特許
固体撮像装置
FI分類-H04N 5/378, FI分類-H03M 1/12 B
2018年11月08日
特許庁 / 特許
窒化物半導体レーザ素子及び照明光源モジュール
FI分類-H01S 5/028, FI分類-H01S 5/343 610
2018年11月06日
特許庁 / 特許
固体撮像装置、及びAB級スーパーソースフォロワ
FI分類-H04N 5/378
2018年11月06日
特許庁 / 特許
固体撮像装置、撮像システム
FI分類-H03M 1/56, FI分類-H04N 5/378
2018年11月02日
特許庁 / 特許
ノイズ除去装置
FI分類-H04B 1/10 L, FI分類-H04N 21/426
2018年11月02日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/06 301 F, FI分類-H01L 29/78 301 D, FI分類-H01L 29/78 616 A, FI分類-H01L 29/78 617 K, FI分類-H01L 29/78 626 C
2018年10月31日
特許庁 / 特許
通信システム、受信装置及び通信方法
FI分類-H04B 1/04 A, FI分類-H04B 1/16 M
2018年10月29日
特許庁 / 特許
不揮発性メモリ装置およびその書込み方法
FI分類-G06F 21/75, FI分類-G06F 21/79, FI分類-G11C 13/00 420, FI分類-H04L 9/00 621 Z
2018年10月26日
特許庁 / 特許
撮像モジュール
FI分類-A61B 1/04 530, FI分類-H01L 27/146 A, FI分類-H01L 27/146 D
2018年10月26日
特許庁 / 特許
電源保護回路
FI分類-H02H 3/02 A, FI分類-H02H 7/20 D
2018年09月05日
特許庁 / 特許
センサ装置および気体監視システム
FI分類-G01M 3/20 L, FI分類-G01D 21/00 Q, FI分類-G08C 15/00 D, FI分類-G08C 17/00 Z
2018年08月28日
特許庁 / 特許
電圧検出回路
FI分類-H02J 7/02 H, FI分類-H01M 10/48 P
2018年08月28日
特許庁 / 特許
電圧検出回路
FI分類-G01R 19/10, FI分類-H02J 7/00 X, FI分類-H02J 7/02 H, FI分類-G01R 19/00 B, FI分類-H01M 10/48 P
2018年08月20日
特許庁 / 特許
半導体モジュールおよびその製造方法
FI分類-H01L 33/64, FI分類-H01L 23/32 D
2018年08月15日
特許庁 / 特許
光源装置及び投光装置
FI分類-H01L 33/58, FI分類-H01L 33/60, FI分類-F21Y 115:10, FI分類-F21V 5/00 510, FI分類-F21V 7/00 590, FI分類-F21V 19/00 150, FI分類-F21V 19/00 170
2018年08月01日
特許庁 / 特許
半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子
FI分類-H01S 5/02
2018年07月31日
特許庁 / 特許
生体信号計測装置、及び、制御方法
FI分類-B60N 2/90, FI分類-B62D 1/06, FI分類-A61B 5/0245 C, FI分類-A61B 5/04 310 A
2018年07月20日
特許庁 / 特許
気体センサ、気体検知装置、燃料電池自動車および気体センサの製造方法
FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/04 H, FI分類-H01M 8/04 Z, FI分類-G01N 27/12 B, FI分類-G01N 27/12 C, FI分類-G01N 27/12 M
2018年07月18日
特許庁 / 特許
半導体装置および半導体モジュール
FI分類-H01L 23/12 Q, FI分類-H01L 27/088 A, FI分類-H01L 21/60 311 Q, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 656 A
2018年06月26日
特許庁 / 特許
不揮発性記憶装置、及び駆動方法
FI分類-G11C 13/00 215, FI分類-G11C 13/00 340, FI分類-G11C 13/00 500, FI分類-G11C 13/00 480 C, FI分類-G11C 13/00 480 J, FI分類-G11C 13/00 480 K
2018年06月26日
特許庁 / 特許
サブマウント、半導体レーザ装置及び熱アシストハードディスク装置
FI分類-H01S 5/022, FI分類-G11B 5/02 T, FI分類-G11B 5/31 Z
2018年05月24日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 29/78 301 D, FI分類-H01L 29/78 616 S, FI分類-H01L 29/78 616 T, FI分類-H01L 29/78 617 S, FI分類-H01L 29/78 618 Z, FI分類-H01L 29/78 626 C
2018年04月20日
特許庁 / 特許
波長変換素子、発光装置及び照明装置
FI分類-F21V 7/30, FI分類-F21V 9/38, FI分類-F21S 41/176, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-G03B 21/14 A, FI分類-F21S 2/00 311
2018年04月17日
特許庁 / 特許
ノイズキャンセル回路及びデータ伝送回路
FI分類-H03K 17/16 F, FI分類-H03M 9/00 200
2018年04月12日
特許庁 / 特許
固体撮像装置および撮像装置
FI分類-H04N 5/369, FI分類-H04N 5/374, FI分類-H04N 5/378, FI分類-H01L 27/146 D
2018年04月12日
特許庁 / 特許
窒化物系発光装置
FI分類-H01S 5/022, FI分類-H01S 5/024, FI分類-H01S 5/343 610
2018年04月12日
特許庁 / 特許
窒化物系発光装置
FI分類-H01S 5/16, FI分類-H01S 5/22, FI分類-H01S 5/0234, FI分類-H01S 5/343 610
2018年03月23日
特許庁 / 特許
窒化物半導体発光素子の製造方法
FI分類-H01S 5/02, FI分類-H01L 21/78 B, FI分類-H01S 5/343 610
2018年03月23日
特許庁 / 特許
窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光装置
FI分類-H01S 5/24, FI分類-H01L 21/78 L, FI分類-H01L 21/78 Q, FI分類-H01L 21/78 T, FI分類-H01S 5/343 610
2018年03月19日
特許庁 / 特許
波長変換素子及び発光装置
FI分類-F21V 7/30, FI分類-G02B 5/20, FI分類-F21S 41/16, FI分類-H01S 5/022, FI分類-F21S 41/176, FI分類-F21Y 115:30
2018年02月27日
特許庁 / 特許
固体撮像装置、およびそれを用いるカメラシステム
FI分類-H03M 1/56, FI分類-H04N 5/378
2018年02月27日
特許庁 / 特許
固体撮像装置、およびそれを用いるカメラシステム
FI分類-H04N 5/378
2018年02月27日
特許庁 / 特許
半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール、溶接用レーザ光源システム、及び、半導体レーザ装置の製造方法
FI分類-H01S 5/22, FI分類-H01S 5/20 610
2018年02月27日
特許庁 / 特許
ノイズ除去回路
FI分類-H03H 11/24 A
2018年02月27日
特許庁 / 特許
クロックリカバリシステム
FI分類-H04L 7/033 700
2018年02月26日
特許庁 / 特許
行動監視システム、及び、行動監視方法
FI分類-A61G 12/00 E
2017年12月21日
特許庁 / 特許
半導体装置
FI分類-H01L 21/78 L, FI分類-H01L 29/78 652 L, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 652 S, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 658 G, FI分類-H01L 29/78 658 K
2017年12月18日
特許庁 / 特許
気体検出装置、気体検出システム、燃料電池自動車、及び気体検出方法
FI分類-B60K 8/00, FI分類-G01M 3/16 Z, FI分類-G01M 3/20 L, FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/04 Z, FI分類-H01M 8/0444, FI分類-G01N 27/12 A
2017年12月18日
特許庁 / 特許
気体検出装置、気体センサシステム、燃料電池自動車、及び水素検出方法
FI分類-B60K 8/00, FI分類-B60L 50/70, FI分類-B60L 58/30, FI分類-B60K 1/04 Z, FI分類-B60L 3/00 N, FI分類-G01M 3/16 Z, FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/04 H, FI分類-H01M 8/0444, FI分類-G01N 27/12 A, FI分類-H01M 8/04537, FI分類-H01M 8/04858
2017年12月14日
特許庁 / 特許
ノイズ抑圧装置、ノイズ抑圧方法、及びこれらを用いた受信装置、受信方法
FI分類-H04B 1/10 L
2017年12月08日
特許庁 / 特許
水素検出装置、燃料電池自動車、水素漏洩監視システム、複合センサモジュール、水素検出方法、およびプログラム
FI分類-B60K 1/04, FI分類-B60K 8/00, FI分類-G01M 3/16 Z, FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/04 Z, FI分類-H01M 8/0444, FI分類-G01N 27/12 B
2017年11月30日
特許庁 / 特許
固体撮像装置および撮像装置
FI分類-H04N 5/235 500, FI分類-H04N 5/235 700, FI分類-H04N 5/355 630, FI分類-H04N 5/355 810
2017年11月30日
特許庁 / 特許
固体撮像装置、及びそれを用いる撮像装置
FI分類-H04N 5/374, FI分類-H04N 5/378, FI分類-H04N 5/357 500
2017年11月27日
特許庁 / 特許
距離測定装置
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01C 3/06 140, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2017年11月16日
特許庁 / 特許
固体撮像装置及び測距撮像装置
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01S 7/486, FI分類-H04N 5/3728, FI分類-G01C 3/06 140, FI分類-H01L 27/146 D, FI分類-H01L 27/148 B, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2017年11月14日
特許庁 / 特許
パルス周波数制御回路、マイコン、DCDCコンバータ、及びパルス周波数制御方法
FI分類-H02M 3/28 H, FI分類-H03K 3/02 J
2017年10月30日
特許庁 / 特許
光源装置
FI分類-H01S 5/06, FI分類-H01S 5/022, FI分類-B60Q 1/04 E, FI分類-H05B 37/02 G, FI分類-H05B 37/02 J, FI分類-H05B 37/02 K, FI分類-B60Q 11/00 625, FI分類-F21V 19/00 150, FI分類-F21V 19/00 450, FI分類-B60Q 11/00 620 A
2017年08月23日
特許庁 / 特許
スイッチング電源装置および半導体装置
FI分類-H02M 3/28 C, FI分類-H02M 3/28 K
2017年08月23日
特許庁 / 特許
スイッチング電源装置および半導体装置
FI分類-H02M 3/28 H
2017年08月23日
特許庁 / 特許
スイッチング電源装置および半導体装置
FI分類-H02M 3/28 E, FI分類-H02M 3/28 H
2017年08月01日
特許庁 / 特許
半導体装置、および半導体パッケージ装置
FI分類-H01L 25/04 C, FI分類-H01L 21/60 311 S, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 M, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 A, FI分類-H01L 29/78 656 A
2017年08月01日
特許庁 / 特許
半導体装置、および半導体モジュール
FI分類-H02J 7/00 A, FI分類-H01L 25/04 C, FI分類-H01L 21/60 311 S, FI分類-H01L 29/78 652 G, FI分類-H01L 29/78 652 Q, FI分類-H01L 29/78 653 C, FI分類-H01L 29/78 656 A, FI分類-H01L 29/78 657 G
2017年07月21日
特許庁 / 特許
スイッチングレギュレータ
FI分類-H02M 3/155 K
2017年07月21日
特許庁 / 特許
スイッチング電源装置および半導体装置
FI分類-H02M 3/28 C
2017年06月16日
特許庁 / 特許
半導体レーザ装置、半導体レーザモジュール及び溶接用レーザ光源システム
FI分類-H01S 5/40, FI分類-H01S 5/343
2017年06月02日
特許庁 / 特許
測距システム及び測距方法
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2017年05月09日
特許庁 / 特許
画像偽造防止装置
FI分類-G09C 5/00, FI分類-G06F 21/64, FI分類-H04N 5/225 600, FI分類-H04N 5/232 290, FI分類-H04L 9/00 621 Z, FI分類-H04L 9/00 675 Z
2017年05月01日
特許庁 / 特許
不揮発性メモリ装置
FI分類-G11C 13/00 420, FI分類-G11C 13/00 400 B, FI分類-G11C 13/00 400 F
2017年04月27日
特許庁 / 特許
光源装置及び照明装置
FI分類-F21K 9/64, FI分類-F21V 7/30, FI分類-F21V 9/35, FI分類-G02B 5/20, FI分類-F21S 41/16, FI分類-F21S 41/20, FI分類-F21S 41/25, FI分類-H01S 5/022, FI分類-F21S 41/125, FI分類-F21S 41/176, FI分類-F21W 102:00, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-F21S 2/00 311
2017年04月27日
特許庁 / 特許
光源装置及び照明装置
FI分類-F21V 7/30, FI分類-F21V 9/20, FI分類-F21V 9/35, FI分類-F21V 9/38, FI分類-H05B 45/12, FI分類-H05B 45/22, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-F21S 2/00 350, FI分類-F21V 23/00 113, FI分類-F21V 23/00 140
2017年04月04日
特許庁 / 特許
窒化物系発光素子
FI分類-H01S 5/042 610, FI分類-H01S 5/343 610
2017年03月22日
特許庁 / 特許
不揮発性メモリ装置及び集積回路カード
FI分類-G06F 7/58, FI分類-G11C 13/00 420, FI分類-G09C 1/00 650 B, FI分類-H04L 9/00 621 Z
2017年03月22日
特許庁 / 特許
レギュレータ回路
FI分類-G05F 1/56 310 L
2017年03月17日
特許庁 / 特許
気体検出装置及び気体検出方法
FI分類-G01N 27/04 L, FI分類-G01N 27/12 B
2017年03月17日
特許庁 / 特許
気体検出装置及び気体検出方法
FI分類-G01N 27/04 L, FI分類-G01N 27/12 B
2017年03月17日
特許庁 / 特許
気体センサ装置、気体センサモジュール、及び気体検知方法
FI分類-G01N 27/12 D
2017年03月07日
特許庁 / 特許
レギュレータ回路および半導体記憶装置
FI分類-G05F 1/56 310 A
2017年03月01日
特許庁 / 特許
認証装置および認証方法
FI分類-G06F 21/44, FI分類-G06F 21/73, FI分類-G06F 21/60 320, FI分類-G11C 13/00 215, FI分類-G11C 13/00 420, FI分類-H04L 9/00 621 Z, FI分類-H04L 9/00 673 B
2017年02月13日
特許庁 / 特許
固体撮像装置および撮像装置
FI分類-H04N 5/357 700
2017年02月13日
特許庁 / 特許
固体撮像装置および撮像装置
FI分類-H04N 5/355 810, FI分類-H04N 5/355 900
2017年02月13日
特許庁 / 特許
AV信号出力装置、AV信号入力装置及びAV信号入出力システム
FI分類-H04B 10/80, FI分類-G06F 3/00 V, FI分類-H04N 21/436, FI分類-H04N 21/442
2017年02月10日
特許庁 / 特許
気体センサ、水素検出方法、及び燃料電池自動車
FI分類-G01N 27/12 B, FI分類-G01N 27/12 C
2017年02月10日
特許庁 / 特許
水素センサ及び燃料電池自動車、並びに水素検出方法
FI分類-G01N 27/04 F, FI分類-G01N 27/12 B
2017年01月31日
特許庁 / 特許
気体センサ
FI分類-H01M 8/00 Z, FI分類-H01M 8/04 H, FI分類-H01M 8/04 J, FI分類-H01M 8/04 Z, FI分類-G01N 27/04 F, FI分類-G01N 27/04 L, FI分類-G01N 27/12 B
2017年01月26日
特許庁 / 特許
半導体モジュールおよびその製造方法
FI分類-F21V 29/70, FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 33/64, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-H01L 33/00 H, FI分類-F21S 2/00 100, FI分類-F21V 9/16 100, FI分類-F21V 29/503 100, FI分類-F21Y 115:10 300, FI分類-F21Y 115:10 500
2017年01月13日
特許庁 / 特許
不揮発性メモリ装置
FI分類-G11C 13/00 420, FI分類-G11C 13/00 400 G, FI分類-G11C 13/00 400 Z
2017年01月12日
特許庁 / 特許
気体センサ及び水素濃度判定方法
FI分類-G01N 27/12 C, FI分類-G01N 27/12 D
2016年12月13日
特許庁 / 特許
不正メッセージ検知装置、不正メッセージ検知装置を備える電子制御装置、不正メッセージ検知方法、及び不正メッセージ検知プログラム
FI分類-H04L 12/40 M
2016年10月14日
特許庁 / 特許
波長変換素子、発光装置、及び、波長変換素子の製造方法
FI分類-F21V 7/30, FI分類-G02B 5/20, FI分類-F21S 41/16, FI分類-F21Y 115:30, FI分類-G02B 5/02 C, FI分類-G02B 5/08 A, FI分類-F21W 102:135
2016年10月14日
特許庁 / 特許
光源装置及び投光装置
FI分類-F21V 29/70, FI分類-H01S 5/024, FI分類-F21V 29/503
2016年10月04日
特許庁 / 特許
撮像装置、およびそれに用いられる固体撮像素子
FI分類-G01S 17/10, FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01C 3/06 140, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2016年09月15日
特許庁 / 特許
異常検出装置、及び電池システム
FI分類-G01R 31/02, FI分類-H02J 7/00 Y, FI分類-G01R 19/00 B
2016年09月15日
特許庁 / 特許
電圧検出回路、異常検出装置、及び電池システム
FI分類-G01R 31/54, FI分類-H02J 7/00 Y, FI分類-G01R 19/00 B, FI分類-H01M 10/48 P
2016年07月28日
特許庁 / 特許
固体撮像装置
FI分類-H04N 5/374, FI分類-H01L 27/146 A
2016年07月28日
特許庁 / 特許
固体撮像装置の駆動方法
FI分類-G01S 17/89, FI分類-H04N 5/353, FI分類-G01S 7/481 A, FI分類-G01C 3/06 140, FI分類-H01L 27/146 A, FI分類-G01C 3/06 120 Q, FI分類-H04N 5/3745 200
2016年07月19日
特許庁 / 特許
発光装置
FI分類-H01L 33/62, FI分類-H01L 21/52 A
2016年06月30日
特許庁 / 特許
距離測定装置
FI分類-G01S 17/89, FI分類-G01C 3/06 140, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2016年05月18日
特許庁 / 特許
差動出力回路
FI分類-H03K 17/10, FI分類-H03K 17/687 H, FI分類-H03K 19/0175 220
2016年05月10日
特許庁 / 特許
測距撮像装置
FI分類-G01S 17/10, FI分類-G01S 17/89, FI分類-H04N 5/235, FI分類-H04N 5/353, FI分類-G01C 3/06 120 Q
2016年04月12日
特許庁 / 特許
半導体記憶装置
FI分類-H01L 27/105 448
2016年03月25日
特許庁 / 特許
スイッチング制御回路
FI分類-H02M 1/08 A, FI分類-H02M 1/08 C, FI分類-H03K 17/04 E, FI分類-H03K 17/687 A
2016年01月22日
特許庁 / 特許
固体撮像装置およびカメラ
FI分類-H04N 5/365, FI分類-H04N 5/374, FI分類-H04N 5/378
2015年08月17日
特許庁 / 特許
撮像装置、及びそれに用いられる固体撮像装置
FI分類-G02B 7/40, FI分類-H04N 5/33, FI分類-G03B 13/36, FI分類-H04N 5/361, FI分類-H04N 5/3728, FI分類-H01L 27/14 B, FI分類-H01L 27/14 D
2015年05月27日
特許庁 / 特許
センシングシステム及び運転支援システム
FI分類-G01S 17/10, FI分類-G01S 17/89, FI分類-G08G 1/16 C

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の商標情報(4件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2023年06月14日
特許庁 / 商標
ALSOFIA
09類
2019年01月11日
特許庁 / 商標
PRAND
09類
2018年07月26日
特許庁 / 商標
Gerda
09類
2014年02月03日
特許庁 / 商標
GERDA
09類

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の意匠情報(1件)

日付
公表組織 / 種類
活動対象 / 分類等
2020年11月02日
特許庁 / 意匠
半導体素子
意匠新分類-H1451

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の職場情報

項目 データ
事業概要
電気機械器具製造・販売
企業規模
1,648人
男性 1,487人 / 女性 161人
平均勤続年数
範囲 正社員
男性 26.0年 / 女性 25.5年
役員全体人数
9人
男性 7人 / 女性 2人

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の閲覧回数

データ取得中です。

ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社の近くの法人

前の法人:株式会社大家河合 次の法人:朝日インター株式会社

SNSでシェアする
開く

PAGE TOP